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公开(公告)号：CN117529216A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311610703.1
申请日：2023-11-29
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备悬浮式三维谐振腔量子比特的湿法刻蚀方法，较于传统的三维谐振腔量子比特，本发明引入了一种创新的悬空三维谐振腔量子比特。在传统的三维腔量子比特中，为了提高金属‑基底界面的纯净度并减小表面介电损耗，通常采用氧等离子体清洗、酸洗等方法，然而这些方法对降低表面介电损耗的效果有限。相比之下，本发明中的悬空结构量子比特可以更显著地减少量子比特与底部基片之间的相互作用，从而降低表面介电损耗，进而提高了量子比特的相干时间。
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