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公开(公告)号：CN113419340B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202110598815.4
申请日：2021-05-31
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开一种用于激光光束整形的自由曲面构建方法，包括：将准直激光光束进行等能量划分，将目标平面进行等面积划分，构建准直激光光束和目标平面之间的对应关系；在自由曲面反射镜上定义一个初始点P1,1，沿纵向方向迭代计算下一个数据采样点P2,1位置；获取纵向曲线数据采样点Pi+1,1的递推表达式和在横向方向数据采样点P1,j+1的递推表达式，计算自由曲面双向初始曲线数据采样点的位置；获取自由曲面数据采样点P2,j+1位置；计算数据采样点Pi,j+1位置，算出组成自由曲面所有数据采样点位置；将所有自由曲面数据采样点进行拟合建模，构建自由曲面。本发明自由曲面可以高效地将准直入射的激光光束整形为方形均匀光束，只需进行一次光线追迹便能得到理想的效果，不需要进行二次优化。
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公开(公告)号：CN113419340A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110598815.4
申请日：2021-05-31
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开一种用于激光光束整形的自由曲面构建方法，包括：将准直激光光束进行等能量划分，将目标平面进行等面积划分，构建准直激光光束和目标平面之间的对应关系；在自由曲面反射镜上定义一个初始点P1,1，沿纵向方向迭代计算下一个数据采样点P2,1位置；获取纵向曲线数据采样点Pi+1,1的递推表达式和在横向方向数据采样点P1,j+1的递推表达式，计算自由曲面双向初始曲线数据采样点的位置；获取自由曲面数据采样点P2,j+1位置；计算数据采样点Pi,j+1位置，算出组成自由曲面所有数据采样点位置；将所有自由曲面数据采样点进行拟合建模，构建自由曲面。本发明自由曲面可以高效地将准直入射的激光光束整形为方形均匀光束，只需进行一次光线追迹便能得到理想的效果，不需要进行二次优化。
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公开(公告)号：CN113074644B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202110355600.X
申请日：2021-04-01
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明公开了一种高速低成本光谱共焦位移测量方法及装置，装置包括控制器、照明模块、Y型光纤、探测模块、色散镜头、待测元件、标定模块；照明模块电动控制多组LED，提供覆盖全部可见光波段的光源；光源耦合入Y型光纤，出射光进入色散镜头被聚焦至待测元件表面，波长不同时聚焦光点位置不同，待测元件表面反射光返回Y型光纤；探测模块测量待测元件表面上时反射光光强；标定模块用于标定色散镜头位置与探测模块模拟电压信号之间的关系；控制器根据不同LED照明时的光强数据计算聚焦光点波长及其对应的待测元件表面位置信息。本发明通过使用多波长光源照明及高速点探测器方法，克服了传统光谱共焦技术使用光谱仪速度慢且成本高的缺陷。
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公开(公告)号：CN114485966A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111611661.4
申请日：2021-12-27
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种测量涡旋光束拓扑荷数与方向的装置，包括固体激光器、扩束装置、偏振片、空间光调制器、萨格奈克型三角干涉装置、第三会聚透镜、CMOS探测器，所述固体激光器产生激光光束，所述扩束装置对激光光束进行准直扩束形成平行光束，所述偏振片将平行光束转变成线偏振光束，所述空间光调制器利用线偏振光生成涡旋光束，所述萨格奈克型三角干涉装置对涡旋光束进行横向剪切和合束，所述第三会聚透镜将合束后光束聚焦到CMOS探测器上形成干涉图像，所述CMOS探测器对干涉图像进行分析。本发明基于萨格奈克型三角光路干涉法对涡旋光束及其自身参考光束进行相干叠加，能够快速高效地获得涡旋光束的拓扑荷大小与方向，具有较强的抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN113074644A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110355600.X
申请日：2021-04-01
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明公开了一种高速低成本光谱共焦位移测量方法及装置，装置包括控制器、照明模块、Y型光纤、探测模块、色散镜头、待测元件、标定模块；照明模块电动控制多组LED，提供覆盖全部可见光波段的光源；光源耦合入Y型光纤，出射光进入色散镜头被聚焦至待测元件表面，波长不同时聚焦光点位置不同，待测元件表面反射光返回Y型光纤；探测模块测量待测元件表面上时反射光光强；标定模块用于标定色散镜头位置与探测模块模拟电压信号之间的关系；控制器根据不同LED照明时的光强数据计算聚焦光点波长及其对应的待测元件表面位置信息。本发明通过使用多波长光源照明及高速点探测器方法，克服了传统光谱共焦技术使用光谱仪速度慢且成本高的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108732734B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201810538683.4
申请日：2018-05-30
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G02B17/06
Abstract: 本发明公开了一种基于自由曲面的快焦比反射式长波红外取景器光学系统，包括两个自由曲面反射镜和一个长波红外响应面阵探测器。光线经过外置的入射光瞳，并依次经过两个自由曲面反射镜后，到达长波红外响应面阵探测器。现有用于取景器光学系统设计的离轴两反光学系统只能应用于可见光波段，其F数较大，无法应用于长波红外波段，且无法满足快焦比的高性能要求。本发明提出的一种基于光学自由曲面的快焦比反射式光学系统，能够实现高通量和高分辨率的结构紧凑和宽波段的长波红外取景器光学系统。该基于光学自由曲面的快焦比反射式长波红外取景器能够在微光或夜间复杂环境下进行目标探测与监控。
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公开(公告)号：CN112185818A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011070446.3
申请日：2020-10-09
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L21/4763
Abstract: 一种ZnO薄膜的干法刻蚀方法，包括如下步骤：对ZnO薄膜进行清洗，吹干后待用；在ZnO薄膜表面旋涂一层光刻胶；通过掩模紫外曝光和丙酮清洗获得所需图案；对ICP刻蚀的刻蚀腔进行抽真空；向刻蚀腔内通入甲烷、氢气和氩气，气体流量分别为3 sccm、8 sccm和5sccm，调节真空腔压强为0.13Pa；对刻蚀腔进行预刻蚀；在刻蚀腔内载入ZnO薄膜，调节刻蚀温度为20摄氏度，射频功率设置为200 W，ICP功率设置为500W或1000W，进行刻蚀，完成后取出样品，使用丙酮超声清洗去除光刻胶，获得最终样品。本发明方法能够形成表面光滑，刻蚀界面清晰的ZnO刻蚀界面。
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公开(公告)号：CN112126897B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202011070429.X
申请日：2020-10-09
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 一种alpha相氧化镓薄膜的制备方法，包括如下步骤：对m面蓝宝石衬底进行清洗，吹干后放入衬底托盘；将衬底载入真空室，待真空室的真空度达到3×10‑6 Pa后，通入高纯氩气，气体流量控制在40 sccm，调节真空室真空度为1Pa；对高纯Ga2O3陶瓷靶材进行预处理；采用磁控溅射法在衬底上沉积薄膜，衬底温度为25摄氏度，射频功率设置为40W，沉积时间为2小时；将制备好的薄膜放入管式炉中进行后退火处理，后退火温度为500‑800摄氏度，退火时间为2小时。本发明方法制备的alpha相氧化镓薄膜沉积面积大且粒径分布均匀。
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公开(公告)号：CN112126897A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011070429.X
申请日：2020-10-09
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 一种alpha相氧化镓薄膜的制备方法，包括如下步骤：对m面蓝宝石衬底进行清洗，吹干后放入衬底托盘；将衬底载入真空室，待真空室的真空度达到3×10‑6 Pa后，通入高纯氩气，气体流量控制在40 sccm，调节真空室真空度为1Pa；对高纯Ga2O3陶瓷靶材进行预处理；采用磁控溅射法在衬底上沉积薄膜，衬底温度为25摄氏度，射频功率设置为40W，沉积时间为2小时；将制备好的薄膜放入管式炉中进行后退火处理，后退火温度为500‑800摄氏度，退火时间为2小时。本发明方法制备的alpha相氧化镓薄膜沉积面积大且粒径分布均匀。
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公开(公告)号：CN108732734A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810538683.4
申请日：2018-05-30
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: G02B17/06
Abstract: 本发明公开了一种基于自由曲面的快焦比反射式长波红外取景器光学系统，包括两个自由曲面反射镜和一个长波红外响应面阵探测器。光线经过外置的入射光瞳，并依次经过两个自由曲面反射镜后，到达长波红外响应面阵探测器。现有用于取景器光学系统设计的离轴两反光学系统只能应用于可见光波段，其F数较大，无法应用于长波红外波段，且无法满足快焦比的高性能要求。本发明提出的一种基于光学自由曲面的快焦比反射式光学系统，能够实现高通量和高分辨率的结构紧凑和宽波段的长波红外取景器光学系统。该基于光学自由曲面的快焦比反射式长波红外取景器能够在微光或夜间复杂环境下进行目标探测与监控。
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