公开(公告)号：CN117394130A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311347254.6

申请日：2023-10-18

Applicant: 南京大学

Inventor： 赵杰 ,  孙振兴 ,  张悦 ,  杨子江 ,  马雨心 ,  肖如磊 ,  陈向飞

IPC: H01S5/024 ,  H01S5/10 ,  H01S5/065 ,  H01S5/0237 ,  H01S5/0234 ,  H01S5/40 ,  H01S5/042

Abstract: 本发明公开了一种采用倒装焊的多波长阵列激光器装置及其制备方法，包括由下至上依次叠设的衬底、缓冲层、下限制层、多量子阱层、上限制层、光栅层、InP缓冲层、腐蚀阻挡层、波导层和接触层；其中光栅层由激光器光栅构成，采用基于重构等效啁啾技术的非对称等效相移的光栅结构，激光器腔面两端分别采用HR镀膜、AR镀膜，将光栅等效相移位置于HR镀膜端面1/5腔长处，且激光器光栅具有光栅周期线性渐变；本发明的激光器倒装焊在特殊制作的过渡热沉上。本发明能改善多波长半导体激光器阵列的散热性能，降低激光器芯片的温升。本发明具有多通道阵列同时出光、结温低、输出光功率高、结构简单、集成度高等特性。

公开(公告)号：CN117420636A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311500246.0

申请日：2023-11-13

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 ,  南京大学

Inventor： 齐合飞 ,  陆骏 ,  李少波 ,  孙振兴 ,  马雨心 ,  马向

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/42 ,  G02B27/00

Abstract: 本发明公开了一种基于光子引线键合的微波信号时延器件，涉及微波光子技术和光子集成技术领域，通过对光载射频/微波信号的可控时延实现射频/微波的相位控制。产生时延的核心部分是光程长度不等的时延波导阵列芯片，使用硅基光波导实现；加载有射频/微波信号的光载波通过1×N光开关(Optical Switch)选择进入对应的时延波导中，实现对信号产生特定时延；之后通过光电探测器(Photo Detector，PD)接收将光信号转换成微波信号输出。器件中，硅光延迟线和探测器都是单片集成阵列芯片的形式，使用光学引线键合(Photonic Wire Bonding，PWB)技术作为实现不同芯片之间光耦合的方法。

公开(公告)号：CN113851931A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202111092782.2

申请日：2021-09-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 施跃春 ,  马雨心 ,  陈向飞

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/34 ,  H01S5/12

Abstract: 本发明公开了一种基于取样光栅的单模大功率半导体激光器及其制备方法，半导体激光器由下至上包括衬底、缓冲层、下限制层、多量子阱、上限制层、光栅层、渐变掺杂层和盖帽层；半导体激光器的波导结构包括扇形区和单模波导区；扇形区和单模波导区分别具有独立的供电电极；扇形区具有啁啾光栅，单模波导区具有插入相移的均匀光栅；半导体激光器腔体的布拉格波长相同；波导结构的进光端面镀设高反膜，出光端面镀设增透膜。本发明的波导主要包括单模波导和扇形波导结构，单模波导上制作插入相移的均匀光栅，扇形波导上制作啁啾光栅，这两段波导上分别制作独立的电极，并独立供电，波导结构可以实现半导体激光器大功率输出与单模运转等特点。

公开(公告)号：CN113851931B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202111092782.2

申请日：2021-09-17

Applicant: 南京大学

Inventor： 施跃春 ,  马雨心 ,  陈向飞

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/34 ,  H01S5/12

Abstract: 本发明公开了一种基于取样光栅的单模大功率半导体激光器及其制备方法，半导体激光器由下至上包括衬底、缓冲层、下限制层、多量子阱、上限制层、光栅层、渐变掺杂层和盖帽层；半导体激光器的波导结构包括扇形区和单模波导区；扇形区和单模波导区分别具有独立的供电电极；扇形区具有啁啾光栅，单模波导区具有插入相移的均匀光栅；半导体激光器腔体的布拉格波长相同；波导结构的进光端面镀设高反膜，出光端面镀设增透膜。本发明的波导主要包括单模波导和扇形波导结构，单模波导上制作插入相移的均匀光栅，扇形波导上制作啁啾光栅，这两段波导上分别制作独立的电极，并独立供电，波导结构可以实现半导体激光器大功率输出与单模运转等特点。