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公开(公告)号：CN101174673A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710131465.0
申请日：2007-08-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于硫化亚铜(Cu2S)和酞菁铜(Cu－Pc)的双层薄膜非挥发性记忆器件的制备。该器件总共包含五层结构，在镀有铂金电极(2)的基底(1)表面溅射一层绝缘阻隔层(3)，并通过FIB工艺刻蚀圆孔，在绝缘层表面沉积一层酞菁铜(Cu－Pc)，随后溅射沉积一层硫化亚铜(Cu2S)，接着在其表面沉积一层铜电极(5)，最后分别从电极引出导线(6)。该方法提供了一种新型有机记忆存储器件制备途径，具有工作电压低，体积小，成本低，非挥发，读写高低阻态高等优点。
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