公开(公告)号：CN119779496A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202510047572.3

申请日：2025-01-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈健 ,  姚诗熠 ,  石粒力 ,  苏润丰 ,  迟天圆 ,  谭睿 ,  朱雨微 ,  陈俊桦 ,  臧思鸣 ,  吴敬波 ,  涂学凑 ,  贾小氢 ,  王华兵 ,  金飚兵 ,  吴培亨

IPC: G01J11/00

Abstract: 本发明公开了一种太赫兹单光子探测单元及阵列式探测装置，所述太赫兹单光子探测单元包括谐振器、超导隧道结和太赫兹光子吸收器，谐振器与太赫兹光子吸收器之间通过栅极电容器和超导隧道结连接；谐振器包括圆螺旋电感和叉指电容，圆螺旋电感的外周圈延伸处引出圆螺旋电感连接部，与叉指电容的顶部连接。本发明采用了圆螺旋电感结构，有效提高了谐振器的品质因子，增强了探测器对引起相位移动信号的灵敏度。阵列式探测装置包括若干个谐振频率不同的探测单元，探测单元信号耦合至一条中心馈线，读出系统简单。本发明的太赫兹阵列式探测装置可实现宽频带范围的太赫兹探测；探测灵敏度极高，能够进行太赫兹单光子的探测与计数。

公开(公告)号：CN119584847A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411679199.5

申请日：2024-11-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈健 ,  陈俊桦 ,  苏润丰 ,  谭睿

IPC: H10N69/00 ,  G01R27/26 ,  H10N60/01

Abstract: 本发明公开了一种基于氮化硅薄膜的太赫兹超导动态电感探测器及制备方法，探测器包括：衬底，为上下表面均具有氮化硅薄膜的硅衬底；太赫兹超导动态电感探测器像素阵列；和衬底挖孔阵列，衬底挖孔阵列以太赫兹超导动态电感探测器像素阵列为基准，设于衬底下表面，通过除去硅衬底和硅衬底下表面的氮化硅薄膜得到，衬底挖孔阵列和太赫兹超导动态电感探测器像素阵列之间为硅衬底上表面的氮化硅薄膜。本发明探测器中太赫兹超导动态电感探测器像素阵列的各个单元的谐振频率各不相同，便于采用频分复用技术读出，太赫兹超导动态电感探测器像素阵列各个单元蜿蜒电感所在位置下方实现了衬底挖孔阵列，能够提高对光子的响应度，进而提高其探测灵敏度。