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公开(公告)号：CN116455353A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310421187.1
申请日：2023-04-19
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种面向5G的高选择性多阶IPD滤波器，涉及射频集成电路设计技术领域，包括第一至第N谐振器和两个馈电结构，两个馈电结构分别与第一谐振器、第N谐振器一一连接，N≥2，谐振器包括一个两端开路的电感和至少一个接地电容，接地电容加载在两端开路的电感的任意开路端；相邻的谐振器以第一耦合方式或第二耦合方式互连，这两种耦合方式交替出现；第一耦合方式为：相邻的谐振器的两个两端开路的电感感性互耦，第二耦合方式为：相邻的谐振器的两个两端开路的电感的开路端容性互耦。谐振器还可以包括加载电容结构，加载电容结构的两端分别与电感的两个开路端电连接。本发明具有宽带高选择性，能够提高器件性能的同时减小滤波器的尺寸。
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公开(公告)号：CN115940910A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211532551.3
申请日：2022-12-01
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03K17/567 , H03K17/88
Abstract: 本发明公开一种基于传输零点的高隔离半导体单刀双掷开关，属于基本电子电路的技术领域。该开关包括：第一射频端口、第一开关臂、第二开关臂、第二射频端口、第三射频端口，每个开关臂都包括：至少一个并联谐振单元、一个并联谐振单元、一个输出匹配模块，通过在开关臂输入端和并联晶体管源极之间串接并联谐振单元的方式，任意一个并联谐振回路和并联的晶体管既在关断支路实现一个传输零点，又在导通支路产生一个传输极点，在保持开关小型化的同时有效提升隔离度。
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公开(公告)号：CN117060912A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310975612.1
申请日：2023-08-03
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明公开多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关，涉及射频集成电路设计技术，属于基本电子电路的技术领域。该开关包括：第一射频端口、第二射频端口、第三射频端口、第一开关臂、第二开关臂，两个开关臂中输出匹配电路的接入点分别连接有第一补偿电感、第二补偿电感，第一补偿电感、第二补偿电感和与第一射频端口连接的第一耦合电感复用接地的第二耦合电感，使用导通开关臂中开关管的耦合谐振的工作方式实现开关的低损耗，利用断开的开关臂产生新的耦合谐振产生了新的传输极点实现了宽带宽，实现开关小型化。
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公开(公告)号：CN116566356A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310546348.X
申请日：2023-05-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种利用晶体管寄生电感效应的片上多模谐振器，涉及射频集成电路设计技术领域，包括第一射频端口、第二射频端口、晶体管组、补偿电容、补偿电感和第一至第N直流端口，晶体管组包括第一至第N晶体管，第一至第N晶体管依次串联连接的，串联方式是：第i晶体管的源极或者漏极与第i+1晶体管的源极或者漏极连接，N为大于等于1的自然数，1≤i＜N。本发明使用有源晶体管代替传统谐振结构中的电容，可以在同一电路拓扑下实现多个工作频率；充分考虑晶体管导通时的寄生电感，并通过加载补偿电容使寄生电感与加载的电容产生谐振，提升关断抑制度。
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公开(公告)号：CN113206658B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202110430364.3
申请日：2021-04-21
Applicant: 南京邮电大学
Inventor： 沈光煦
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种基于耦合谐振的半导体射频单刀单掷开关，包括第一射频端口P1、第二射频端口P2、N个直流端口VgN、至少N+1个耦合电感和N个谐振单元，N个谐振单元均由一端接地的晶体管与一端接地的补偿电感并联构成，第一射频端口P1和第二射频端口P2之间电连接有至少N+1个耦合电感和N个谐振单元，第一射频端口P1和谐振单元之间电连接有耦合电感，第二射频端口P2和谐振单元之间电连接有耦合电感，谐振单元之间电连接有耦合电感。本发明公开的半导体射频单刀单掷开关具有尺寸小、导通传输损耗低的优点，通过提出一种耦合谐振式拓扑，可以实现宽带匹配，特别适用于毫米波频段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113708038A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110966570.6
申请日：2021-08-23
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明公开了一种高隔离的射频滤波功分器，涉及射频电路设计技术领域，射频滤波功分器设置在介质基板上，射频滤波功分器为轴对称结构，包括输入馈线、第一输出馈线、第二输出馈线、M个复数阻抗隔离元件、表面波屏蔽结构、第一滤波枝节和第二滤波枝节，第一滤波枝节和第二滤波枝节均分别包括N个谐振器。本发明在相邻滤波枝节之间加载了表面波屏蔽结构，在不增大结构尺寸的基础上，将输出端口之间的隔离度提升到45dB的以上；通过加载多个复数阻抗隔离元件，在工作频带内可以实现多个的输出端口之间吸收零点，进而展宽隔离度带宽，可以在整个工作频段内实现大于45dB的输出端口隔离度，远大于现有技术所实现的输出端口隔离度。
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公开(公告)号：CN118890956A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410956325.0
申请日：2024-07-17
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种制备基于氧化锌/氧化铪射频开关及其制备方法，射频开关以硅基晶片为载体，以金属铂和金属银作为射频开关器件的电极层，用以二硫化钼和氧化锌作为阻变材料，包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、镍层、铂层、二硫化钼层、氧化锌层、银层、氮化钛层、镍层、铜层。本发明在硅衬底上利用光刻工艺和PVD磁控溅射镀膜工艺制备射频开关，制备方法工艺简单，成本低。制备的射频开关具有优异的性能和良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117040464A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310522035.0
申请日：2023-05-10
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种多传输零点的枝节复用IPD滤波器，涉及射频集成电路设计技术领域，包括第一至第N谐振器和两个馈电结构，两个馈电结构分别与第一谐振器、第N谐振器一一连接，N≥2，谐振器包括两端开路的电感、与电感的两开路端电连接的交指电容结构，交指电容结构具有不少于1个的交指、且交指指长不完全相同。本发明采用指长不同的交指电容，不仅可以获得想要的容值，每一个指理论上可以在上阻带实现一个传输零点，因此多个不同长度的指可以产生多个传输零点，其中非对称结构滤波器产生的零点个数是其同阶对称滤波器的两倍；实现了结构和功能的复用，达到了小型化和增强上阻带抑制的优点。
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公开(公告)号：CN116633336A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310584750.7
申请日：2023-05-22
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03K17/687 , H03K19/00 , H03K19/0175 , H04B1/40
Abstract: 本发明公开面向5G/6G射频前端芯片的低损耗非对称片上开关，属于基本电子电路的技术领域。该非对称片上开关包括：第一射频端口、第一开关臂、第二开关臂、第二射频端口、第三射频端口，通过第一开关臂中接入的第一并联谐振单元与第二开关臂接入的第二并联谐振单元组成耦合谐振结构，利用第二并联谐振单元的并联谐振实现高阻态，降低第二开关臂加载效应对第一开关臂损耗的影响，第二开关臂还可接入多级低通单元或多级耦合谐振拓扑改善开关带宽，同时实现非对称开关的低损耗、超宽带、高隔离和小型化。
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公开(公告)号：CN115642909A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211345480.6
申请日：2022-10-31
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明公开利用端口加载效应的半导体射频单刀双掷开关，属于基本电子电路的技术领域。该半导体射频单刀双掷开关包括：第一射频端口、第二射频端口、第三射频端口、第一开关臂、第二开关臂，摒弃采用长度为λ/4的传输线避免两个开关臂之间相互影响的方案，利用断开开关臂的加载效应与增加的短路电容形成谐振回路，通过在每个开关臂中增加晶体管与补偿电感形成的谐振单元，并通过级间耦合电感连接各谐振单元，改善处于导通状态下开关臂的回波损耗，将回波损耗提高至20dB以上，通过增加晶体管数量的方式在传输通带内增加传输极点，实现宽带高隔离特性。
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