-
公开(公告)号：CN103708405A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310556855.8
申请日：2013-11-08
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种芯片上的大倾角氧化硅微盘谐振腔，包括氧化硅微盘和硅柱，氧化硅微盘通过硅柱支撑在基片上，氧化硅微盘的侧面为斜面，斜面与氧化硅微盘底面的夹角为45º~90º。本发明的芯片上的氧化硅微盘谐振腔侧壁倾角大，易于实现耦合。本发明还公开了芯片上的大倾角氧化硅微盘谐振腔的制备方法，利用本方法制备出的片上氧化硅微盘谐振腔品质因子高，且侧壁倾角大，易于实现耦合；制备流程与传统的集成电路工艺相兼容，具有操作简单、可重复性强和易于集成等优点。
Search Results
1
records
(took 0.016 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
