公开(公告)号：CN119779496A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202510047572.3

申请日：2025-01-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈健 ,  姚诗熠 ,  石粒力 ,  苏润丰 ,  迟天圆 ,  谭睿 ,  朱雨微 ,  陈俊桦 ,  臧思鸣 ,  吴敬波 ,  涂学凑 ,  贾小氢 ,  王华兵 ,  金飚兵 ,  吴培亨

IPC: G01J11/00

Abstract: 本发明公开了一种太赫兹单光子探测单元及阵列式探测装置，所述太赫兹单光子探测单元包括谐振器、超导隧道结和太赫兹光子吸收器，谐振器与太赫兹光子吸收器之间通过栅极电容器和超导隧道结连接；谐振器包括圆螺旋电感和叉指电容，圆螺旋电感的外周圈延伸处引出圆螺旋电感连接部，与叉指电容的顶部连接。本发明采用了圆螺旋电感结构，有效提高了谐振器的品质因子，增强了探测器对引起相位移动信号的灵敏度。阵列式探测装置包括若干个谐振频率不同的探测单元，探测单元信号耦合至一条中心馈线，读出系统简单。本发明的太赫兹阵列式探测装置可实现宽频带范围的太赫兹探测；探测灵敏度极高，能够进行太赫兹单光子的探测与计数。

公开(公告)号：CN116526092A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202211488028.5

申请日：2022-11-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈健 ,  迟天圆 ,  石粒力 ,  吴敬波 ,  范克彬 ,  苏润丰 ,  涂学凑 ,  张彩虹 ,  金飙兵 ,  吴培亨

IPC: H01P1/20 ,  H01P11/00 ,  H01Q15/00

Abstract: 本发明公开了一种窄带太赫兹带通滤波器及其制备方法，所述滤波器由铝箔纸组成，铝箔纸上有重复结构单元，结构单元由三条槽孔组成，呈“Y”型，结构单元之间的距离为100‑200μm，槽孔的宽度为20‑70μm，长度为30‑80μm；制备方法为：(1)将铝箔纸的下表面粘接于衬底上，再在其上表面涂覆光刻胶，再进行加热固化；(2)再对加热固化后的铝箔纸进行曝光，将光掩模板置于铝箔纸上表面的光刻胶上；(3)采用显影液对曝光后的光刻胶进行显影；(4)将显影后的铝箔纸置于弱碱性溶液中进行刻蚀；(5)将经刻蚀处理后的铝箔纸下表面上的衬底进行剥离处理，即得太赫兹带通滤波器。相较于现有技术，本发明太赫兹带通滤波器具有成本低、制备工艺简单且损耗少的优势。

公开(公告)号：CN119392171A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411576522.6

申请日：2024-11-06

Applicant: 合肥国家实验室 ,  南京大学

Inventor： 孙国柱 ,  周顺宏 ,  麻华世 ,  曹春海 ,  石粒力 ,  许问渠 ,  张凯旋 ,  左权 ,  李柄霖 ,  张俊洲 ,  于永洋 ,  吴培亨

IPC: C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23F4/00 ,  C23F1/02 ,  C23C22/54 ,  C23G1/10

Abstract: 本发明提供一种室温高质量无缓冲层生长α相钽膜的制备方法，将衬底装载到进样腔室，并抽真空至6e‑8Torr以下；将衬底传输至镀膜腔室，衬底与钽靶材相对设置，且衬底法线与钽靶材所在平面法线夹角为0°，调节衬底样品与钽靶材保持在预定的间距，并将镀膜腔室的真空抽至5e‑10Torr以下；在真空环境中预通入惰性气体，使腔室达到并维持在预定的气压；输出特定功率进行溅射镀膜，溅射完预定的溅射时间后，停止功率输出及惰性气体输入；将镀有α相钽膜的衬底由镀膜腔室传回进样腔室，使用氮气或氩气破真空取出。本发明提出一种由制备得到的钽膜来制备高品质因数谐振器量子器件的工艺流程。本发明提高了良品率，提升了器件性能，具有广泛的应用领域，包括但不限于量子计算等领域。

公开(公告)号：CN119178508A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202411313938.9

申请日：2024-09-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈健 ,  迟天圆 ,  吴敬波 ,  石粒力 ,  苏润丰 ,  谭睿 ,  臧思鸣 ,  涂学凑 ,  金飚兵

IPC: G01J1/42 ,  H01P3/08 ,  H01P7/08 ,  H01P11/00 ,  H10N60/80 ,  H10N60/01

Abstract: 本发明公开了一种高灵敏度高稳定性的超导动态电感探测器及制备方法，包括：硅基板以及制作在硅基板上表面的共面波导传输线和混合结构超导微波谐振器，混合结构超导微波谐振器由并联的双螺旋形电感和叉指电容组成，双螺旋形电感采用β‑Ta薄膜制备，叉指电容采用α‑Ta薄膜制备。本发明提出的混合结构利用了α‑Ta低损耗以及β‑Ta动态电感系数较大的特点，极大提高动态电感探测器的灵敏度，同时Ta具有良好的温度稳定性，在多次冷热循环后依然具有良好的探测性能；探测器的灵敏度一般用噪声等效功率来描述，噪声等效功率越小灵敏度越高，探测器噪声等效功率低至8×10‑19W/Hz1/2，且经历了多次温度循环后依然具有极高的灵敏度。

公开(公告)号：CN119394448A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411536122.2

申请日：2024-10-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈健 ,  迟天圆 ,  吴敬波 ,  石粒力 ,  苏润丰 ,  涂学凑 ,  金飚兵

IPC: G01J5/53

Abstract: 本发明公开了一种低温黑体源辐射功率校准方法，包括如下步骤：搭建低温测试系统，对低温黑体源辐射功率进行校准；改变超导动态电感探测器的浴温，测试不同浴温下超导动态电感探测器的响应曲线，并提取响应幅值；计算对应超导动态电感探测器浴温下准粒子数量；将响应幅值与准粒子数量拟合得到超导动态电感探测器准粒子数关于响应幅值的函数；将探测器浴温降到低于100mK，低温黑体源温度降低到低于4K，改变低温黑体源温度，测试不同黑体源温度下超导动态电感探测器的曲线，并提取幅值；计算得到对应的准粒子数量；由准粒子数量计算低温黑体源辐射功率；计算低温黑体源的辐射效率。本发明能够解决极低温下黑体源太赫兹辐射功率无法校准的问题。

公开(公告)号：CN117979815A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410167219.4

申请日：2024-02-06

Applicant: 南京大学 ,  合肥国家实验室

Inventor： 孙国柱 ,  郭婷婷 ,  李子硕 ,  石粒力 ,  江俊良 ,  盛怡凡 ,  许问渠 ,  魏兴雨 ,  景凌啸 ,  曹春海 ,  吴培亨

IPC: H10N60/12 ,  H10N60/80 ,  H10N60/85 ,  H10N60/82 ,  H10N60/01 ,  G06N10/20

Abstract: 本发明公开了一种基于铌膜缓冲层的α相钽膜超导量子比特，包括传输线、四分之一波长读出谐振器、超导量子比特，其中：四分之一波长读出谐振器一端与传输线耦合，另一端与超导量子比特耦合；超导量子比特由两个电容极板和约瑟夫森结构成；通过磁控溅射设备，在蓝宝石基底上常温生长铌膜作为缓冲层，紧接着在已有缓冲层铌膜的蓝宝石基底上继续常温生长钽膜，得到有铌膜缓冲层的α相钽膜；传输线、四分之一波长读出谐振器、超导量子比特的两个电容极板光刻在有铌膜缓冲层的α相钽膜上。本发明有效降低了超导量子比特制备成本，缩短了制备周期，提高了良品率，提升了超导量子比特性能，具有广泛的应用领域，包括但不限于量子计算、量子通信等。

公开(公告)号：CN216624848U

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202122512493.5

申请日：2021-10-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈健 ,  姚柏志 ,  石粒力 ,  吴曼瑾 ,  苏润丰 ,  吴敬波 ,  金飚兵 ,  吴培亨

IPC: H01S1/00 ,  G01J3/42 ,  G01J3/10 ,  G01N21/3586 ,  G01N21/01

Abstract: 本实用新型公开了一种太赫兹辐射源，包括设置在低温仓内辐射体、辐射体温度微调系统、低温维持系统和导光系统。低温仓上设置有辐射口。辐射体设有圆锥腔。圆锥腔的腔壁设有吸收涂层，锥底设有开口。辐射体温度微调系统至少包括设置在辐射体上的加热器和温度传感器，用于对辐射体的温度进行调节。低温维持系统包括有若干制冷盘，用于使得低温仓维持在低温状态。导光系统设置于开口和辐射口之间，包括若干太赫兹滤波器和若干遮光管。本实用新型的太赫兹辐射源尺寸小，能够设置在稀释制冷机内，特别地，可以直接和太赫兹探测器放入同一个稀释制冷机内进行实验。