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公开(公告)号:CN118308687B
公开(公告)日:2024-11-08
申请号:CN202410736853.5
申请日:2024-06-07
Applicant: 南京邮电大学 , 镇江南京邮电大学研究院
Abstract: 本申请公开了一种无掩膜制备氧化锌阵列的方法,属于半导体工艺技术领域;本申请采用磁控溅射与激光干涉相结合的方式,在磁控溅射沉积薄膜的同时,利用激光干涉在衬底表面形成图案化的光强分布,从而使衬底各位置产生与光强相对应的热梯度分布;激光通过改变表面吸附原子动力学从而诱导表面形貌生长;与传统制备图案化阵列微纳结构的方法相比,本申请具有工艺简单、成本低、制备周期短、无杂质、环境友好、无需光刻胶、无掩膜、图样可调等优点;通过本发明制备的周期性图案化纳米结构可以具有发光,滤波,双极性晶体管特性,可广泛用于光电显示、透明电极、光伏、探测器、压电传感器、低维集成器件制备等领域。
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公开(公告)号:CN118308687A
公开(公告)日:2024-07-09
申请号:CN202410736853.5
申请日:2024-06-07
Applicant: 南京邮电大学 , 镇江南京邮电大学研究院
Abstract: 本申请公开了一种无掩膜制备氧化锌阵列的方法,属于半导体工艺技术领域;本申请采用磁控溅射与激光干涉相结合的方式,在磁控溅射沉积薄膜的同时,利用激光干涉在衬底表面形成图案化的光强分布,从而使衬底各位置产生与光强相对应的热梯度分布;激光通过改变表面吸附原子动力学从而诱导表面形貌生长;与传统制备图案化阵列微纳结构的方法相比,本申请具有工艺简单、成本低、制备周期短、无杂质、环境友好、无需光刻胶、无掩膜、图样可调等优点;通过本发明制备的周期性图案化纳米结构可以具有发光,滤波,双极性晶体管特性,可广泛用于光电显示、透明电极、光伏、探测器、压电传感器、低维集成器件制备等领域。
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