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公开(公告)号：CN110211963A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910500369.1
申请日：2019-06-11
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L27/1157 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种MOS存储器，其结构从下至上分别为硅衬底、隧道氧化物层、电荷存储层、栅极氧化层和栅极，所述隧道氧化物层为超薄非对称Al2O3/HfO2的双层结构，所述电荷存储层为四层石墨烯纳米薄片；本发明还公开了基于上述MOS存储器的制备方法。本发明的MOS存储器能够增强存储器的保持能力，同时又保持电荷的保留率，在非易失性存储器设备中具有很大的潜力；其制备方法简单易行，工艺成本低。
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公开(公告)号：CN110070920B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201910308935.9
申请日：2019-04-17
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G16C10/00
Abstract: 本发明公开了一种含单层二硫化钼结构的半导体器件仿真方法，包括以下步骤：(1)从原子层面对单层二硫化钼进行二维材料结构建模；(2)计算单层二硫化钼材料的材料特性；(3)计算单层二硫化钼材料的哈密顿量导入紧束缚模型，得到带有紧束缚哈密顿参数的矩阵；(4)建立半导体器件模型，将含有紧束缚哈密顿参数的矩阵导入半导体器件模型来计算含单层二硫化钼结构的半导体器件的电学特性和输运特性。该仿真系统从二硫化钼的原子层面开始计算，将二维二硫化钼材料使用紧束缚哈密顿矩阵来表示，从而带入进行器件层面的计算，得到含有单层二硫化钼结构的半导体器件的电学特性和输运特性。
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公开(公告)号：CN113708038A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110966570.6
申请日：2021-08-23
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明公开了一种高隔离的射频滤波功分器，涉及射频电路设计技术领域，射频滤波功分器设置在介质基板上，射频滤波功分器为轴对称结构，包括输入馈线、第一输出馈线、第二输出馈线、M个复数阻抗隔离元件、表面波屏蔽结构、第一滤波枝节和第二滤波枝节，第一滤波枝节和第二滤波枝节均分别包括N个谐振器。本发明在相邻滤波枝节之间加载了表面波屏蔽结构，在不增大结构尺寸的基础上，将输出端口之间的隔离度提升到45dB的以上；通过加载多个复数阻抗隔离元件，在工作频带内可以实现多个的输出端口之间吸收零点，进而展宽隔离度带宽，可以在整个工作频段内实现大于45dB的输出端口隔离度，远大于现有技术所实现的输出端口隔离度。
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公开(公告)号：CN110135286A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910347620.5
申请日：2019-04-28
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种基于DWT和EMD融合样本熵的脑电信号分类方法，首先对预处理后信号进行小波分解，根据子带的频谱选择子带信号，再经过经验模式分解，根据各阶固有模态函数的频谱分析筛选出集中在想象运动频段的前2阶固有模态函数，对其进行样本熵计算，通过支持向量机进行特征选择得到最终分类结果。本发明利用三个通道小波分解后的子带信号进行EMD分解，对固有模态函数进行样本熵计算，在EMD的基础上加入DWT，很好地解决EMD分解时频带涵盖宽泛的问题。
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公开(公告)号：CN110083964A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910374381.2
申请日：2019-05-07
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于四价化合物异质结结构的多尺度仿真算法，包括对四价化合物异质结材料原子层面的建模、材料特性计算等。本发明的主要步骤是：从原子层面对四价化合物异质结进行材料结构建模；分析实例材料空间异质结构，需要考虑范德瓦尔斯力在异质结构中的作用；利用第一性原理对异质结材料特性进行分析，从而得到能带、态密度等特性。本发明结合第一性原理、密度泛函理论、平面波和赝势理论、最大化局部瓦涅尔函数的系统级多尺度方法，对探究新型四价化合物异质结构二维材料的相关材料性能具有重要的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115549636A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211293821.X
申请日：2022-10-21
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03H9/15
Abstract: 本发明公开了一种电容加载的小型化片上谐振器，涉及射频集成电路设计技术领域，包括电感、电容结构和两个接地电容，两个接地电容包括第一接地电容和第二接地电容；其中，第一接地电容、第二接地电容分别加载在谐振器的两侧；电容结构的两端分别与电感的两端电连接；电容结构可以空置，可以是交指电容，还可以是在交指电容中的任意间隙上加载有若干个集总电容。本发明创新性的在传统谐振器的两侧连接上接地电容，能够在几乎不增大谐振器尺寸的情况下，增大电路的等效对地电容值，达到谐振器小型化、提高阻带抑制的目的；该谐振器可以通过改变电容器或电感的物理尺寸，可以在任意给定的频率上产生谐振，谐振频率处插入损耗小于1dB。
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公开(公告)号：CN113708038B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110966570.6
申请日：2021-08-23
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种高隔离的射频滤波功分器，涉及射频电路设计技术领域，射频滤波功分器设置在介质基板上，射频滤波功分器为轴对称结构，包括输入馈线、第一输出馈线、第二输出馈线、M个复数阻抗隔离元件、表面波屏蔽结构、第一滤波枝节和第二滤波枝节，第一滤波枝节和第二滤波枝节均分别包括N个谐振器。本发明在相邻滤波枝节之间加载了表面波屏蔽结构，在不增大结构尺寸的基础上，将输出端口之间的隔离度提升到45dB的以上；通过加载多个复数阻抗隔离元件，在工作频带内可以实现多个的输出端口之间吸收零点，进而展宽隔离度带宽，可以在整个工作频段内实现大于45dB的输出端口隔离度，远大于现有技术所实现的输出端口隔离度。
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公开(公告)号：CN110224022A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910504725.7
申请日：2019-06-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/24 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/739 , H01L29/788 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称范德华异质结构的场效应管，包括Si/SiO2基底，Si/SiO2基底上表面设有浮栅，所述浮栅上表面一侧设有栅极，另一侧设有二维材料制备的介电层，所述介电层上表面设有二维材料二硫化钼层，所述二硫化钼上表面一侧设有源极，另一侧设有二维材料二碲化钼层，所述二碲化钼上表面设有漏极；一种上述场效应管的制备方法，将浮栅层、介电层、MoS2和MoTe2逐层转移到基底上，再沉积金属电极。本发明所述场效应管显示较高的电流开关比和整流比。
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公开(公告)号：CN110174193A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910432744.3
申请日：2019-05-23
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种场效应管应变传感器，结构包括隔离层，设置于隔离层上表面的源区、第一沟道层、漏区，所述第一沟道层上表面中部设置栅极氧化层，两侧设置第二沟道层；所述栅极氧化层上设置有栅极，所述漏区一侧设置有漏极，所述源区的一侧设置有源极；所述第一沟道层为拓扑绝缘体，第二沟道层为磁性材料；所述栅极氧化层表面施加一向下的力；所述第二沟道层和向下的力形成FM-strained-FM结，所述FM-strained-FM结与第一沟道层形成FM-strained-FM-TI异质结。本发明的传感器实现了功耗的降低与狄拉克表面态的法布里-珀罗量子干涉领域的探测应用，对于低功率纳米级应变传感器非常实用。
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公开(公告)号：CN110137263A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910454186.0
申请日：2019-05-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/267 , H01L27/11521
Abstract: 本发明公开了一种基于黑磷-氮化硼-二硫化钼异质结构的浮栅场效应管，包括导电沟道、源区、漏区、栅区、栅极氧化层、浮栅、势垒层、源极、漏极、栅极；所述栅区、栅极氧化层、浮栅、势垒层、导电沟道依次叠加在一起，源区、漏区设置分别设置在导电沟道的左右两侧，栅区的底部设有栅极；所述浮栅、势垒层、导电沟道依次为二硫化钼、六方氮化硼、黑磷。本发明的浮栅场效应管具有显著的冗余比和耐久性能，可用于高性能的排版存储器和可重构逆变器逻辑电路，在完全基于二维原子晶体的存储器件中具有广阔的应用前景。
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