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公开(公告)号：CN111983533B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010764379.9
申请日：2020-08-02
Applicant: 南京大学 , 网络通信与安全紫金山实验室
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明公开了一种内置于多种低温平台的超导测试装置，包括样品固定器、顶盖、超导线圈、接线PCB板与线圈支架，所述超导线圈位于线圈支架的中部，所述样品固定器位于线圈支架的内部，所述接线PCB板位于样品固定器的一侧，所述顶盖位于样品固定器一侧。本装置通过内置制冷机内部的方式，适用于多种类型低温测试系统的测试装置，能够集成微波测试天线。本发明能够利用低温环境和超导线材减小线圈导线电阻，能够增大相同匝数的磁场大小。为了减小热辐射，顶盖可以密封测试内部样品台，减小外部环境噪声。密封可以减小热辐射，超导线圈在较小的电流下能够产生较大的磁场，该装置能够满足低温测试环境需求。
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公开(公告)号：CN112467022A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011326012.5
申请日：2020-11-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种铌基探针型SQUID电磁传感器及制备方法和应用，属于超导应用技术领域。本发明方法包括：使用石英针拉制器将外径1.0mm内径0.5mm的空心石英针拉伸至尖端直径约100nm；使用磁控溅射设备在针尖处生长50nm铌膜，将其表面完全包裹；使用电子束蒸发在石英针两侧生长两次铝膜作为掩膜，由于电子束蒸发设备属于点源溅射，其具有良好的各向异性，两次生长的铝膜不会互相接触短路，会在中间形成两条狭缝，再从顶端进行一次蒸镀，将顶端圆环处铌膜进行保护；使用反应离子刻蚀设备将未被铝膜保护的铌膜被去除，留下铌膜加铝膜的双层结构，即得所述铌基探针型SQUID电磁传感器，可用于检测高频电磁场。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111983533A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010764379.9
申请日：2020-08-02
Applicant: 南京大学 , 网络通信与安全紫金山实验室
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明公开了一种应用于多种低温平台的超导测试装置，包括样品固定器、顶盖、超导线圈、接线PCB板与线圈支架，所述超导线圈位于线圈支架的中部，所述样品固定器位于线圈支架的内部，所述接线PCB板位于样品固定器的一侧，所述接线PCB板的上端活动连接有顶盖，本装置适用与多种类型低温测试系统的测试装置，能够集成微波测试天线。本发明能够减小线圈导线电阻，能够增大相同匝数和电流下的磁场大小和均匀性，为了让磁场均匀能够施加在磁场，顶盖可以密封测试装置，密封可以隔离电磁辐射等，产生的磁场比较均匀，而且在较小的电流下，能够产生较大的磁场，能够满足低温测试环境需求。
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公开(公告)号：CN111912683B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202010761186.8
申请日：2020-07-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于PDMS的块材转移固定方法，具体步骤如下,打开二维转移平台，将平台加热装置温度设置在65度，并使平台的样品台温度维持在65度左右，提前配置好环氧树脂，将清洗干净的放在烘台上95度烘烤2分钟，然后放置在二维转移平台的样品台上，本发明的一种基于PDMS的块材转移固定方法，同时可以使单晶上表面不被环氧树脂覆盖，能够确保与PDMS接触的单晶面不会被环氧树脂覆盖，调节夹片台和样品台的平面的水平位置，使单晶表面与衬底表面平行,在制备电极时侧面固化的环氧树脂，阻挡电极短路单晶的不同层。
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公开(公告)号：CN111912683A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010761186.8
申请日：2020-07-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于PDMS的块材转移固定方法，具体步骤如下,打开二维转移平台，将平台加热装置温度设置在65度，并使平台的样品台温度维持在65度左右，提前配置好环氧树脂，将清洗干净的放在烘台上95度烘烤2分钟，然后放置在二维转移平台的样品台上，本发明的一种基于PDMS的块材转移固定方法，同时可以使单晶上表面不被环氧树脂覆盖，能够确保与PDMS接触的单晶面不会被环氧树脂覆盖，调节夹片台和样品台的平面的水平位置，使单晶表面与衬底表面平行,在制备电极时侧面固化的环氧树脂，阻挡电极短路单晶的不同层。
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公开(公告)号：CN111994867A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010764389.2
申请日：2020-08-02
Applicant: 南京大学 , 网络通信与安全紫金山实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于悬空掩模和生长薄膜法制备大面积可控纳米沟道的方法，准备一片450微米厚2英寸的单抛 硅片和一块有若干2微米宽度微桥结构的掩模版，在清洗后的硅片表面上首先旋涂一层LOR10B底层胶，在硅片上滴上LOR10B使胶能够完全覆盖在硅片上。本发明的一种基于悬空掩模和生长薄膜法制备大面积可控纳米沟道的方法，采用悬空掩模技术、角度蒸发生长薄膜法和反应离子刻蚀技术，制备出硅片上的纳米沟道；通过紫外曝光双层胶显影得到光刻胶悬空微桥，再通过电子束蒸发角度生长铝膜，得到铝膜的纳米间隙，最后使用铝薄膜作为掩模，通过反应离子刻蚀技术刻蚀硅片，去除铝膜后即可得到硅的纳米沟道，同时这种方法可以实现大规模量化生产，价格低廉。
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公开(公告)号：CN112467022B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202011326012.5
申请日：2020-11-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种铌基探针型SQUID电磁传感器及制备方法和应用，属于超导应用技术领域。本发明方法包括：使用石英针拉制器将外径1.0mm内径0.5mm的空心石英针拉伸至尖端直径约100nm；使用磁控溅射设备在针尖处生长50nm铌膜，将其表面完全包裹；使用电子束蒸发在石英针两侧生长两次铝膜作为掩膜，由于电子束蒸发设备属于点源溅射，其具有良好的各向异性，两次生长的铝膜不会互相接触短路，会在中间形成两条狭缝，再从顶端进行一次蒸镀，将顶端圆环处铌膜进行保护；使用反应离子刻蚀设备将未被铝膜保护的铌膜被去除，留下铌膜加铝膜的双层结构，即得所述铌基探针型SQUID电磁传感器，可用于检测高频电磁场。
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