一种基于量子同步效应的量子探测方法

    公开(公告)号:CN118863084A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202410827936.5

    申请日:2024-06-25

    Applicant: 南京大学

    Inventor: 张汉宇 郑文 于扬

    Abstract: 本发明属于量子技术领域,涉及一种基于量子同步效应的量子探测方法,包括如下步骤:构建以最近邻方式耦合且满足海森堡各向同性耦合条件的环形结构的量子系统;构建所述量子系统的理想初态,并进行幺正演化,实现量子相位同步;利用量子相位同步后的量子系统集成探测仪,并对探测仪进行校准;利用校准后的探测仪对空间区域进行探测,获取量子环境的信息,并能确定目标量子比特的具体位置;本发明不仅能探测空间区域是否存在目标量子比特,而且能锁定目标量子比特的具体位置;通过增加量子系统中量子比特的数量来调整探测精度;探测仪与目标量子比特耦合后的反应时间最低能达到5ns;还能发现噪声来源,为量子系统规模化发展铺平了道路。

    一种制备悬浮式三维谐振腔量子比特的湿法刻蚀方法

    公开(公告)号:CN117529216A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202311610703.1

    申请日:2023-11-29

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种制备悬浮式三维谐振腔量子比特的湿法刻蚀方法,较于传统的三维谐振腔量子比特,本发明引入了一种创新的悬空三维谐振腔量子比特。在传统的三维腔量子比特中,为了提高金属‑基底界面的纯净度并减小表面介电损耗,通常采用氧等离子体清洗、酸洗等方法,然而这些方法对降低表面介电损耗的效果有限。相比之下,本发明中的悬空结构量子比特可以更显著地减少量子比特与底部基片之间的相互作用,从而降低表面介电损耗,进而提高了量子比特的相干时间。

    一种耐低温微波铁氧体环形器

    公开(公告)号:CN112713373B

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN201911020961.8

    申请日:2019-10-25

    Abstract: 本发明涉及一种耐低温微波铁氧体环形器,包括相对设置的上端盖和下端盖,在所述上端盖背对下端盖的一侧设置有第一凹槽,在朝向所述下端盖的一侧设置有第二凹槽,在所述下端盖朝向上端盖的一侧设置有第三凹槽,在背对上端盖的一侧设置有第四凹槽,在所述第一凹槽内设置有第一磁铁,在所述第二凹槽内设置有第一介质环和铁氧体,在所述第三凹槽内设置有第二介质环和铁氧体,在所述第四凹槽内设置有第四磁铁,在所述第一介质环和所述第二介质环之间设置有内导体。该环形器通过在端盖两侧设置凹槽并将磁铁和铁氧体置于两侧的凹槽中,然后在两铁氧体之间设置内导体,缩短内导体输出段的几何长度,进而减少器件体积。通过采用夹杂特殊材料的铁氧体,使器件能够工作在‑270度的极限低温环境中。

    一种用于蓝宝石基底镀铝膜的量子芯片的湿法刻蚀方法

    公开(公告)号:CN113215574A

    公开(公告)日:2021-08-06

    申请号:CN202110133690.8

    申请日:2021-02-01

    Applicant: 南京大学

    Inventor: 于扬 宋树清 兰栋

    Abstract: 本发明涉及一种用于蓝宝石基底镀铝膜量子芯片制备的湿法刻蚀方法。以蓝宝石作为衬底,清洗抛光的衬底表面;在抛光的衬底表面镀铝膜,在铝膜表面涂敷光刻胶,经曝光、显影获得有图形的掩膜芯片;将坚膜后的掩膜芯片在四甲基氢氧化铵中进行刻蚀去除与图形对应的铝膜;去除剩余全部光刻胶,获得量子芯片;其中,使用四甲基氢氧化铵刻蚀与图形对应的铝膜时,分多次进行刻蚀,每次刻蚀时间不超过1分钟,待溶解的光刻胶边缘凝固后再进行下一次刻蚀,直到铝膜被刻蚀干净。本发明不会引入额外的离子污染,节约了微波谐振腔的制备成本。

    RSA公钥分解和解密方法及系统

    公开(公告)号:CN109450634B

    公开(公告)日:2020-03-31

    申请号:CN201811213095.X

    申请日:2018-10-18

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种RSA公钥分解和解密方法及系统,其中,RSA公钥分解方法包括:(1)获取RSA公钥n;(2)获取一个小于等于n/3的质因子对 ,并根据该质因子对 和公钥n形成对应的二维厄密矩阵,同时控制量子系统的外加电磁场,使量子系统的哈密顿量为该二维厄密矩阵,并测量量子系统能谱看该二维厄密矩阵的本征值是否在x=0处,如果不在,则对其他质因子对 进行判断,如果在,则判定该质因子对 为对RSA公钥n进行分解后得到的两个质因子,进行输出。本发明计算时间少,所需存储比特数少,算法效率高,稳定性好。

    一种用于蓝宝石基底镀铝膜的量子芯片的湿法刻蚀方法

    公开(公告)号:CN113215574B

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202110133690.8

    申请日:2021-02-01

    Applicant: 南京大学

    Inventor: 于扬 宋树清 兰栋

    Abstract: 本发明涉及一种用于蓝宝石基底镀铝膜量子芯片制备的湿法刻蚀方法。以蓝宝石作为衬底,清洗抛光的衬底表面;在抛光的衬底表面镀铝膜,在铝膜表面涂敷光刻胶,经曝光、显影获得有图形的掩膜芯片;将坚膜后的掩膜芯片在四甲基氢氧化铵中进行刻蚀去除与图形对应的铝膜;去除剩余全部光刻胶,获得量子芯片;其中,使用四甲基氢氧化铵刻蚀与图形对应的铝膜时,分多次进行刻蚀,每次刻蚀时间不超过1分钟,待溶解的光刻胶边缘凝固后再进行下一次刻蚀,直到铝膜被刻蚀干净。本发明不会引入额外的离子污染,节约了微波谐振腔的制备成本。

    一种二维量子比特阵列耦合强度的相位校准方法

    公开(公告)号:CN118133982B

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202311592037.3

    申请日:2023-11-27

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明涉及一种二维量子比特阵列耦合强度的相位的校准方法,该方法通过对所有相邻量子比特之间的可调耦合器施加直流偏置信号,再通过施加额外的参数调制波形,且该参数调制波形已经单独校准过频率与幅值、探测微波和读出微波信号,测量量子比特系统有效的能谱结构,随后再施加新的改变过的参数调制相位的磁通控制信号,继续测量对应的能谱结构,最终得到该阵列单边耦合强度的相位与系统能谱结构的对应图像,进而根据所需的能谱结构找到对应的补偿相位;本发明只需测量能谱信息,对读取保真度的要求低;不需要测量动力学信息,对微波驱动串扰要求不高,探测微波可以从量子比特的驱动线或传输线施加,对不同样品适用性更广;不需通过量子态层析等间接手段测量相位,易于实现。

    一种二维量子比特阵列耦合强度的相位校准方法

    公开(公告)号:CN118133982A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202311592037.3

    申请日:2023-11-27

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明涉及一种二维量子比特阵列耦合强度的相位的校准方法,该方法通过对所有相邻量子比特之间的可调耦合器施加直流偏置信号,再通过施加额外的参数调制波形,且该参数调制波形已经单独校准过频率与幅值、探测微波和读出微波信号,测量量子比特系统有效的能谱结构,随后再施加新的改变过的参数调制相位的磁通控制信号,继续测量对应的能谱结构,最终得到该阵列单边耦合强度的相位与系统能谱结构的对应图像,进而根据所需的能谱结构找到对应的补偿相位;本发明只需测量能谱信息,对读取保真度的要求低;不需要测量动力学信息,对微波驱动串扰要求不高,探测微波可以从量子比特的驱动线或传输线施加,对不同样品适用性更广;不需通过量子态层析等间接手段测量相位,易于实现。

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