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公开(公告)号：CN113957412A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111106386.0
申请日：2021-09-22
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提出一种在蓝宝石衬底上制备晶粒取向高度一致的二硫化钼薄膜的方法。包括以下步骤：采用c‑plane蓝宝石作为衬底，在生长之前，对衬底进行高温退火处理；将蓝宝石基片放入第一石英舟内，将MoO3和NaCl混合研磨，称取混合物放置在第二石英舟中，将S粉放置在第三石英舟中；将三个石英舟放入化学气相沉积系统腔内，通入载气，控制腔内温度进行化学气相沉积过程，在蓝宝石衬底上得到晶粒取向高度一致的二硫化钼薄膜。所述方法解决了化学气相沉积法制备二硫化钼晶粒取向随机的问题，实现了晶粒取向高度一致的二硫化钼薄膜的制备，具有工艺简单、成本低廉等优点，适合工业批量生产。
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