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公开(公告)号：CN108611603B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201810437232.1
申请日：2018-05-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种金属多层膜的制备方法，先将单晶硅片依次由丙酮和乙醇超声清洗，吹干后放入超高真空磁控溅射设备基片台上，准备镀膜；采用直流磁控溅射法，将金属靶材放在真空室靶台上，在本底真空度为1.0×10‑5～2.5×10‑5Pa的条件下，通入氩气，调节真空度为5～7Pa，进行预溅射；将真空度调至0.5～1Pa，进行镀膜，先镀Cu层，功率为65～80W，然后Ag层，功率为30～50W，Ag膜与Cu膜的沉积速率为0.2nm/s，依次交替沉积，得到Cu/Ag多层膜。本发明操作简单，条件易于控制，重复性好，制得的多层膜层界清晰、厚度均匀、表面光滑平整，具有优良的电学和力学性能，适用于微电子行业。
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公开(公告)号：CN108611603A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810437232.1
申请日：2018-05-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种金属多层膜的制备方法，先将单晶硅片依次由丙酮和乙醇超声清洗，吹干后放入超高真空磁控溅射设备基片台上，准备镀膜；采用直流磁控溅射法，将金属靶材放在真空室靶台上，在本底真空度为1.0×10-5～2.5×10-5Pa的条件下，通入氩气，调节真空度为5～7Pa，进行预溅射；将真空度调至0.5～1Pa，进行镀膜，先镀Cu层，功率为65～80W，然后Ag层，功率为30～50W，Ag膜与Cu膜的沉积速率为0.2nm/s，依次交替沉积，得到Cu/Ag多层膜。本发明操作简单，条件易于控制，重复性好，制得的多层膜层界清晰、厚度均匀、表面光滑平整，具有优良的电学和力学性能，适用于微电子行业。
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公开(公告)号：CN111500995A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010304651.5
申请日：2020-04-17
Applicant: 南通南京大学材料工程技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种热稳定的导电金属薄膜及其制备方法和应用。该导电金属薄膜包括衬底和在衬底上依次由Ru层和Cu层交替沉积而成且以Ru层作为起始层和结束层的Cu/Ru纳米金属多层膜；相邻的一层Ru层和一层Cu层构成一个双层周期层，每个双层周期层的厚度均相等，所述Ru层的厚度为3nm，所述Cu层的厚度为50nm-200nm，所述双层周期层的总层数为5-100。该导电金属薄膜热稳定性好且兼具高强度和高电导率，可用作微机械系统中的金属互连材料。该导电金属薄膜的制备方法，采用磁控溅射技术，制备过程可控且操作简单，便于工业化生产和大规模应用。
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