公开(公告)号：CN116693820A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310793367.2

申请日：2023-06-30

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张广维 ,  韩秋数 ,  朱金成 ,  郑硕 ,  高展 ,  史乐 ,  卞临沂 ,  凌海峰 ,  崔雅欣

IPC: C08G61/12 ,  H10K10/46 ,  H10K10/80 ,  H10K71/12 ,  H10K71/16 ,  H10K71/60 ,  H10K85/10

Abstract: 本发明公开了一种咔唑基聚合物及其制备方法、晶体管存储器及其制备方法。咔唑基聚合物的结构通式为：其中，n为1～100中的自然数，R1选自氢、苯基和烷基链中的任意一种；R2选自氢、具有1到8个碳原子的直链、具有1到8个碳原子的支链、具有1到8个碳原子的环状烷基链和具有1到8个碳原子的烷氧基中的任意一种；选自中的任意一种；选自中的任意一种。本发明提供的咔唑基聚合物分子具有多个活性位点，具有很好的拓展性，可对分子进行多种扩展，提供了一种探寻OFET存储器存在的存储机制与分子结构之间关系的有效途径；同时，咔唑基聚合物的合成方式简单，与COFs、MOFs相比，咔唑基聚合物材料可大面积溶液加工，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN116199707B

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202310209593.1

申请日：2023-03-07

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 卞临沂 ,  刘广毅 ,  张哲玮 ,  崇昊 ,  韩秋数 ,  周鑫阳 ,  朱金成 ,  解令海 ,  张广维

IPC: C07F7/08 ,  H10K85/40 ,  H10K71/16 ,  H10K71/40 ,  H10K10/46

Abstract: 本发明公开一类苯并二噻吩衍生物及其制备和应用，属于有机存储和信息技术领域。该类衍生物是在苯并二噻吩结构上键连接三异丙基乙炔基硅后制得，所得化合物具有大的共轭平面以及电荷云密度，且具有良好的π–π堆积性能，与三异丙基乙炔基硅结合可进一步抑制电荷泄漏，阻挡载流子的流失，从而可提高电荷的存储稳定性和耐受性，因而适于制备有机场效应晶体管存储器。本申请将该类苯并二噻吩衍生物作为OFET存储器的电荷俘获层，由于苯并二噻吩具有电荷俘获位点，所以当给器件施加电压，在电场的作用下，电子或者空穴从半导体层隧穿进入到存储层，就会更加容易被俘获，有助于提升器件的存储性能。

公开(公告)号：CN116655593A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310520492.6

申请日：2023-05-10

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张广维 ,  魏宁 ,  韩秋数 ,  朱金成 ,  史乐 ,  卞临沂 ,  凌海峰 ,  解令海 ,  黄维

IPC: C07D401/06 ,  H10K85/60 ,  H10K10/46

Abstract: 本发明公开了一种基于吖啶酮的有机存储材料、制备方法及其应用，属于有机存储材料技术领域。基于吖啶酮的有机存储材料的结构通式为：其中，n为1‑22，Ar为以下结构式中的任意一种：本发明采用简单、低成本的工艺手段制备有机存储材料，可充当存储器的电荷俘获层，能够将其应用于OFET存储器中，并且具有很好的存储容量和响应速度。

公开(公告)号：CN116199707A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202310209593.1

申请日：2023-03-07

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 卞临沂 ,  刘广毅 ,  张哲玮 ,  崇昊 ,  韩秋数 ,  周鑫阳 ,  朱金成 ,  解令海 ,  张广维

IPC: C07F7/08 ,  H10K85/40 ,  H10K71/16 ,  H10K71/40 ,  H10K10/46

Abstract: 本发明公开一类苯并二噻吩衍生物及其制备和应用，属于有机存储和信息技术领域。该类衍生物是在苯并二噻吩结构上键连接三异丙基乙炔基硅后制得，所得化合物具有大的共轭平面以及电荷云密度，且具有良好的π–π堆积性能，与三异丙基乙炔基硅结合可进一步抑制电荷泄漏，阻挡载流子的流失，从而可提高电荷的存储稳定性和耐受性，因而适于制备有机场效应晶体管存储器。本申请将该类苯并二噻吩衍生物作为OFET存储器的电荷俘获层，由于苯并二噻吩具有电荷俘获位点，所以当给器件施加电压，在电场的作用下，电子或者空穴从半导体层隧穿进入到存储层，就会更加容易被俘获，有助于提升器件的存储性能。