公开(公告)号：CN118486598A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410395662.7

申请日：2024-04-02

Applicant: 南京邮电大学 ,  镇江南京邮电大学研究院 ,  江苏晶菲尔德半导体科技有限公司

Inventor： 王静 ,  孙碧涵 ,  胡旭涛

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  C30B23/00 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明属于芯片制造工艺的领域，公开了一种免键合、免对准实现芯片3D堆叠的方法，采用磁控溅射设备在芯片的金属薄层上生成致密、单一取向的单晶硅薄层，再通过掺杂、刻蚀等工艺构造上层芯片，实现真正意义上的3D垂直堆叠。本发明的优点在于：工艺简单快速、工序少、便于重复堆叠、室温制备、产生应力小、普适性强、安全无污染、平整度高、界面特性陡峭、有利于低功耗设计等。通过本发明实现的3D堆叠芯片具有互连长度短、翘曲度小、形变小、自掺杂效应小、结构设计高度灵活、接触性能好、界面性能优的特点，可广泛用于高性能芯片制造、光伏、航天航空、传感电路等领域。

公开(公告)号：CN118308687B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410736853.5

申请日：2024-06-07

Applicant: 南京邮电大学 ,  镇江南京邮电大学研究院

Inventor： 王静 ,  应云帆 ,  王少青 ,  胡旭涛 ,  张长春 ,  张翼

IPC: C23C14/04 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08

Abstract: 本申请公开了一种无掩膜制备氧化锌阵列的方法，属于半导体工艺技术领域;本申请采用磁控溅射与激光干涉相结合的方式，在磁控溅射沉积薄膜的同时，利用激光干涉在衬底表面形成图案化的光强分布，从而使衬底各位置产生与光强相对应的热梯度分布;激光通过改变表面吸附原子动力学从而诱导表面形貌生长;与传统制备图案化阵列微纳结构的方法相比，本申请具有工艺简单、成本低、制备周期短、无杂质、环境友好、无需光刻胶、无掩膜、图样可调等优点;通过本发明制备的周期性图案化纳米结构可以具有发光，滤波，双极性晶体管特性，可广泛用于光电显示、透明电极、光伏、探测器、压电传感器、低维集成器件制备等领域。

公开(公告)号：CN118308687A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410736853.5

申请日：2024-06-07

Applicant: 南京邮电大学 ,  镇江南京邮电大学研究院

Inventor： 王静 ,  应云帆 ,  王少青 ,  胡旭涛 ,  张长春 ,  张翼

IPC: C23C14/04 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08

Abstract: 本申请公开了一种无掩膜制备氧化锌阵列的方法，属于半导体工艺技术领域;本申请采用磁控溅射与激光干涉相结合的方式，在磁控溅射沉积薄膜的同时，利用激光干涉在衬底表面形成图案化的光强分布，从而使衬底各位置产生与光强相对应的热梯度分布;激光通过改变表面吸附原子动力学从而诱导表面形貌生长;与传统制备图案化阵列微纳结构的方法相比，本申请具有工艺简单、成本低、制备周期短、无杂质、环境友好、无需光刻胶、无掩膜、图样可调等优点;通过本发明制备的周期性图案化纳米结构可以具有发光，滤波，双极性晶体管特性，可广泛用于光电显示、透明电极、光伏、探测器、压电传感器、低维集成器件制备等领域。