公开(公告)号：CN104821373A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201510153227.4

申请日：2015-04-01

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 仪明东 ,  黄维 ,  邵雅清 ,  解令海 ,  郭佳林 ,  谢明 ,  张宁

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0533 ,  H01L51/057 ,  H01L51/102

Abstract: 本发明公开了一种双层修饰的高性能有机场效应晶体管及其修饰方法，在绝缘层-半导体层界面间增加两层聚合物修饰，整个器件从上到下依次是：源漏电极、半导体、高介电常数材料的聚合物、电绝缘性较好的聚合物、表面有一定厚度的二氧化硅的硅衬底，这一结构的介电层既具有较好的绝缘性，同时也具有较高的电容。通过测量电学性质与半导体粒子生长形貌及结晶度，可以判定本器件是一个高性能的有机场效应晶体管。本发明的优点是，该有机场效应晶体管具有高迁移率、开关比，并且施加持续栅压后也维持较好性能，同时在空气中也具备较好的稳定性质。