-
公开(公告)号：CN104819789B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510073321.9
申请日：2015-02-10
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应力传感器，所述应力传感器包括：衬底，所述衬底具有第一凹槽；第一压阻层，覆盖所述第一凹槽内壁及部分衬底上表面，所述第一压阻层通过第一绝缘层与所述衬底隔离；第一传递层，填充满所述第一凹槽，且具有两个第三凹槽，所述两个第三凹槽沿所述第一凹槽槽长方向平行排列，所述第一传递层通过第二绝缘层与所述第一压阻层隔离；第一隔离层，填充满所述第三凹槽，所述第一隔离层通过第三绝缘层与所述第一传递层隔离；第一电极对，第二电极对，位于衬底上表面的所述第一压阻层上，所述第一电极对位于第一凹槽槽长延长线上，所述第二电极对位于所述第一凹槽槽宽延长线上，能够实现对非芯片上表面内应力分量的测量。
-
公开(公告)号：CN104819789A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510073321.9
申请日：2015-02-10
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应力传感器，所述应力传感器包括：衬底，所述衬底具有第一凹槽；第一压阻层，覆盖所述第一凹槽内壁及部分衬底上表面，所述第一压阻层通过第一绝缘层与所述衬底隔离；第一传递层，填充满所述第一凹槽，且具有两个第三凹槽，所述两个第三凹槽沿所述第一凹槽槽长方向平行排列，所述第一传递层通过第二绝缘层与所述第一压阻层隔离；第一隔离层，填充满所述第三凹槽，所述第一隔离层通过第三绝缘层与所述第一传递层隔离；第一电极对，第二电极对，位于衬底上表面的所述第一压阻层上，所述第一电极对位于第一凹槽槽长延长线上，所述第二电极对位于所述第一凹槽槽宽延长线上，能够实现对非芯片上表面内应力分量的测量。
-
公开(公告)号：CN110890357B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN201911346519.4
申请日：2019-12-24
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H10D80/00 , H10D80/30 , H01L23/14 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/48 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01Q1/22 , H01Q1/52
Abstract: 本发明公开了一种基于金属基底的集成天线和射频前端的埋入封装结构，包括：金属基底，所述金属基底具有位于下表面的芯片腔体、过孔腔体和位于上表面的天线腔体；芯片，所述芯片有源面朝外埋入所述芯片腔体中；介质层，所述介质层填充所述过孔腔体和所述芯片与所述芯片腔体之间的间隙，并覆盖所述金属基底的下表面和所述芯片的有源面；导电通孔，所述导电通孔贯穿所述介质层，并与所述芯片电连接；布线层，所述布线层设置在所述介质层的下面，且电连接所述导电通孔；第二基底，所述第二基底设置在所述金属基底的上方；以及天线，所述天线固定设置在所述天线腔体上方的所述第二基底的下表面。
-
公开(公告)号：CN110890349B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN201911326887.2
申请日：2019-12-20
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768 , G02B6/42
Abstract: 本发明公开了一种带有光互连接口的光电芯片三维封装结构，包括：光芯片，所述光芯片的一端具有光互连结构和凹槽；导电通孔，所述导电通孔贯穿所述光芯片；第一布线层，所述第一布线层设置在所述光芯片的正面，且与所述导电通孔电连接；第二布线层，所述第二布线层设置在所述光芯片的背面，且与所述导电通孔电连接；电芯片，所述电芯片设置在所述光芯片正面上方，且电连接所述第一布线层；盖板，所述盖板设置的所述光芯片的光互结构和凹槽的上方；塑封层，所述塑封层一体塑封所述光芯片的正面、电芯片和盖板；以及外接焊球，所述外接焊球设置在所述光芯片背面下方，且电连接所述第二布线层。
-
公开(公告)号：CN112908860B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202110062927.8
申请日：2021-01-18
Applicant: 上海先方半导体有限公司 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/367 , H01L23/473
Abstract: 本发明提供了一种高带宽内存结构及其制作方法，包括：形成基板，在基板上附连芯片；形成散热盖体于芯片之上；制备水冷散热系统，所述水冷散热系统具有三维蜂窝状的微槽道；将水冷散热系统附连于所述散热盖体之上，在微槽道内灌入制冷液；使导热管依次穿过水冷散热系统及散热盖体，直至到达芯片的表面。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114335206B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202111638595.X
申请日：2021-12-29
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海先方半导体有限公司
IPC: H01L31/024 , H01L31/101 , H01L31/18 , G01B11/00
Abstract: 本发明提供一种位置探测器及其制备方法，所述位置探测器包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层中的顶部区域的光敏层和环绕所述光敏层的边框掺杂层，所述边框掺杂层和所述光敏层的导电类型相同，所述边框掺杂层的掺杂浓度大于所述光敏层的掺杂浓度；位于所述边框掺杂层外侧的半导体衬底层上的加热件，所述加热件适于对所述边框掺杂层进行加热。本发明的位置探测器在探测面积较大的情况下兼顾实现可调整的高分辨率。
-
公开(公告)号：CN112908946B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202110063190.1
申请日：2021-01-18
Applicant: 上海先方半导体有限公司 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开一种降低塑封晶圆翘曲的封装结构，包括转接板，贴装于转接板上的芯片，以及包覆芯片的第一塑封层，转接板上设置有硅通孔，其第一表面及第二表面分别设置有与硅通孔电连接的外接焊球和/或外接焊盘。该封装结构的制作过程包括：在转接板第一表面工艺完成后，在其第一表面键合第一载片，然后切割所述第一载片，露出贴片区域，然后进行贴片等后续工艺，最后将第一载片切割去除，完成封装。
-
公开(公告)号：CN114245583B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202111548477.X
申请日：2021-12-17
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 , 上海先方半导体有限公司
IPC: H05K3/00 , H05K1/02 , H01L23/473
Abstract: 本发明提供了一种用于芯片冷却的流道结构及其制作方法，包括：至少一个第一肋片，布置于流道第一侧壁面，所述第一肋片沿第一方向延伸以用于沿第一方向引导流道中的冷却液；以及至少一个第二肋片，布置于流道第二侧壁面，所述第二肋片沿第二方向延伸以用于沿第二方向引导流道中的冷却液，其中所述第一肋片与第二肋片彼此相交并在相交处彼此连通。
-
公开(公告)号：CN111834235B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202010736473.3
申请日：2020-07-28
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种通孔填充方法及结构，方法包括：利用光刻胶填充通孔，形成填料体；去除所述基底表面上的光刻胶，其中所述通孔内的填料体向内凹陷；在所述填料体上进行曝光打孔，形成标准孔，所述标准孔的孔径小于所述通孔的孔径；将所述填料体进行固化；进行金属沉积，形成过渡结构，所述过渡结构包覆标准孔侧壁、基底表面以及固化胶体的外表面；通过金属电镀工艺形成电镀金属层，填充所述标准孔；以及去除基底上下表面上的过渡结构和电镀金属层，上述方法形成的结构避免了大孔径高深宽比孔出现空洞及表面镀层过厚等问题，良率高，成本低且可实现性好。
-
公开(公告)号：CN115050730A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210740051.2
申请日：2022-06-28
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L21/56 , H01L23/367 , H01L23/473 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开一种具有双面散热结构的封装结构，其包括双面散热结构及N个芯片组。其中双面散热结构包括N个芯片腔，且每个芯片腔的上下两侧均设置有散热模块，N个芯片组分别设置于N个芯片腔中，且可通过所述双面散热结构进行电连接。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
347
records
(took 0.071 seconds)
