公开(公告)号：CN119923190A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510053157.9

申请日：2025-01-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 赵杰 ,  孙宇霆 ,  于扬

IPC: H10N60/01 ,  H10N60/12 ,  H10N60/80

Abstract: 本发明公开了一种约瑟夫森参量放大器及其制备方法，包括于衬底表面制备底层超导薄膜，于底层超导薄膜上制备底层超导电路结构，约瑟夫森结区域生长底层铝薄膜，作为约瑟夫森结的下极板；于底层超导电路结构上制备上层超导电路结构；送入氧化腔室，于受控氧化环境中进行氧化，在底层铝薄膜表面得到相应的氧化层；经氧化处理后，在上层超导电路结构上的蒸镀上层铝薄膜，并剥离至预设尺寸，作为约瑟夫森结的上极板，上极板和下极板相交区域面积为35‑45平方微米，实现不需要独立电容的高性能宽带约瑟夫森参量放大器；提高约瑟夫森参量放大器的性能；同时，降低了工艺复杂度和对制备设备的要求，制备效率高、且极大地降低制备成本。

公开(公告)号：CN114200789A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202210017002.6

申请日：2022-01-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 赵杰 ,  孙宇霆 ,  于扬

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明公开了一种基于梯度曝光工艺制备空气桥的方法，包括：(1)在基片衬底上预制底层电路；(2)旋涂光刻胶，形成光刻胶层；(3)使用梯度曝光工艺对光刻胶进行曝光，空气桥桥墩部分的光刻胶完全曝透，桥面顶部曝光功率最弱，桥面整体进行阶梯欠曝光；(4)进行显影和定影，留下由光刻胶形成的阶梯拱形支撑；(5)去除基片桥墩部分金属表面的氧化膜，在整个基片上生长一层金属膜；(6)将芯片进行胶剥离而后即可得到空气桥。本发明操作简单、重复性好、性能稳定、且设计自由度大。