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公开(公告)号：CN113215574B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202110133690.8
申请日：2021-02-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种用于蓝宝石基底镀铝膜量子芯片制备的湿法刻蚀方法。以蓝宝石作为衬底，清洗抛光的衬底表面；在抛光的衬底表面镀铝膜，在铝膜表面涂敷光刻胶，经曝光、显影获得有图形的掩膜芯片；将坚膜后的掩膜芯片在四甲基氢氧化铵中进行刻蚀去除与图形对应的铝膜；去除剩余全部光刻胶，获得量子芯片；其中，使用四甲基氢氧化铵刻蚀与图形对应的铝膜时，分多次进行刻蚀，每次刻蚀时间不超过1分钟，待溶解的光刻胶边缘凝固后再进行下一次刻蚀，直到铝膜被刻蚀干净。本发明不会引入额外的离子污染，节约了微波谐振腔的制备成本。
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公开(公告)号：CN117529216A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311610703.1
申请日：2023-11-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备悬浮式三维谐振腔量子比特的湿法刻蚀方法，较于传统的三维谐振腔量子比特，本发明引入了一种创新的悬空三维谐振腔量子比特。在传统的三维腔量子比特中，为了提高金属‑基底界面的纯净度并减小表面介电损耗，通常采用氧等离子体清洗、酸洗等方法，然而这些方法对降低表面介电损耗的效果有限。相比之下，本发明中的悬空结构量子比特可以更显著地减少量子比特与底部基片之间的相互作用，从而降低表面介电损耗，进而提高了量子比特的相干时间。
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公开(公告)号：CN113215574A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110133690.8
申请日：2021-02-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种用于蓝宝石基底镀铝膜量子芯片制备的湿法刻蚀方法。以蓝宝石作为衬底，清洗抛光的衬底表面；在抛光的衬底表面镀铝膜，在铝膜表面涂敷光刻胶，经曝光、显影获得有图形的掩膜芯片；将坚膜后的掩膜芯片在四甲基氢氧化铵中进行刻蚀去除与图形对应的铝膜；去除剩余全部光刻胶，获得量子芯片；其中，使用四甲基氢氧化铵刻蚀与图形对应的铝膜时，分多次进行刻蚀，每次刻蚀时间不超过1分钟，待溶解的光刻胶边缘凝固后再进行下一次刻蚀，直到铝膜被刻蚀干净。本发明不会引入额外的离子污染，节约了微波谐振腔的制备成本。
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