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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109870769B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN201910159951.6
申请日：2019-03-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供一种干法蚀刻制备二氧化硅光学微盘腔的方法，所述方法包括以下步骤：利用热氧化法在硅基底表面制备二氧化硅层，在所述二氧化硅层表面沉积隔离层，在所述隔离层表面涂覆光刻胶层；通过曝光和显影，将掩模板图案转移到所述光刻胶层上，以所述光刻胶层为模板，刻蚀所述二氧化硅层，去胶后使用XeF2蚀刻所述硅基底得到所述二氧化硅光学微盘腔。所述方法与现有的半导体工艺完全兼容，制备得到的二氧化硅光学微盘腔尺寸大，且具有超高的品质因子。
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公开(公告)号：CN109870769A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910159951.6
申请日：2019-03-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供一种干法蚀刻制备二氧化硅光学微盘腔的方法，所述方法包括以下步骤：利用热氧化法在硅基底表面制备二氧化硅层，在所述二氧化硅层表面沉积隔离层，在所述隔离层表面涂覆光刻胶层；通过曝光和显影，将掩模板图案转移到所述光刻胶层上，以所述光刻胶层为模板，刻蚀所述二氧化硅层，去胶后使用XeF2蚀刻所述硅基底得到所述二氧化硅光学微盘腔。所述方法与现有的半导体工艺完全兼容，制备得到的二氧化硅光学微盘腔尺寸大，且具有超高的品质因子。
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公开(公告)号：CN108923245A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810847942.1
申请日：2018-07-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01S5/02
Abstract: 本发明实施例公开了一种微盘拉曼激光器及其制作方法。其中，微盘拉曼激光器包括：在基板上涂布光刻胶；其中，所述基板包括半导体基底，所述半导体基底上形成有氧化物半导体层；将设置有圆形镂空图案的掩模版作为掩膜，对所述光刻胶进行光刻和显影，获取光刻胶圆盘；以所述光刻胶圆盘作为掩膜，对所述氧化物半导体层进行等离子体刻蚀，获取氧化物半导体微盘；对所述氧化物半导体微盘上的所述光刻胶圆盘进行清洗；以所述氧化物半导体微盘作为掩模，刻蚀所述半导体基底，形成支撑所述氧化物半导体微盘的支撑柱。本发明实施例提供的技术方案，可解决现有微腔拉曼激光器刻蚀精度不高，重复性差的问题。
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公开(公告)号：CN108923245B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201810847942.1
申请日：2018-07-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01S5/02
Abstract: 本发明实施例公开了一种微盘拉曼激光器及其制作方法。其中，微盘拉曼激光器包括：在基板上涂布光刻胶；其中，所述基板包括半导体基底，所述半导体基底上形成有氧化物半导体层；将设置有圆形镂空图案的掩模版作为掩膜，对所述光刻胶进行光刻和显影，获取光刻胶圆盘；以所述光刻胶圆盘作为掩膜，对所述氧化物半导体层进行等离子体刻蚀，获取氧化物半导体微盘；对所述氧化物半导体微盘上的所述光刻胶圆盘进行清洗；以所述氧化物半导体微盘作为掩模，刻蚀所述半导体基底，形成支撑所述氧化物半导体微盘的支撑柱。本发明实施例提供的技术方案，可解决现有微腔拉曼激光器刻蚀精度不高，重复性差的问题。
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