基于深度神经网络的高鲁棒性大容量图像水印方法及系统

    公开(公告)号:CN117408862A

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202311391091.1

    申请日:2023-10-25

    Inventor: 杨帆 王保卫

    Abstract: 本发明提供基于深度神经网络的高鲁棒性大容量图像水印方法及系统,涉及信息安全领域。该基于深度神经网络的高鲁棒性大容量图像水印方法,所述方法包括:接收载体图像和水印信息;对载体图像做SWT变换和拉普拉斯金字塔变换,分别得到LL子带和差分图像;将水印信息结合LL子带进行信息处理,得到信息特征图;将载体图像结合信息特征图、LL子带以及差分图像进行编码处理,得到嵌有水印信息的编码图像;将编码图像进行噪声处理得到带有噪声的图像;将带有噪声的图像进行解码处理得到最终预测的信息。解决了传统的水印算法虽然可以嵌入较大容量的水印,但算法设计过程复杂且鲁棒性差的问题。

    一种改进型折叠式共源共栅运算放大器

    公开(公告)号:CN115425933A

    公开(公告)日:2022-12-02

    申请号:CN202211011858.9

    申请日:2022-08-23

    Abstract: 本发明公开了一种改进型折叠式共源共栅运算放大器,包括折叠式共源共栅运算放大器、自适应偏置电路、局部正反馈电路。在本发明中,利用自适应偏置电路在差分输入对上为大输入信号生成不受尾电流源限制的动态电流,提高了动态电流和增益;利用局部正反馈电路,将输入晶体管产生的电流以及自适应偏置电路中的电流转换为电压,来驱动空闲的折叠电流源晶体管,提高输入级的跨导,此外,该运放允许通过大的动态电流而不受静态电流的限制,显著提高了压摆率。

    一种基于chiplet芯粒的多层架构及数据传输方法

    公开(公告)号:CN115309697A

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202211069304.4

    申请日:2022-08-31

    Abstract: 本发明公开了一种基于chiplet芯粒的多层架构及数据传输方法,其多层架构包括边缘接线结构以及固定于边缘接线结构上的多个硅片,每个所述硅片表面均设置有多个chiplet芯粒,每个所述chiplet芯粒的接线均从相应的硅片表面延伸至边缘接线结构内并在边缘接线结构内进行互联;其数据传输方法包括互联的chiplet芯粒作为数据传输端和数据接收端时,直接进行数据传输;本发明实现了chiplet芯粒之间通信的高效率数据传输,减小了chiplet芯粒之间导线带来的寄生干扰以及方便修改单个chiplet芯粒,并且将布线和chiplet芯粒阵列分开设计,减少设计的复杂度。

    一种无片外电容的LDO
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116126069A

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202211708736.5

    申请日:2022-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种无片外电容的LDO,属于线性电源技术领域,包括跨导恒定电路Gmc、恒跨导误差放大器AE1、第一输出电路、误差放大器AE2、第二输出电路、带隙基准电路BGR、功率管Pn1和功率管Pn2;所述跨导恒定电路Gmc用于产生偏置电压信号;所述恒跨导误差放大器AE1用于产生第一输出信号;所述误差放大器AE2用于产生第二输出信号;带隙基准电路BGR产生多路独立稳定输出,为恒跨导误差放大器AE1和误差放大器AE2提供稳定的参考电压,再通过跨导恒定电路Gmc产生偏置电压,恒跨导误差放大器AE1通过第一输出电路驱动功率管Pn1输出针对模拟负载的信号,误差放大器AE2通过第二输出电路驱动功率管PN2输出针对数字负载的信号。

    一种用于高空探测的微压传感器

    公开(公告)号:CN216815827U

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN202123348099.9

    申请日:2021-12-28

    Abstract: 本实用新型公开了一种用于高空探测的微压传感器,属于传感器技术领域。该传感器包括SOI衬底硅片,所述SOI衬底硅片上刻蚀有梁‑岛应力增强结构、八个硅铝异质结构电阻和方形硅结构;所述梁‑岛应力增强结构包括四个对称连接的矩形梁和一个正方形中心岛;所述硅铝异质结构电阻设置在所述梁‑岛应力增强结构周围;所述方形硅结构中设有两个PNP三极管,八个所述硅铝异质结构电阻与两个所述PNP三极管电连接,作为两个所述PNP三极管的基极、发射极和集电极电阻,构成差分放大电路。本实用新型应力增强结构由梁‑岛结构组成,可在硅铝异质结构电阻位置上产生更高的应力,结合差分放大电路,将灵敏度提升了两个数量级,有利于50至100千米高度超微压测量。

    一种基于心冲击信号检测的SOC集成电路

    公开(公告)号:CN215017462U

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN202120980038.5

    申请日:2021-05-10

    Abstract: 本实用新型公开了一种基于心冲击信号检测的SOC集成电路,属于集成电路技术领域。该SOC集成电路设置于鞋垫上,包括:心冲击信号采集模块、SOC集成电路模块和单片机模块;所述心冲击信号采集模块设置于鞋垫上,所述心冲击信号采集模块、SOC集成电路模块和单片机模块依次连接;所述SOC集成电路模块包括:电荷放大器、电压跟随器、电压比较器、带通滤波器和模数转换器。本实用新型的SOC集成电路通过集BCG信号采集、电压放大、电压跟随、电压抬升、电压比较、滤波以及模数转换过程于一体,有效地减小原有板级电路的体积和质量,本实用新型的SOC集成电路设置于鞋垫上可以实现BCG信号的非接触式测量。

    一种应用于传感器模拟前端的可编程增益放大器

    公开(公告)号:CN218633864U

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202222350577.8

    申请日:2022-09-05

    Abstract: 本实用新型公开了一种集成电路设计技术领域的应用于传感器模拟前端的可编程增益放大器,旨在解决现有技术中可编程增益放大器的直流失调补偿性能较差,同时其应用范围较小的问题。其包括增益调节电路、闭环全差分运放电路和DCOC直流失调补偿电路;所述增益调节电路与所述闭环全差分运放电路连接,所述闭环全差分运放电路与所述DCOC直流失调补偿电路连接;所述增益调节电路包括三八译码器和二四译码器,所述三八译码器和所述二四译码器均带使能端;本实用新型适用于传感器模拟前端,通过DCOC直流失调补偿电路进行直流失调补偿,保证了装置的正常工作,同时具有12种增益档位选择,可以满足不同传感器的要求,拓展了本装置的使用范围。

    一种无比较器的RC振荡器
    9.
    实用新型

    公开(公告)号:CN218006202U

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202222301291.0

    申请日:2022-08-31

    Abstract: 本实用新型公开了一种无比较器的RC振荡器,包括启动电路、CTAT电流源、Cascoded电流镜、RC振荡电路、竞争冒险消除电路以及修调电路;RC振荡电路分别与启动电路、Cascoded电流镜、修调电路以及竞争冒险消除电路连接,启动电路分别与CTAT电流源和竞争冒险消除电路连接,CTAT电流源与Cascoded电流镜连接;启动电路接收到使能信号en时,通过竞争冒险消除电路产生使能信号enb;启动电路接收到使能信号enb时,驱动CTAT电流源工作;Cascoded电流镜对CTAT电流源的电流进行复制并注入RC振荡电路;修调电路对RC振荡电路的输出进行修调;本实用新型具有电压稳定性和温度稳定性的优点。

    一种用于复合微能量收集的SOC集成电路装置

    公开(公告)号:CN215268098U

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN202121076832.3

    申请日:2021-05-19

    Abstract: 本实用新型公开了一种用于复合微能量收集的SOC集成电路装置,属于复合微能量收集领域,其CMOS全波整流电路模块输入端接压电‑光电能量收集器的原始交流输出,输出为直流接入后面的CMOS能量收集电路模块,所述CMOS能量收集电路模块收集前级全波整流后的能量存储到其前级缓冲小电容内,所述CMOS能量存储电路模块将前面前级缓冲小电容内的能量存储到其后级缓冲大电容内,所述CMOS稳压电路模块将后级缓冲大电容内的能量转换为稳定的电压为后面负载供电。本实用新型采用电容作为存储介质,将所有电路集成在一块芯片上,尺寸小,功耗低。

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