公开(公告)号：CN120018765A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510099978.6

申请日：2025-01-22

Applicant: 合肥国家实验室 ,  南京大学

Inventor： 孙国柱 ,  麻华世 ,  周顺宏 ,  李柄霖 ,  许问渠 ,  左权 ,  郭婷婷 ,  张凯旋 ,  俞铭远 ,  景凌啸 ,  曹春海 ,  吴培亨

IPC: H10N60/01 ,  H10N60/82 ,  H10N69/00

Abstract: 本发明公开了一种基于NbN膜的高集成度超导量子器件倒装芯片及其制备方法，芯片从下到上依次设置为：下层芯片包括下层衬底、第一超导薄膜，第一金属柱子，上层芯片包括上层衬底、第二超导薄膜和第二金属柱子，其中：第一超导薄膜上制作共面波导传输线、第一套刻对准标记，第二超导薄膜上制作谐振器、第二套刻对准标记；上层芯片和下层芯片之间采用倒装技术，通过将下层芯片的第一套刻对准标记与上层芯片的第二套刻对准标记一一对准，将第一金属柱子与第二金属柱子连接在一起，从而使上下层芯片实现电性连接。本发明有助于减小器件的占地面积和提高集成度。

公开(公告)号：CN117979815A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410167219.4

申请日：2024-02-06

Applicant: 南京大学 ,  合肥国家实验室

Inventor： 孙国柱 ,  郭婷婷 ,  李子硕 ,  石粒力 ,  江俊良 ,  盛怡凡 ,  许问渠 ,  魏兴雨 ,  景凌啸 ,  曹春海 ,  吴培亨

IPC: H10N60/12 ,  H10N60/80 ,  H10N60/85 ,  H10N60/82 ,  H10N60/01 ,  G06N10/20

Abstract: 本发明公开了一种基于铌膜缓冲层的α相钽膜超导量子比特，包括传输线、四分之一波长读出谐振器、超导量子比特，其中：四分之一波长读出谐振器一端与传输线耦合，另一端与超导量子比特耦合；超导量子比特由两个电容极板和约瑟夫森结构成；通过磁控溅射设备，在蓝宝石基底上常温生长铌膜作为缓冲层，紧接着在已有缓冲层铌膜的蓝宝石基底上继续常温生长钽膜，得到有铌膜缓冲层的α相钽膜；传输线、四分之一波长读出谐振器、超导量子比特的两个电容极板光刻在有铌膜缓冲层的α相钽膜上。本发明有效降低了超导量子比特制备成本，缩短了制备周期，提高了良品率，提升了超导量子比特性能，具有广泛的应用领域，包括但不限于量子计算、量子通信等。