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公开(公告)号：CN114855259A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210344261.X
申请日：2022-03-31
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明涉及氯化铯铜晶体制备技术领域，尤其是一种大尺寸氯化铯铜晶体的制备方法，现提出如下方案，其包括如下步骤：将CsCl和CuCl2混合、研磨得到多晶粉体，将多晶粉体溶解在去离子水中形成晶体生长母液，将晶体生长母液置于40℃下恒温蒸发，得到氯化铯铜晶体。本发明制备方法制备得到的氯化铯铜晶体物相纯，生长溶剂无污染，溶液透明，便于实时观测；可获得可以得到高质量、大尺寸形貌较好的单晶，本发明的工艺采用固相研磨法与水溶液蒸发法相结合，具有合成工艺简单，溶剂无污染，生长周期短的优点。
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公开(公告)号：CN107267142A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710543758.3
申请日：2017-07-05
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明提供了一种具有高紫外摩尔吸光系数的硫化锌量子点及其制备方法。其制备步骤如下：将70℃的乙酸锌乙醇溶液与0℃的硫代乙酰胺乙醇溶液混合，在60℃恒定温度强力搅拌下，通过控制生长时间调整ZnS量子点的尺寸。提纯过程，加入正庚烷，离心析出。再次加入正庚烷/乙醇混合溶液(体积比例4:1)，溶解后再次离心，干燥得到产物，可悬浮于乙醇中以用于喷涂、印刷工艺。与现有技术相比，其显著优点是：本发明所制备ZnS量子点具有较高的摩尔吸光系数，制备工艺非常的简单。所制备的ZnS量子点，直径在2nm附近。禁带宽度可达4.23eV，可用于日盲紫外光电探测。
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公开(公告)号：CN103225076B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201310172642.5
申请日：2013-05-10
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明采用磁控溅射技术通过在石墨烯表面嵌入金属元素形成柱状的柱状阵列结构，通过表面微结构化起到降低摩擦，提高耐磨寿命的目的。本发明的耐磨石墨烯表面改性方法包括1）化学气相沉积法制备石墨烯：2）石墨烯表面嵌入柱状的阵列结构：所述石墨烯表面嵌入柱状的阵列结构分为以下几步：第一步，将石墨烯及衬底放入磁控溅射炉内，石墨烯表面放置金属掩膜板，金属掩膜板设有呈阵列排布的孔，源极为99.99%纯金属靶；第二步，打开真空泵，将磁控溅射炉内抽到极限真空1.0～5.0×10-5Pa，充入高纯氩气到2～6Pa，对试样进行1～3分钟左右预轰击；第三步，室温状态下，以30～80W功率进行溅射，溅射时间为10～15min；第四步，关闭源极电源，将炉内抽到极限真空，冷却到室温出炉。
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公开(公告)号：CN103225076A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310172642.5
申请日：2013-05-10
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明采用磁控溅射技术通过在石墨烯表面嵌入金属元素形成柱状的柱状阵列结构，通过表面微结构化起到降低摩擦，提高耐磨寿命的目的。本发明的耐磨石墨烯表面改性方法包括1）化学气相沉积法制备石墨烯：2）石墨烯表面嵌入柱状的阵列结构：所述石墨烯表面嵌入柱状的阵列结构分为以下几步：第一步，将石墨烯及衬底放入磁控溅射炉内，石墨烯表面放置金属掩膜板，金属掩膜板设有呈阵列排布的孔，源极为99.99%纯金属靶；第二步，打开真空泵，将磁控溅射炉内抽到极限真空1.0～5.0×10-5Pa，充入高纯氩气到2～6Pa，对试样进行1～3分钟左右预轰击；第三步，室温状态下，以30～80W功率进行溅射，溅射时间为10～15min；第四步，关闭源极电源，将炉内抽到极限真空，冷却到室温出炉。
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公开(公告)号：CN103193476A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310160017.9
申请日：2013-05-03
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供制备纯相BiFeO3陶瓷的湿化学方法，涉及无机非金属材料领域。该方法为：将Fe(NO3)3·9H2O和Bi(NO3)3·5H2O溶于水，加入酒石酸，然后在90-150℃持续搅拌，直到溶液为粘稠状，停止搅拌，烘干，在380-420℃预烧3-5h，研磨后得到前驱物粉末；将前驱物粉末在500-600℃预烧2-4h得到BiFeO3粉末；将BiFeO3粉末研磨、压片后得到BiFeO3陶瓷坯体；将BiFeO3陶瓷坯体在700-800℃密封烧结1-2h，得到纯相BiFeO3陶瓷。本发明工艺简单，得到的纯相BiFeO3陶瓷致密，颗粒的大小可以通过烧结温度进行调控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114855259B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202210344261.X
申请日：2022-03-31
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明涉及氯化铯铜晶体制备技术领域，尤其是一种大尺寸氯化铯铜晶体的制备方法，现提出如下方案，其包括如下步骤：将CsCl和CuCl2混合、研磨得到多晶粉体，将多晶粉体溶解在去离子水中形成晶体生长母液，将晶体生长母液置于40℃下恒温蒸发，得到氯化铯铜晶体。本发明制备方法制备得到的氯化铯铜晶体物相纯，生长溶剂无污染，溶液透明，便于实时观测；可获得可以得到高质量、大尺寸形貌较好的单晶，本发明的工艺采用固相研磨法与水溶液蒸发法相结合，具有合成工艺简单，溶剂无污染，生长周期短的优点。
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公开(公告)号：CN112185818A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011070446.3
申请日：2020-10-09
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L21/4763
Abstract: 一种ZnO薄膜的干法刻蚀方法，包括如下步骤：对ZnO薄膜进行清洗，吹干后待用；在ZnO薄膜表面旋涂一层光刻胶；通过掩模紫外曝光和丙酮清洗获得所需图案；对ICP刻蚀的刻蚀腔进行抽真空；向刻蚀腔内通入甲烷、氢气和氩气，气体流量分别为3 sccm、8 sccm和5sccm，调节真空腔压强为0.13Pa；对刻蚀腔进行预刻蚀；在刻蚀腔内载入ZnO薄膜，调节刻蚀温度为20摄氏度，射频功率设置为200 W，ICP功率设置为500W或1000W，进行刻蚀，完成后取出样品，使用丙酮超声清洗去除光刻胶，获得最终样品。本发明方法能够形成表面光滑，刻蚀界面清晰的ZnO刻蚀界面。
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公开(公告)号：CN108538927B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201810286974.9
申请日：2018-03-30
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L31/02 , H01L31/0392 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种柔性日盲紫外探测器。所述柔性日盲紫外探测器，其特征在于：包括从下往上依次设置的透明基底、石墨烯网格层和ZnS量子点层，且所述石墨烯网格层是由石墨烯刻蚀后的石墨烯网格形成。本发明的有益效果在于：所述柔性日盲紫外探测器制备工艺简单、可实现柔性以及大面积应用。所制备的日盲紫外探测器，对日盲区内紫外光响应度高而对日盲区外响应度低，减少背景干扰影响。本发明还提供一种柔性日盲紫外探测器的制备方法。
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公开(公告)号：CN106086795B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201610377095.8
申请日：2016-05-31
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化锌/氮化镓复合薄膜的制备方法，采用脉冲激光沉积法低温下制备氧化锌/氮化镓复合薄膜，不仅拓展了ZnO‑GaN复合材料的制备方法，可以实现高于600nm的可见光吸收，而且和粉体相比，在衬底上制备的ZnO/GaN复合薄膜更易于重复利用。本发明所制备薄膜粒径分布均匀，具有明显的可见光响应，带隙达到1.6eV。
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公开(公告)号：CN106711246A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201710032833.X
申请日：2017-01-18
Applicant: 南京信息工程大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02327 , H01L31/1876
Abstract: 本发明公开了一种用于提高单层石墨烯对可见光吸收效率的光学结构。自上而下依次包括单层石墨烯、波导层、光学透明层以及棱镜。通过在棱镜表面涂覆两层电介质薄膜结构，能够使石墨烯与倏逝波充分相互作用，提高单层石墨烯的吸收效率，在可见光波段将单层石墨烯对电磁波的吸收率提高至100％。同时实现对单层石墨烯吸收特性的调控，拓展其在可调光谱选择性探测等领域的应用。
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