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公开(公告)号：CN109870769A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910159951.6
申请日：2019-03-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供一种干法蚀刻制备二氧化硅光学微盘腔的方法，所述方法包括以下步骤：利用热氧化法在硅基底表面制备二氧化硅层，在所述二氧化硅层表面沉积隔离层，在所述隔离层表面涂覆光刻胶层；通过曝光和显影，将掩模板图案转移到所述光刻胶层上，以所述光刻胶层为模板，刻蚀所述二氧化硅层，去胶后使用XeF2蚀刻所述硅基底得到所述二氧化硅光学微盘腔。所述方法与现有的半导体工艺完全兼容，制备得到的二氧化硅光学微盘腔尺寸大，且具有超高的品质因子。
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公开(公告)号：CN109870769B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN201910159951.6
申请日：2019-03-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供一种干法蚀刻制备二氧化硅光学微盘腔的方法，所述方法包括以下步骤：利用热氧化法在硅基底表面制备二氧化硅层，在所述二氧化硅层表面沉积隔离层，在所述隔离层表面涂覆光刻胶层；通过曝光和显影，将掩模板图案转移到所述光刻胶层上，以所述光刻胶层为模板，刻蚀所述二氧化硅层，去胶后使用XeF2蚀刻所述硅基底得到所述二氧化硅光学微盘腔。所述方法与现有的半导体工艺完全兼容，制备得到的二氧化硅光学微盘腔尺寸大，且具有超高的品质因子。
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公开(公告)号：CN103708405A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310556855.8
申请日：2013-11-08
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种芯片上的大倾角氧化硅微盘谐振腔，包括氧化硅微盘和硅柱，氧化硅微盘通过硅柱支撑在基片上，氧化硅微盘的侧面为斜面，斜面与氧化硅微盘底面的夹角为45º~90º。本发明的芯片上的氧化硅微盘谐振腔侧壁倾角大，易于实现耦合。本发明还公开了芯片上的大倾角氧化硅微盘谐振腔的制备方法，利用本方法制备出的片上氧化硅微盘谐振腔品质因子高，且侧壁倾角大，易于实现耦合；制备流程与传统的集成电路工艺相兼容，具有操作简单、可重复性强和易于集成等优点。
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