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公开(公告)号：CN113957412A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111106386.0
申请日：2021-09-22
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明提出一种在蓝宝石衬底上制备晶粒取向高度一致的二硫化钼薄膜的方法。包括以下步骤：采用c‑plane蓝宝石作为衬底，在生长之前，对衬底进行高温退火处理；将蓝宝石基片放入第一石英舟内，将MoO3和NaCl混合研磨，称取混合物放置在第二石英舟中，将S粉放置在第三石英舟中；将三个石英舟放入化学气相沉积系统腔内，通入载气，控制腔内温度进行化学气相沉积过程，在蓝宝石衬底上得到晶粒取向高度一致的二硫化钼薄膜。所述方法解决了化学气相沉积法制备二硫化钼晶粒取向随机的问题，实现了晶粒取向高度一致的二硫化钼薄膜的制备，具有工艺简单、成本低廉等优点，适合工业批量生产。
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公开(公告)号：CN114855266A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210299047.7
申请日：2022-03-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提出一种二维二硫化钨薄膜晶界的鉴别方法。包括以下步骤：将S粉末放置在第一石英舟中，WO3粉末放置在第二石英舟中；将待鉴别的二维二硫化钨薄膜样品放入第三石英舟中；分别将三个石英舟放置在化学气相沉积系统的石英管内，通入氩气作为载流气体，并加热对二维二硫化钨薄膜进行二次生长，得到晶界明显的二维二硫化钨薄膜；利用光学显微镜直接观测得到的二维二硫化钨薄膜样品，可以明显分辨出二维二硫化钨薄膜的晶界。本发明操作简便，精确度高，对设备要求低，避免了用复杂的高精度仪器来探测二维材料的晶界。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107384396B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201710542456.4
申请日：2017-07-05
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种具有光温传感性质的稀土掺杂氧化物微米管材料及其制备方法，属于稀土发光材料技术领域。以稀土离子Er3+为发光中心，将其单掺或共掺在Y2O3微米管中，在红外光激发下发出多频率的强烈荧光，具有高灵敏度的光温传感特性。其制备方法包括：(a)原料的选取，(b)配料的混合，(c)微米管制备三个步骤。本发明制备的荧光粉不仅能够实现把红外光向可见光转换而且还能够实现光温传感性能的光温传感微米管材料。本材料适合大面积工业生产。
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公开(公告)号：CN105400516A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510757608.3
申请日：2015-11-09
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C09K11/86
Abstract: 本发明公开了一种具有光温传感性能的新型核壳结构材料及其制备方法。先采用高温热解法制备了球形NaY0.78Yb0.2Er0.02和NaY0.747Yb0.25Tm0.003荧光核单分散性纳米颗粒，然后用高温热解法在NaY0.78Yb0.2Er0.02或NaY0.747Yb0.25Tm0.003荧光纳米晶核材料表面包覆一层NaYF4钝化壳得到NaY0.747Yb0.25Tm0.003@NaYF4核壳结构纳米颗粒，最后再用水解法在NaY0.78Yb0.2Er0.02@NaYF4或NaY0.747Yb0.25Tm0.003@NaYF4核壳结构纳米颗粒上包覆一层SiO2壳，得到球形NaY0.78Yb0.2Er0.02F4@NaYF4@SiO2或NaY0.747Yb0.25Tm0.003F4@NaYF4@SiO2三层纳米氟化物复合材料。本发明制备的复合材料能够避免三层纳米氟化物复合材料在高温下被氧化，具有高效的红外到可见上转换发光性能，适合做良好的光温传感材料。本材料适合喷墨打印和印刷技术，可以大面积工业生产。
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公开(公告)号：CN107384396A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710542456.4
申请日：2017-07-05
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种具有光温传感性质的稀土掺杂氧化物微米管材料及其制备方法，属于稀土发光材料技术领域。以稀土离子Er3+为发光中心，将其单掺或共掺在Y2O3微米管中，在红外光激发下发出多频率的强烈荧光，具有高灵敏度的光温传感特性。其制备方法包括：(a)原料的选取，(b)配料的混合，(c)微米管制备三个步骤。本发明制备的荧光粉不仅能够实现把红外光向可见光转换而且还能够实现光温传感性能的光温传感微米管材料。本材料适合大面积工业生产。
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公开(公告)号：CN116180234A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310129692.9
申请日：2023-02-17
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种单晶二维二硫化钒纳米片制备方法，包括以下步骤：将S粉放入硫石英舟，V2O5粉和KCl粉混合后放入钒石英舟，SiO2/Si衬底放入衬底石英舟；将硫石英舟、钒石英舟和衬底石英舟放入两端开口的小石英管内部，然后再将小石英管放入管式炉内，并将管式炉两端的法兰安装完成；将氩气充满管式炉，然后把管式炉内部氩气抽出；开启管式炉，通入氩气和氢气的混合气体，按照设定的程序进行升温，然后恒温保持一段时间，最后将管式炉自然冷却至室温。本发明还公开一种单晶二维二硫化钒纳米片，由上述制备方法制备得到。本发明提供的一种单晶二维二硫化钒纳米片及其制备方法，能够大规模生长较薄的单晶二硫化钒纳米片，提升二硫化钒的质量。
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公开(公告)号：CN110093591A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910281070.1
申请日：2019-04-09
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C23C16/30
Abstract: 本发明公开了一种二维过渡金属硫族化合物材料的制备方法，包括以下步骤：将MoO3和NaCl混合，并研磨；取混合物，以及Te粉末，将Te粉末单独放在一个容器中，放在气流上游的A温区中；将MoO3和NaCl混合物和硅基片放在另一个容器中，放在气流下游的B温区中；通入氩气和氢气作为载气，并通过加热炉加热，两个温区加热至不同的温度：A温区：加热到650℃后，恒温650℃保持40分钟；B温区：加热到670-710℃后，恒温670-710℃保持40分钟；加热结束后移开加热炉，冷却至室温后取出硅片，得到沉积在硅片上的MoTe2膜。本发明制备方法简便节能，显著降低了蒸发MoO3所需的温度，适合工业批量生产。
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