公开(公告)号：CN116634780A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310632181.9

申请日：2023-05-31

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 马翎琳 ,  常恒典 ,  林昊南 ,  吴鑫 ,  史玉贤 ,  王赋斌 ,  张浩 ,  张季楠 ,  张珺 ,  郭宇锋 ,  姚佳飞 ,  陈静

IPC: H10K10/46

Abstract: 本发明公开了一种具有电荷柱补偿结构的耐高压LDR‑OFET，包括横向共聚物器件本体和若干个电荷柱；横向共聚物器件本体包括衬底、有机共聚物半导体层、栅介质层、栅极、源极和漏极；位于栅极和漏极之间的有机半导体层形成为有机半导体漂移区；有机半导体漂移区的横向长度L＝5～15μm；若干个电荷柱均匀竖向布设在有机半导体漂移区内，每个电荷柱的顶端均贯穿栅介质层，且与栅介质层顶部相齐平；每个电荷柱的底端均与衬底顶面之间的距离为0.01～0.03μm。本发明通过在有机半导体漂移区及正上方的栅介质层内设置电荷柱的方式，使得有机半导体漂移区内的电荷重构，优化有机半导体漂移区的电场分布，从而能使整个器件的击穿电压超过1200V。