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公开(公告)号：CN113215574B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202110133690.8
申请日：2021-02-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种用于蓝宝石基底镀铝膜量子芯片制备的湿法刻蚀方法。以蓝宝石作为衬底，清洗抛光的衬底表面；在抛光的衬底表面镀铝膜，在铝膜表面涂敷光刻胶，经曝光、显影获得有图形的掩膜芯片；将坚膜后的掩膜芯片在四甲基氢氧化铵中进行刻蚀去除与图形对应的铝膜；去除剩余全部光刻胶，获得量子芯片；其中，使用四甲基氢氧化铵刻蚀与图形对应的铝膜时，分多次进行刻蚀，每次刻蚀时间不超过1分钟，待溶解的光刻胶边缘凝固后再进行下一次刻蚀，直到铝膜被刻蚀干净。本发明不会引入额外的离子污染，节约了微波谐振腔的制备成本。
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公开(公告)号：CN117529217A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202210876081.6
申请日：2022-07-25
Abstract: 本申请公开了一种约瑟夫森结器件及其制作方法、量子芯片和超导量子系统，属于半导体技术领域。该约瑟夫森结器件包括衬底和桥结构，所述桥结构位于所述衬底表面。所述桥结构包括约瑟夫森结部和两个支撑部，所述约瑟夫森结部位于所述两个支撑部之间，所述两个支撑部各自的一端相间隔，且分别与所述衬底相连，各自的另一端相对延伸且分别与所述约瑟夫森结部相连，所述约瑟夫森结部与所述衬底之间具有间隙。两个所述支撑部将所述约瑟夫森结部支离了所述衬底的表面，从而不需要对所述衬底进行镂空，也能够降低损耗，而且不受限于所述衬底的材质，即使所述衬底采用难以镂空的材质，也不会影响制作，从而降低了约瑟夫森结器件的制作难度。
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公开(公告)号：CN113215574A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110133690.8
申请日：2021-02-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种用于蓝宝石基底镀铝膜量子芯片制备的湿法刻蚀方法。以蓝宝石作为衬底，清洗抛光的衬底表面；在抛光的衬底表面镀铝膜，在铝膜表面涂敷光刻胶，经曝光、显影获得有图形的掩膜芯片；将坚膜后的掩膜芯片在四甲基氢氧化铵中进行刻蚀去除与图形对应的铝膜；去除剩余全部光刻胶，获得量子芯片；其中，使用四甲基氢氧化铵刻蚀与图形对应的铝膜时，分多次进行刻蚀，每次刻蚀时间不超过1分钟，待溶解的光刻胶边缘凝固后再进行下一次刻蚀，直到铝膜被刻蚀干净。本发明不会引入额外的离子污染，节约了微波谐振腔的制备成本。
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