一种微盘拉曼激光器及其制作方法

    公开(公告)号:CN108923245B

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN201810847942.1

    申请日:2018-07-27

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明实施例公开了一种微盘拉曼激光器及其制作方法。其中,微盘拉曼激光器包括:在基板上涂布光刻胶;其中,所述基板包括半导体基底,所述半导体基底上形成有氧化物半导体层;将设置有圆形镂空图案的掩模版作为掩膜,对所述光刻胶进行光刻和显影,获取光刻胶圆盘;以所述光刻胶圆盘作为掩膜,对所述氧化物半导体层进行等离子体刻蚀,获取氧化物半导体微盘;对所述氧化物半导体微盘上的所述光刻胶圆盘进行清洗;以所述氧化物半导体微盘作为掩模,刻蚀所述半导体基底,形成支撑所述氧化物半导体微盘的支撑柱。本发明实施例提供的技术方案,可解决现有微腔拉曼激光器刻蚀精度不高,重复性差的问题。

    回音壁模式微腔及其色散控制方法、倍频程光梳产生装置

    公开(公告)号:CN115981070B

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202211714077.6

    申请日:2022-12-29

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明实施例公开了一种回音壁模式微腔及其色散控制方法、倍频程光梳产生装置。回音壁模式微腔包括衬底和位于衬底一侧的支撑柱和微盘腔,微盘腔处于反常色散区且包括至少一个色散波;改变微盘腔的尺寸,以实现色散波位置调节。本发明实施例的技术方案,提出了一种通过控制微盘腔的尺寸实现回音壁模式微腔的色散控制,在合适的位置产生色散波,该回音壁模式微腔可以产生跨倍频程的光学频率梳。

    一种干法蚀刻制备二氧化硅光学微盘腔的方法

    公开(公告)号:CN109870769A

    公开(公告)日:2019-06-11

    申请号:CN201910159951.6

    申请日:2019-03-04

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明提供一种干法蚀刻制备二氧化硅光学微盘腔的方法,所述方法包括以下步骤:利用热氧化法在硅基底表面制备二氧化硅层,在所述二氧化硅层表面沉积隔离层,在所述隔离层表面涂覆光刻胶层;通过曝光和显影,将掩模板图案转移到所述光刻胶层上,以所述光刻胶层为模板,刻蚀所述二氧化硅层,去胶后使用XeF2蚀刻所述硅基底得到所述二氧化硅光学微盘腔。所述方法与现有的半导体工艺完全兼容,制备得到的二氧化硅光学微盘腔尺寸大,且具有超高的品质因子。

    一种光学频率梳产生系统

    公开(公告)号:CN109739060B

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN201910180310.9

    申请日:2019-03-11

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明实施例公开了一种光学频率梳产生系统。该系统包括波长可调光源、偏振控制器、光纤以及光学微腔;波长可调光源提供泵浦光,泵浦光耦合入光纤;光纤与偏振控制器的输入端连接;光纤从偏振控制器的输出端延伸至光学微腔,光纤包括锥状结构,光纤通过锥状结构与光学微腔耦合;其中,光学微腔包括衬底和位于衬底一侧的支撑柱和大倾角微盘腔;泵浦光通过锥状结构耦合入光学微腔;偏振控制器调节光纤中泵浦光的偏振方向,提高与光学微腔的耦合效率;泵浦光在光学微腔中由于三阶非线性效应,产生可见光波段的光学频率梳。本发明实施例的技术方案,产生可见光波段的光学频率梳,而且利用片上集成的光学微腔器件,有利于小型化和集成化器件的发展。

    一种倍频程光孤子产生系统及方法

    公开(公告)号:CN116470375A

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN202211713344.8

    申请日:2022-12-29

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明实施例公开了一种倍频程光孤子产生系统及方法。倍频程光孤子产生系统包括泵浦激光器、辅助激光器、第一偏振控制器、第二偏振控制器、锥形光纤以及光学微腔;泵浦激光器用于输出泵浦光;第一偏振控制器用于调节锥形光纤中泵浦光的偏振态;辅助激光器用于输出辅助光;第二偏振控制器用于调节锥形光纤中辅助光的偏振态;调节泵浦光和辅助光的波长、功率、偏振态以及锥区与光学微腔的距离,使泵浦光在光学微腔中传输时发生四波混频,产生倍频程光孤子。本发明实施例的技术方案,利用回音壁模式的光学微腔设计了一个跨倍频程的孤子微梳系统,基于该系统可以获得具有双色散波和650GHz重复频率的倍频程孤子微梳。

    一种光学频率梳产生系统

    公开(公告)号:CN109739060A

    公开(公告)日:2019-05-10

    申请号:CN201910180310.9

    申请日:2019-03-11

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明实施例公开了一种光学频率梳产生系统。该系统包括波长可调光源、偏振控制器、光纤以及光学微腔;波长可调光源提供泵浦光,泵浦光耦合入光纤;光纤与偏振控制器的输入端连接;光纤从偏振控制器的输出端延伸至光学微腔,光纤包括锥状结构,光纤通过锥状结构与光学微腔耦合;其中,光学微腔包括衬底和位于衬底一侧的支撑柱和大倾角微盘腔;泵浦光通过锥状结构耦合入光学微腔;偏振控制器调节光纤中泵浦光的偏振方向,提高与光学微腔的耦合效率;泵浦光在光学微腔中由于三阶非线性效应,产生可见光波段的光学频率梳。本发明实施例的技术方案,产生可见光波段的光学频率梳,而且利用片上集成的光学微腔器件,有利于小型化和集成化器件的发展。

    一种微盘拉曼激光器及其制作方法

    公开(公告)号:CN108923245A

    公开(公告)日:2018-11-30

    申请号:CN201810847942.1

    申请日:2018-07-27

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明实施例公开了一种微盘拉曼激光器及其制作方法。其中,微盘拉曼激光器包括:在基板上涂布光刻胶;其中,所述基板包括半导体基底,所述半导体基底上形成有氧化物半导体层;将设置有圆形镂空图案的掩模版作为掩膜,对所述光刻胶进行光刻和显影,获取光刻胶圆盘;以所述光刻胶圆盘作为掩膜,对所述氧化物半导体层进行等离子体刻蚀,获取氧化物半导体微盘;对所述氧化物半导体微盘上的所述光刻胶圆盘进行清洗;以所述氧化物半导体微盘作为掩模,刻蚀所述半导体基底,形成支撑所述氧化物半导体微盘的支撑柱。本发明实施例提供的技术方案,可解决现有微腔拉曼激光器刻蚀精度不高,重复性差的问题。

    一种三次谐波产生系统及方法

    公开(公告)号:CN113839303B

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN202111217255.X

    申请日:2021-10-19

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明实施例公开了一种三次谐波产生系统及方法。包括波长可调光源、偏振控制器、光纤以及光学微腔;波长可调光源提供泵浦光,泵浦光耦合入光纤;光纤从偏振控制器的输出端延伸至光学微腔,延伸至光学微腔的光纤通过锥状结构与光学微腔耦合;光学微腔包括衬底和支撑柱和微盘腔;泵浦光通过锥状结构耦合入光学微腔;偏振控制器调节光纤中泵浦光的偏振态;调节泵浦光的波长、功率、偏振态以及锥状结构与光学微腔的距离,使泵浦光在光学微腔中传输时满足三次谐波的相位匹配条件,产生三次谐波。本发明实施例的技术方案,通过干法刻蚀获取高品质因子光学微盘后,利用连续光直接泵浦光学微盘以产生三次谐波,简化了产生三次谐波的复杂过程。

    一种片上集成波导的微盘腔及其制备方法

    公开(公告)号:CN112925059B

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202110357339.7

    申请日:2021-04-01

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种片上集成波导的微盘腔及其制备方法。该微盘腔包括:氧化硅片;氧化硅片包括硅基衬底和氧化硅半导体层;氧化硅半导体层包括功能区和非功能区;功能区包括波导结构、微盘结构及位于微盘结构内的第一开口;非功能区包括第二开口;微盘结构与第一开口构成微盘腔;第一扩展腔和第二扩展腔;第一扩展腔由第一开口沿垂直于硅基衬底所在平面的方向延伸至硅基衬底内;第二扩展腔由第二开口沿垂直于硅基衬底所在平面的方向延伸至硅基衬底内;第一扩展腔与第二扩展腔连通;波导结构和微盘结构在硅基衬底的垂直投影位于第一扩展腔和第二扩展腔组成的连通结构内。本发明实施例降低了光在波导结构中的传输损耗以及提高了微盘腔的品质因子。

    一种干法蚀刻制备二氧化硅光学微盘腔的方法

    公开(公告)号:CN109870769B

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN201910159951.6

    申请日:2019-03-04

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明提供一种干法蚀刻制备二氧化硅光学微盘腔的方法,所述方法包括以下步骤:利用热氧化法在硅基底表面制备二氧化硅层,在所述二氧化硅层表面沉积隔离层,在所述隔离层表面涂覆光刻胶层;通过曝光和显影,将掩模板图案转移到所述光刻胶层上,以所述光刻胶层为模板,刻蚀所述二氧化硅层,去胶后使用XeF2蚀刻所述硅基底得到所述二氧化硅光学微盘腔。所述方法与现有的半导体工艺完全兼容,制备得到的二氧化硅光学微盘腔尺寸大,且具有超高的品质因子。

Patent Agency Ranking