基于铌膜缓冲层的α相钽膜超导量子比特

    公开(公告)号:CN117979815A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202410167219.4

    申请日:2024-02-06

    Abstract: 本发明公开了一种基于铌膜缓冲层的α相钽膜超导量子比特,包括传输线、四分之一波长读出谐振器、超导量子比特,其中:四分之一波长读出谐振器一端与传输线耦合,另一端与超导量子比特耦合;超导量子比特由两个电容极板和约瑟夫森结构成;通过磁控溅射设备,在蓝宝石基底上常温生长铌膜作为缓冲层,紧接着在已有缓冲层铌膜的蓝宝石基底上继续常温生长钽膜,得到有铌膜缓冲层的α相钽膜;传输线、四分之一波长读出谐振器、超导量子比特的两个电容极板光刻在有铌膜缓冲层的α相钽膜上。本发明有效降低了超导量子比特制备成本,缩短了制备周期,提高了良品率,提升了超导量子比特性能,具有广泛的应用领域,包括但不限于量子计算、量子通信等。

    用于电路连接的多形貌三折空气桥的制作方法

    公开(公告)号:CN117832166A

    公开(公告)日:2024-04-05

    申请号:CN202311538767.5

    申请日:2023-11-17

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种用于电路连接的多形貌三折空气桥的制作方法,在衬底上旋涂光刻胶;进行灰度曝光,桥墩部分曝光剂量最大,桥面上升部分曝光剂量按照预设曲线变化,桥面水平部分与空气桥外侧不进行曝光;曝光显影完成,镀上导电层后按照设计的保护层版图进行保护层曝光,保护层的版图可以根据需要设计成十字型,Y型等等,设计水平桥面和上升桥面的大小比例可以保证桥的结构的稳定,平行的桥面作为公用部分链接各个桥墩;曝光显影后利用刻蚀法去除不需要的导电材料:最后进行光刻胶的剥离达到需要的空气桥。本发明提高了空气桥版图设计的灵活性和实用性,使得空气桥的设计可以适配更多更复杂的电路结构。

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