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公开(公告)号：CN119787094A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510271896.5
申请日：2025-03-10
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种紧凑型功率均衡多波长激光器装置及其制作方法，装置包括多通道DFB激光器阵列、多个二级SOA、三级Y合波器和一级SOA；DFB激光器阵列的光栅为在激光器腔体内周期渐变的多段光栅单元；在各段之间引入等效π相移，以实现精确的波长间隔控制和稳定的单模输出。装置由n型InP衬底及缓冲层、n型InAlGaAs下限制层及多量子阱层、p型InGaAsP上限制层及光栅层、p型InP包层、p型InGaAsP过渡层和p型InGaAs接触层叠设而成。本发明通过调整二级SOA和DFB激光器的工作电流，实现紧凑结构下的多波长激光同时输出，具有波长间隔均匀、功率均衡和单模稳定性高的优点。
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公开(公告)号：CN118315921A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410431742.3
申请日：2024-04-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01S5/02345 , H01S5/02251 , H01S5/14 , H01S5/06 , H01S5/12 , H01S5/40
Abstract: 本发明公开了一种基于光子引线键合技术的可调谐光发射芯片及制备方法，包括可调谐激光器、外调制器和光纤阵列，可调谐激光器为由若干个激光器组成的矩阵式多波长分布式反馈激光器阵列，通过若干波导将多个激光器连成阵列，其中波长相近的激光器分布在不同的波导上，各波导的光波输出端级联耦合；可调谐激光器与外调制器之间、外调制器与光纤阵列之间均为通过光子引线键合技术进行耦合连接。本发明通过光子引线键合技术使可调谐激光器、调制器与光纤阵列之间高效耦合，并根据激光器的波长形成阵列排布，降低光栅之间的串扰，实现稳定的单模工作。
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公开(公告)号：CN117394130A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311347254.6
申请日：2023-10-18
Applicant: 南京大学
IPC: H01S5/024 , H01S5/10 , H01S5/065 , H01S5/0237 , H01S5/0234 , H01S5/40 , H01S5/042
Abstract: 本发明公开了一种采用倒装焊的多波长阵列激光器装置及其制备方法，包括由下至上依次叠设的衬底、缓冲层、下限制层、多量子阱层、上限制层、光栅层、InP缓冲层、腐蚀阻挡层、波导层和接触层；其中光栅层由激光器光栅构成，采用基于重构等效啁啾技术的非对称等效相移的光栅结构，激光器腔面两端分别采用HR镀膜、AR镀膜，将光栅等效相移位置于HR镀膜端面1/5腔长处，且激光器光栅具有光栅周期线性渐变；本发明的激光器倒装焊在特殊制作的过渡热沉上。本发明能改善多波长半导体激光器阵列的散热性能，降低激光器芯片的温升。本发明具有多通道阵列同时出光、结温低、输出光功率高、结构简单、集成度高等特性。
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公开(公告)号：CN104084209A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410347063.4
申请日：2014-07-18
Applicant: 南京大学
IPC: B01J23/755 , C07C29/145 , C07C31/10
Abstract: 本发明涉及一种MgO担载的高活性镍催化剂的制备方法及其用于丙酮加氢制备异丙醇的方法。制备的MgO担载的高活性镍催化剂加氢活性高、异丙醇选择性高，副反应少。
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公开(公告)号：CN101927166A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010235087.2
申请日：2010-07-23
Applicant: 南京大学
IPC: B01J23/755 , B01J21/18 , C07C67/303 , C07C69/75
Abstract: 一种载体含碳的担载型镍催化剂，其通式为aNi/b(MOx)c(NOy)dC，其中M＝Si、Al或Mg，N＝Al或Mg，式中a、b、c和d为相应组成的质量含量份数，a＝40-80，b＝0-55，c＝0-55，d＝2-10，x和y为所用载体元素的氧化数值。本发明的催化剂活性表面积高，能在较低温度和氢气压力下催化邻苯二甲酸二元酯加氢成邻环己烷二甲酸二元酯，邻苯二甲酸二元酯的转化率和邻环己烷二甲酸二元酯的选择性都在95％以上。本发明公开了其制法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103413807B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310299076.4
申请日：2013-07-15
Applicant: 常州子睦半导体有限公司 , 南京大学
IPC: H01L27/02 , H01L27/06 , H01L21/8222
Abstract: 本发明提供一种单向低电容瞬态电压抑制器及其制作工艺，其中该抑制器包括P+半导体衬底，位于P+衬底上的P-外延层，所述的P-外延层上从左到右依次设有第一N阱，第一P+有源注入区，第二N阱，第一P阱；所述的第一N阱和第二N阱上分别设有第一N+有源注入区和第二N+有源注入区；所述的第一P阱上设有第一N-有源注入区和第二P+有源注入区；所述的第一N-有源注入区上设有第三P+有源注入区；所述的第二N+和第三P+有源注入区、第一N+第一P+及第二P+有源注入区分别通过金属连接并引出。本发明的技术方案可在被保护器件的正常工作电压下，不会影响数据的高速传送，保证了大电流的泄放能力，而且具有更好地电流泄放能力。
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公开(公告)号：CN119923190A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510053157.9
申请日：2025-01-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种约瑟夫森参量放大器及其制备方法，包括于衬底表面制备底层超导薄膜，于底层超导薄膜上制备底层超导电路结构，约瑟夫森结区域生长底层铝薄膜，作为约瑟夫森结的下极板；于底层超导电路结构上制备上层超导电路结构；送入氧化腔室，于受控氧化环境中进行氧化，在底层铝薄膜表面得到相应的氧化层；经氧化处理后，在上层超导电路结构上的蒸镀上层铝薄膜，并剥离至预设尺寸，作为约瑟夫森结的上极板，上极板和下极板相交区域面积为35‑45平方微米，实现不需要独立电容的高性能宽带约瑟夫森参量放大器；提高约瑟夫森参量放大器的性能；同时，降低了工艺复杂度和对制备设备的要求，制备效率高、且极大地降低制备成本。
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公开(公告)号：CN103219381B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310015376.5
申请日：2013-01-16
Applicant: 南京大学 , 常州子睦半导体有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种锗基三栅器件及其制造方法，该锗基三栅器件主要包括四个功能层：绝缘层上的锗（GOI）基底、氧化锗过渡层、栅极介质层、栅电极层。其中经过臭氧后氧化工艺实现的高质量超薄氧化锗过渡层和经过臭氧后氧化改善的高质量栅极介质层是实现高性能的关键层，通过牺牲氧化工艺去除锗体表面质量较差（表面粗糙度大、杂质含量高）的锗是实现高性能的关键步骤。制造过程主要包括在绝缘层上的锗（GOI）基底上沉积并刻蚀制作各功能层。本发明具有较高的效率和较低的耗电量，且制造方法简单，适于广泛应用到实际生产中。
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公开(公告)号：CN119447995A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411549646.5
申请日：2024-11-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供一种基于非对称多量子阱技术的多通道光发射芯片阵列，其中，非对称多量子阱层由间隔分布的压应变InGaAlAs量子阱和拉应变InGaAlAs量子垒构成，压应变InGaAlAs量子阱的发光波长由上至下逐渐减小，形成非对称结构；光栅层为若干光栅组成的阵列结构，形成若干激光器单元，光栅层采用重构等效啁啾技术制作，依次通过全息光刻和紫外光刻在每个激光器单元制作光栅周期均匀的取样光栅结构，且取样光栅中心设置π相移。本发明还给出了上述多通道光发射芯片阵列的制备方法。本发明能够实现发射波长的精准控制，通过非对称结构的量子阱为每个激光器单元提供足够的增益，提高了单模良率和传输容量，简化了光栅的制备难度，满足新兴计算应用对互联网传输速率的需求。
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公开(公告)号：CN117060222A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311127856.0
申请日：2023-09-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供了一种半导体多波长激光器装置，激光器光栅结构采用线性渐变光栅结构，用于增加激光器的禁带宽度，整体激光器光栅结构等分为多段结构，所设计激光器的整体光栅在激光器的腔体内呈现渐变过程，周期渐变变化。通过控制整体光栅周期变化实现多波长激射波长及波长间隔。激光器在各段光栅之间引入相移，达到相位匹配，激光器存在多相移结构从而实现多波长激射输出。本发明半导体多波长激光器装置由下至上依次由衬底、缓冲层、下限制层、多量子阱层、上限制层、光栅层、腐蚀阻挡层、波导层和接触层叠设而成，其中，光栅层由激光器光栅构成。本发明具有单颗激光器多波长输出，结构简单，功耗低，集成度高的优点。
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