公开(公告)号：CN105702856A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201410693761.X

申请日：2014-11-26

Applicant: 华为技术有限公司 ,  南京大学

Inventor： 夏奕东 ,  许含霓 ,  黄文龙 ,  朱冠宇 ,  罗彩珠

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供了一种基于有机铁电薄膜材料的忆阻器器件，包括柔性衬底、形成在所述柔性衬底上的底电极、形成在所述底电极之上的有机铁电薄膜层、以及形成在所述有机铁电薄膜层之上的上电极，其中，所述有机铁电薄膜层的材料为偏氟乙烯基铁电聚合物。该忆阻器器件能实现多态存储，具备忆阻性能，且具有良好的与电子皮肤兼容的力学性能，能模拟生物神经突触的功能，此外还具有体积小、结构简单、成本低、非易失性、可快速读写等优点，为未来制备轻量化、柔性化、集成化的人工认知设备提供了可能。本发明还提供了该基于有机铁电薄膜材料的忆阻器器件的制备方法。

公开(公告)号：CN101556986B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200910027767.2

申请日：2009-05-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 许含霓 ,  刘治国 ,  夏奕东 ,  殷江 ,  陈亮

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  C23C14/22 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明涉及一种多态阻变材料，可以兼具PCRAM和RRAM两种存储器的性能，既可在非晶态-结晶态转变从而实现电阻改变，又可在稳定的结晶形态下实现金属纳米丝形成与瓦解导致的电阻改变，从而可以应用于多态阻变存储器制造。本发明还涉及用所述多态阻变材料制得的薄膜。本发明还涉及用上述薄膜制得的多态阻变存储元件。本发明还涉及上述多态阻变存储元件在存储装置中的应用。所述多态阻变材料的化学式为AgxGeyTez，其中5＜x＜15，10＜y＜25，z＝100-x-y，所述多态阻变材料的熔点为330-400℃，结晶温度为180-280℃。发明可以应用于多态阻变存储器制造，大大增加存储器的存储密度。

公开(公告)号：CN101556986A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910027767.2

申请日：2009-05-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 许含霓 ,  刘治国 ,  夏奕东 ,  殷江 ,  陈亮

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  C23C14/22 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明涉及一种多态阻变材料，可以兼具PCRAM和RRAM两种存储器的性能，既可在非晶态－结晶态转变从而实现电阻改变，又可在稳定的结晶形态下实现金属纳米丝形成与瓦解导致的电阻改变，从而可以应用于多态阻变存储器制造。本发明还涉及用所述多态阻变材料制得的薄膜。本发明还涉及用上述薄膜制得的多态阻变存储元件。本发明还涉及上述多态阻变存储元件在存储装置中的应用。所述多态阻变材料的化学式为AgxGeyTez，其中5＜x＜15，10＜y＜25，z＝100－x－y，所述多态阻变材料的熔点为330－400℃，结晶温度为180－280℃。本发明可以应用于多态阻变存储器制造，大大增加存储器的存储密度。