公开(公告)号：CN115000301A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210392987.0

申请日：2022-04-15

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 徐勇 ,  饶锦航 ,  高相林 ,  严宇 ,  戴晓菡 ,  窦存花 ,  陈泉桦 ,  陈子龙 ,  于志浩 ,  孙华斌 ,  吴洁

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明公开一种双介电层场效应晶体管及其制备方法，器件包括玻璃衬底、源漏电极、半导体层、介电层和栅极，介电层包括下方与半导体层接触的低k介电层和位于其上的高k介电层；低k介电层是将低k介电层溶液涂覆在半导体层上形成的；低k介电层溶液是将聚苯乙烯溶于有机溶剂中配置而成，聚苯乙烯的浓度为5‑20mg/mL。本发明利用双介电层结构来改善器件性能，使用低k聚合物抑制高k介电层中极化子引起的能量无序，提高界面中的电荷输运的同时，借助氧化物Al2O3作为高k介电层可有效降低器件工作电压；当低k聚合物的浓度在10‑20mg/mL范围内时，器件的阈值电压、迁移率存在最优匹配。

公开(公告)号：CN114899314A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210098922.5

申请日：2022-01-27

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 徐勇 ,  高相林 ,  严宇 ,  陈泉桦 ,  饶锦航 ,  戴晓菡 ,  陈子龙 ,  于志浩 ,  孙华斌 ,  吴洁

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提出一种高性能底栅交错聚合物场效应晶体管的制备方法，制备方法包括以下具体步骤：步骤1：溶液的制备，包括半导体溶液的配置和溶液的溶解步骤；步骤2：器件的制备，包括衬底的清洗、半导体薄膜和源漏电极的制备以及栅极的制备步骤，源漏电极的制备采用常规的真空热蒸发法利用不锈钢掩膜版在衬底上蒸镀50nm的金作为源漏电极，本发明与现有制备工艺相比，可以在保证器件工作状态最佳的情况下，确认可以使用的最薄半导体层厚度，大大减小了半导体材料的使用浪费，优化了有机薄膜晶体管的亚阈值摆幅、阈值电压以及接触电阻。

公开(公告)号：CN114665020A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210299035.4

申请日：2022-03-25

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 徐勇 ,  饶锦航 ,  高相林 ,  严宇 ,  戴晓菡 ,  窦存花 ,  陈泉桦 ,  陈子龙 ,  于志浩 ,  孙华斌 ,  吴洁

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05 ,  H01L51/10

Abstract: 本发明公开了一种高性能底栅底接触聚合物场效应晶体管的制备方法，所述的晶体管器件包括：衬底、绝缘层、半导体层和源漏电极，所述的制备方法首先以蒸镀的方式在绝缘层上方蒸镀形成源漏电极，继而通过旋涂的方式在其上方形成半导体层；当选用IDT‑BT作为有源半导体层时，源漏电极的厚度为20‑30nm，当选用DPPT‑TT作为有源半导体层时，源漏电极的厚度为40‑50nm。本发明的发明人经过大量实验，发现通过固定半导体层的厚度，并调整源漏电极的厚度，会影响底栅底接触聚合物场效应晶体管的性能，发明人通过使用蒸镀仪蒸镀了不同厚度的源漏电极，在将不同电极厚度下器件的性能参数对比之后，发现了源漏电极的最佳厚度，此时能获得电学性能最优的有机薄膜晶体管器件。