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公开(公告)号：CN113388402B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110813518.7
申请日：2021-07-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种双激发多色发光稀土上转换纳米粒子及其制备方法，所得终产物包括核壳两层结构，核纳米粒子是利用高温共沉淀法以NaYF4为基质，掺杂Nd和Gd离子制成，壳层结构是利用外延生长法，在核纳米粒子表面包覆NaGdF4并掺杂Nd、Yb、Tm、Er粒子后得到；通过在核、壳掺杂不同敏化离子并严格调控各元素的掺杂比例后，该稀土上转换纳米粒子在980nm和808nm波长的近红外光激发下通过改变激发强度可实现单一粒子的多色发光，形成从绿色到青色再到白色的多色光转换，按照发光趋势，还有望形成红光发射；这一材料特性将使得该类材料在多层加密防伪、发光器件、生物成像、功能复合材料等领域均得到更好应用。
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公开(公告)号：CN113388402A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110813518.7
申请日：2021-07-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种双激发多色发光稀土上转换纳米粒子及其制备方法，所得终产物包括核壳两层结构，核纳米粒子是利用高温共沉淀法以NaYF4为基质，掺杂Nd和Gd离子制成，壳层结构是利用外延生长法，在核纳米粒子表面包覆NaGdF4并掺杂Nd、Yb、Tm、Er粒子后得到；通过在核、壳掺杂不同敏化离子并严格调控各元素的掺杂比例后，该稀土上转换纳米粒子在980nm和808nm波长的近红外光激发下通过改变激发强度可实现单一粒子的多色发光，形成从绿色到青色再到白色的多色光转换，按照发光趋势，还有望形成红光发射；这一材料特性将使得该类材料在多层加密防伪、发光器件、生物成像、功能复合材料等领域均得到更好应用。
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公开(公告)号：CN105006527A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510334797.3
申请日：2015-06-16
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L51/5203 , H01L51/0008
Abstract: 本发明公开了一种高亮度多色彩的有机发光场效应晶体管及其制备方法，基于一种平面结构的底栅顶接触的有机场效应发光晶体管，源-漏电极使用不对称结构，整个器件从上到下依次是：分别使用高功函数金属和低功函数金属的不对称源漏电极、空穴传输层、电子传输层、表面有一定厚度的二氧化硅的硅衬底，这一结构的源漏电极不仅可以同时有效地保障电子和空穴的注入，同时在源漏电极处可看到不同颜色的发光，实现有机场效应发光晶体管的多色彩发光，并可以改变作为源漏电极的金属种类以实现发光颜色的改变。本发明的优点是，该有机场效应晶体管具有高亮度，多色彩，并可在空气中进行测试的良好性能。
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公开(公告)号：CN104821373A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510153227.4
申请日：2015-04-01
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L51/0533 , H01L51/057 , H01L51/102
Abstract: 本发明公开了一种双层修饰的高性能有机场效应晶体管及其修饰方法，在绝缘层-半导体层界面间增加两层聚合物修饰，整个器件从上到下依次是：源漏电极、半导体、高介电常数材料的聚合物、电绝缘性较好的聚合物、表面有一定厚度的二氧化硅的硅衬底，这一结构的介电层既具有较好的绝缘性，同时也具有较高的电容。通过测量电学性质与半导体粒子生长形貌及结晶度，可以判定本器件是一个高性能的有机场效应晶体管。本发明的优点是，该有机场效应晶体管具有高迁移率、开关比，并且施加持续栅压后也维持较好性能，同时在空气中也具备较好的稳定性质。
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