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公开(公告)号：CN103866389B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201410052395.X
申请日：2014-02-17
Applicant: 南京大学昆山创新研究院 , 南京大学
CPC classification number: Y02E10/542
Abstract: 在碳纤维表面合成多孔单晶TiN纳米片结构阵列制备方法，包括以下两步骤：（1）钛酸四丁酯和氟钛酸铵均匀分散在质量百分比为18±2%的盐酸水溶液中；然后加入碳纤维，在170～200℃下进行18h～36h水热反应，在碳纤维表面合成单晶TiO2纳米片阵列，最后依次洗涤、干燥；（2）将生长在碳纤维表面单晶TiO2纳米片转化成多孔单晶TiN纳米片：将制备的样品放入管式炉内，氨气气氛中升温700～900℃，氨气的流量在100～250mL/min，时间为1～2h使TiO2完全氮化成TiN；所述氟钛酸铵：钛酸四丁酯：盐酸溶液的质量比为1:2:100-300。
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公开(公告)号：CN103866389A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410052395.X
申请日：2014-02-17
Applicant: 南京大学昆山创新研究院 , 南京大学
CPC classification number: Y02E10/542
Abstract: 在碳纤维表面合成多孔单晶TiN纳米片结构阵列制备方法，包括以下两步骤：（1）钛酸四丁酯和氟钛酸铵均匀分散在质量百分比为18±2%的盐酸水溶液中；然后加入碳纤维，在170～200℃下进行18h～36h水热反应，在碳纤维表面合成单晶TiO2纳米片阵列，最后依次洗涤、干燥；（2）将生长在碳纤维表面单晶TiO2纳米片转化成多孔单晶TiN纳米片：将制备的样品放入管式炉内，氨气气氛中升温700～900℃，氨气的流量在100～250mL/min，时间为1～2h使TiO2完全氮化成TiN；所述氟钛酸铵：钛酸四丁酯：盐酸溶液的质量比为1:2:100-300。
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公开(公告)号：CN101174673A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710131465.0
申请日：2007-08-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于硫化亚铜(Cu2S)和酞菁铜(Cu－Pc)的双层薄膜非挥发性记忆器件的制备。该器件总共包含五层结构，在镀有铂金电极(2)的基底(1)表面溅射一层绝缘阻隔层(3)，并通过FIB工艺刻蚀圆孔，在绝缘层表面沉积一层酞菁铜(Cu－Pc)，随后溅射沉积一层硫化亚铜(Cu2S)，接着在其表面沉积一层铜电极(5)，最后分别从电极引出导线(6)。该方法提供了一种新型有机记忆存储器件制备途径，具有工作电压低，体积小，成本低，非挥发，读写高低阻态高等优点。
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公开(公告)号：CN118971946A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411399670.5
申请日：2024-10-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多目标强化学习的空间自适应传输方法及系统，属于空间通信技术领域。系统由链路状态监测模块、性能评估模块、链路状态预测模块、强化学习代理模块、参数调整模块、传输执行模块和数据存储模块组成，其中的强化学习代理模块作为核心决策单元，根据链路状态和性能评估结果输出最优传输参数配置；传输方法包括强化学习模型构建与训练、实时链路状态监测、未来链路状态预测、性能评估、强化学习做出决策、动态参数调整和传输执行等步骤。本发明通过多目标强化学习实现了DTN协议在复杂空间通信环境中的智能化自适应，显著提高传输效率、可靠性和资源利用率，适用于各种空间通信场景，为未来空间通信系统设计提供新的解决方案。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN101556986B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910027767.2
申请日：2009-05-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种多态阻变材料，可以兼具PCRAM和RRAM两种存储器的性能，既可在非晶态-结晶态转变从而实现电阻改变，又可在稳定的结晶形态下实现金属纳米丝形成与瓦解导致的电阻改变，从而可以应用于多态阻变存储器制造。本发明还涉及用所述多态阻变材料制得的薄膜。本发明还涉及用上述薄膜制得的多态阻变存储元件。本发明还涉及上述多态阻变存储元件在存储装置中的应用。所述多态阻变材料的化学式为AgxGeyTez，其中5＜x＜15，10＜y＜25，z＝100-x-y，所述多态阻变材料的熔点为330-400℃，结晶温度为180-280℃。发明可以应用于多态阻变存储器制造，大大增加存储器的存储密度。
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公开(公告)号：CN101222019A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710025371.5
申请日：2007-07-26
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种新型记忆材料，非晶固体电解质薄膜(AgI)x(AgPO3)1－x，使用其制备非挥发性记忆器件，可用于信息存储和其它种类的集成电路中。非晶固体电解质薄膜(AgI)x(AgPO3)1－x有如下特点：其本身是一种固体电解质薄膜材料，具有离子导电性，在一定条件下可以可逆地转变为电子导电性，在室温下，其结构为非晶态，可使用其制备小尺寸、高密度、性能稳定的非挥发性记忆器件。本发明提供了一种非晶固体电解质薄膜(AgI)x(AgPO3)1－x的制备方法，该方法包括：使用合适配比的AgI、AgNO3、(NH4)2HPO4熔化后制成玻璃靶材，然后使用激光脉冲沉积方法制备非晶固体电解质薄膜。
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公开(公告)号：CN118971946B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411399670.5
申请日：2024-10-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多目标强化学习的空间自适应传输方法及系统，属于空间通信技术领域。系统由链路状态监测模块、性能评估模块、链路状态预测模块、强化学习代理模块、参数调整模块、传输执行模块和数据存储模块组成，其中的强化学习代理模块作为核心决策单元，根据链路状态和性能评估结果输出最优传输参数配置；传输方法包括强化学习模型构建与训练、实时链路状态监测、未来链路状态预测、性能评估、强化学习做出决策、动态参数调整和传输执行等步骤。本发明通过多目标强化学习实现了DTN协议在复杂空间通信环境中的智能化自适应，显著提高传输效率、可靠性和资源利用率，适用于各种空间通信场景，为未来空间通信系统设计提供新的解决方案。
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公开(公告)号：CN101556986A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910027767.2
申请日：2009-05-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种多态阻变材料，可以兼具PCRAM和RRAM两种存储器的性能，既可在非晶态－结晶态转变从而实现电阻改变，又可在稳定的结晶形态下实现金属纳米丝形成与瓦解导致的电阻改变，从而可以应用于多态阻变存储器制造。本发明还涉及用所述多态阻变材料制得的薄膜。本发明还涉及用上述薄膜制得的多态阻变存储元件。本发明还涉及上述多态阻变存储元件在存储装置中的应用。所述多态阻变材料的化学式为AgxGeyTez，其中5＜x＜15，10＜y＜25，z＝100－x－y，所述多态阻变材料的熔点为330－400℃，结晶温度为180－280℃。本发明可以应用于多态阻变存储器制造，大大增加存储器的存储密度。
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