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公开(公告)号:CN1482274A
公开(公告)日:2004-03-17
申请号:CN03132208.5
申请日:2003-07-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化镁单晶基片上的氮化铝薄膜及其制备方法,采用射频磁控溅射方法在衬底不加热的情况下,在氧化镁单晶基片上生长氮化铝薄膜,该薄膜和单晶基片衬底间晶格匹配良好,薄膜质量高。本发明广泛应用于微电子和超导电子领域中的高温、高频、大功率和短波长光电器件、压力传感器和热辐射传感器、高频声表面波器件以及电子器件的绝缘层和钝化层的制备和研究。
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公开(公告)号:CN102747155A
公开(公告)日:2012-10-24
申请号:CN201210235805.5
申请日:2012-07-09
Applicant: 南京大学
Inventor: 程树培 , 张宴 , 吴兵 , 陈亚军 , 张徐祥 , 李梅 , 崔益斌 , 李爱民 , 顾继东 , 福得 , 史薇 , 韦斯 , 刘苏 , 尹金宝 , 施鹏 , 赵福正 , 黄开龙 , 张宗尧 , 贾舒宇 , 王铸
IPC: C12Q1/68
Abstract: 毒理基因组学指数(crTGI)预警饮用水源水致癌风险的方法,步骤如下:(1)应用基因芯片,检测水源水对小鼠的涉癌毒理基因组学指数(crTGIs),指示水样中所有污染物潜在的致癌毒性;(2)以强致癌污染物苯并芘(BaP)为阳性毒性对照,将水源水涉癌毒理基因组学指数(crTGIs)数值,转化为BaP毒性的当量浓度;根据美国EPA控制BaP对人体致癌风险的标准阈值浓度,评价水源水BaP当量浓度的致癌风险度。
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公开(公告)号:CN1202281C
公开(公告)日:2005-05-18
申请号:CN03132208.5
申请日:2003-07-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化镁单晶基片上的氮化铝薄膜及其制备方法,采用射频磁控溅射方法在衬底台不加热的情况下,在氧化镁单晶基片上生长氮化铝薄膜,该薄膜和氧化镁单晶基片衬底间晶格匹配良好,薄膜质量高。本发明广泛应用于微电子和超导电子领域中的高温、高频、大功率和短波长光电器件、压力传感器和热辐射传感器、高频声表面波器件以及电子器件的绝缘层和钝化层的制备和研究。
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