一种石墨烯场效应晶体管量子点光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN108198897B

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN201711316001.7

    申请日:2017-12-12

    Abstract: 本发明涉及光电探测领域,具体涉及一种石墨烯场效应晶体管量子点光电探测器及其制备方法;该光电探测器为多层薄膜结构,包括Si衬底层、第一绝缘层、第二绝缘层、石墨烯沟道层、量子点光敏介质层以及源极与漏极;衬底上依次热氧化生长第一绝缘层氧化硅,磁控溅射法生长第二绝缘层氮化铝作为双绝缘层,增强型化学气相沉积法生长石墨烯层于双绝缘层上,石墨烯层两端设有源极和漏极,源极和漏极之间涂覆一层量子点光敏介质层。本发明通过设计合理的器件结构,在光照情况下量子点和石墨烯之间可发生有效的电荷转移,从而将特定频率的光转换成光电流,最终实现对入射光的有效探测。

    一种基于ZYNQ的保偏光纤熔接机对轴方法及系统

    公开(公告)号:CN116883387A

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202310990123.3

    申请日:2023-08-08

    Abstract: 本发明涉及保偏光纤熔接机光纤对轴技术领域,涉及一种基于ZYNQ的保偏光纤熔接机对轴方法及系统;首先采集两段光纤端面图像,对采集的图像进行去噪处理,使用OTSU自适应阀值分割算法对去噪后的图像进行阈值分割,并进行二值化处理,对二值化处理后的图像进行连通域处理算法,得到光纤端面同属于一个连通域的坐标信息,用公式对坐标信息处理,得到中心坐标,并进行补偿,由PS侧判断当前位置坐标于预定位置坐标,旋转光纤至预定位置坐标;通过检测端面图像进行应力区判定,获得最佳旋转角度,在FPGA上实现加速处理,从而达到快速定轴,同时提高定轴精度的目的,解决现有技术中存在的如何在保偏光纤熔接前实现双折射轴的精确对准问题。

    一种光致超声发射器及其制作方法

    公开(公告)号:CN114642448A

    公开(公告)日:2022-06-21

    申请号:CN202210287845.8

    申请日:2022-03-23

    Abstract: 本发明公开了一种光致超声发射器及其制作方法,所述光致超声发射器包括金属纳米颗粒‑多孔氧化铝阵列复合层,用于吸收入射光,并转换为热量,热膨胀材料的聚二甲基硅氧烷,填充于氧化铝阵列的纳米孔中,用于吸收热能,通过热弹效应发出超声。衬底为玻璃基片,该器件利用光致超声原理,在脉冲激光的作用下产生超声信号。本发明方法工艺简单,产生的超声具有强度高,频率高,频带宽的特点。

    一种光纤圆柱侧面均匀镀膜装置及其方法

    公开(公告)号:CN107815659A

    公开(公告)日:2018-03-20

    申请号:CN201710917990.9

    申请日:2017-09-28

    Abstract: 本发明公开了一种光纤圆柱侧面均匀镀膜装置及其方法,其装置用于具有镀膜盘的镀膜仪器上,包括保护旋转结构、光纤支撑结构;所述保护旋转结构包括外框架封闭件,其竖立侧面围板与一个底板相结合;底板上设置有多个电机与电源组件;所述光纤支撑结构包括与外框架封闭件固定的光纤支架,其上设置有多个用于放置光纤的V型槽;所述竖立侧面围板对着光纤支架的一面上开有多个小孔,分别对应于各电机与电源组件的电机输出轴;多个光纤转轴的一端分别与各电机输出轴相连接,另一端分别与对应光纤的一头紧密套接;光纤另一头置于V型槽上,从而使光纤随电机输出轴而旋转。本发明装置结构简单紧凑,方法简便易行,可适用于各种镀膜仪器。

    基于氧化铟锡介电常数近零模式的侧抛双芯光子晶体光纤折射率传感器

    公开(公告)号:CN117890330A

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202410063965.9

    申请日:2024-01-17

    Abstract: 本发明提供一种基于氧化铟锡介电常数近零模式的侧抛双芯光子晶体光纤折射率传感器,由侧抛处理后的光子晶体光纤的纤芯、六边角形周期分布且大小相等的圆形气孔和三个中心沿纤芯水平轴线分布的椭圆气孔排列而构成双芯光子晶体光纤折射率传感器,纤芯的抛磨平面沉积超薄氧化铟锡薄膜,氧化铟锡薄膜与外界待测介质直接接触,利用ITO薄膜支持的ENZ模式所具有的较长的光与物质相互作用距离的特性实现高灵敏度的折射率传感。该传感器在折射率为1.33~1.38的范围内,能够实现最高22700nm/RIU的超高灵敏度折射率传感,并具有结构简单、成本低、与CMOS工艺兼容、灵敏度高、检测范围广和品质因素高的优点。

    一种氧化钛异质结薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN117423657A

    公开(公告)日:2024-01-19

    申请号:CN202311347361.9

    申请日:2023-10-18

    Abstract: 本发明公开了一种氧化钛异质结薄膜及其制备方法,将锐钛矿TiO2单晶薄膜置于电感耦合等离子体反应装置中,将反应装置抽至真空后,通入反应气体,将反应装置的气压调升;调节等离子体的功率至不低于100W,将锐钛矿TiO2单晶薄膜浸没在等离子体辉光中处理,获得锐钛矿TiO2/缺陷型Ti2O3异质结薄膜,有效改善电子的传输阻抗和发热问题。

    一种碳纳米纤维基光致超声换能器的制备方法

    公开(公告)号:CN117139119A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202311026044.7

    申请日:2023-08-15

    Abstract: 本发明涉及超声技术领域,特别是涉及一种碳纳米纤维基光致超声换能器的制备方法。本发明的碳纳米纤维基光致超声换能器的制备方法,包括以下步骤:1)用静电纺丝法先纺丝出聚丙烯腈PAN膜,通过纺丝时间和溶液量控制PAN膜的厚度;2)将PAN纤维膜在惰性气体中进行高温碳化得到碳纳米纤维膜;3)利用物理气相沉积法在碳纳米纤维膜的表面生长金属纳米颗粒,得到金属纳米颗粒‑碳纳米纤维复合膜;4)在石英玻璃片制备金属纳米颗粒‑碳纳米纤维‑PDMS复合层;5)将石英玻璃片连同金属纳米颗粒‑碳纳米纤维‑PDMS复合层放入真空干燥箱中,真空加热固化,得到光致超声换能器。本发明的方法工艺简单,光致超声换能器产生的超声具有强度高、频率高、频带宽的优点。

    一种塞贝克系数自动测量装置

    公开(公告)号:CN110988028A

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201911300341.X

    申请日:2019-12-17

    Abstract: 本发明公开了一种塞贝克系数自动测量装置。本发明涉及热电材料的塞贝克系数测量技术领域,包括真空腔体(13)及设置在真空腔体(13)内部的绝缘绝热板(1)、两块热电片(2)、样品(3)、两个温度探头(4)、压针(5)、电极探针(6)、温度采集模块(7)、温度控制模块(8)、电压采集模块(9)、单片机控制系统(10)、温度\电压显示模块(11)及电源(12);本装置能够根据预置的温度测量区间和测量周期,完成样品塞贝克系数的自动测量,简化测量流程,提高测量效率。再者,利用单片机控制系统进行检测和控制,可将样品两端电压和温度实时显示,方便人员操作和判断。

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