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公开(公告)号:CN116180234A
公开(公告)日:2023-05-30
申请号:CN202310129692.9
申请日:2023-02-17
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶二维二硫化钒纳米片制备方法,包括以下步骤:将S粉放入硫石英舟,V2O5粉和KCl粉混合后放入钒石英舟,SiO2/Si衬底放入衬底石英舟;将硫石英舟、钒石英舟和衬底石英舟放入两端开口的小石英管内部,然后再将小石英管放入管式炉内,并将管式炉两端的法兰安装完成;将氩气充满管式炉,然后把管式炉内部氩气抽出;开启管式炉,通入氩气和氢气的混合气体,按照设定的程序进行升温,然后恒温保持一段时间,最后将管式炉自然冷却至室温。本发明还公开一种单晶二维二硫化钒纳米片,由上述制备方法制备得到。本发明提供的一种单晶二维二硫化钒纳米片及其制备方法,能够大规模生长较薄的单晶二硫化钒纳米片,提升二硫化钒的质量。
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公开(公告)号:CN113957412A
公开(公告)日:2022-01-21
申请号:CN202111106386.0
申请日:2021-09-22
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提出一种在蓝宝石衬底上制备晶粒取向高度一致的二硫化钼薄膜的方法。包括以下步骤:采用c‑plane蓝宝石作为衬底,在生长之前,对衬底进行高温退火处理;将蓝宝石基片放入第一石英舟内,将MoO3和NaCl混合研磨,称取混合物放置在第二石英舟中,将S粉放置在第三石英舟中;将三个石英舟放入化学气相沉积系统腔内,通入载气,控制腔内温度进行化学气相沉积过程,在蓝宝石衬底上得到晶粒取向高度一致的二硫化钼薄膜。所述方法解决了化学气相沉积法制备二硫化钼晶粒取向随机的问题,实现了晶粒取向高度一致的二硫化钼薄膜的制备,具有工艺简单、成本低廉等优点,适合工业批量生产。
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