-
公开(公告)号：CN110890357B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN201911346519.4
申请日：2019-12-24
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H10D80/00 , H10D80/30 , H01L23/14 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/48 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01Q1/22 , H01Q1/52
Abstract: 本发明公开了一种基于金属基底的集成天线和射频前端的埋入封装结构，包括：金属基底，所述金属基底具有位于下表面的芯片腔体、过孔腔体和位于上表面的天线腔体；芯片，所述芯片有源面朝外埋入所述芯片腔体中；介质层，所述介质层填充所述过孔腔体和所述芯片与所述芯片腔体之间的间隙，并覆盖所述金属基底的下表面和所述芯片的有源面；导电通孔，所述导电通孔贯穿所述介质层，并与所述芯片电连接；布线层，所述布线层设置在所述介质层的下面，且电连接所述导电通孔；第二基底，所述第二基底设置在所述金属基底的上方；以及天线，所述天线固定设置在所述天线腔体上方的所述第二基底的下表面。
-
公开(公告)号：CN118741878A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410945368.9
申请日：2024-07-15
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明涉及一种线路间绝缘测试基板的形成方法，其特征在于，包括：在载体的正面和反面均压合粘接层和带有保护金属层的第一金属层；在载体两侧的第一金属层表面制备精细线路，得到带有精细线路的载体；在载体的正面和反面依次压合第一绝缘层、芯板基材和第二绝缘层，其中压合后精细线路嵌入第一绝缘层；将保护金属层和第一金属层分离；以及通过闪蚀去除第一金属层。本发明的方法制备基板时，精细线路嵌入ABF材料中，闪蚀药水对线路的侧面没有腐蚀作用，显著提升精细线路加工的良率，降低对干膜曝光机的要求，铜线路没有钻蚀，实现铜线路的宽度可控。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112701115B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202011577806.9
申请日：2020-12-28
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L21/98 , H01L21/50 , H01L23/14 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/498 , H01L23/552 , H01L23/66
Abstract: 本发明公开了一种射频前端模块的三维异质集成封装结构，包括：第一介质基底、第一介质层、金属基底、第二介质层、第二介质基底、第一无源元件埋入槽、第一有源芯片埋入槽、第二无源元件埋入槽、第二有源芯片埋入槽、金属基底通孔、第一无源元件、第二无源元件、第一有源芯片、第二有源芯片、第一导电通孔、第二导电通孔、第三导电通孔、芯片焊盘、第一金属布线层、第二金属布线层。
-
公开(公告)号：CN110890357A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911346519.4
申请日：2019-12-24
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/14 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/48 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01Q1/22 , H01Q1/52
Abstract: 本发明公开了一种基于金属基底的集成天线和射频前端的埋入封装结构，包括：金属基底，所述金属基底具有位于下表面的芯片腔体、过孔腔体和位于上表面的天线腔体；芯片，所述芯片有源面朝外埋入所述芯片腔体中；介质层，所述介质层填充所述过孔腔体和所述芯片与所述芯片腔体之间的间隙，并覆盖所述金属基底的下表面和所述芯片的有源面；导电通孔，所述导电通孔贯穿所述介质层，并与所述芯片电连接；布线层，所述布线层设置在所述介质层的下面，且电连接所述导电通孔；第二基底，所述第二基底设置在所述金属基底的上方；以及天线，所述天线固定设置在所述天线腔体上方的所述第二基底的下表面。
-
公开(公告)号：CN119012545A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410945366.X
申请日：2024-07-15
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明涉及一种具有嵌入式精细线路的基板及其形成方法，所述形成方法包括：在载体的正面和反面均压合粘接层和带有保护金属层的第一金属层；在位于载体正面或反面的第一金属层的表面形成精细线路，得到带有精细线路的载体；取芯板基材，并在芯板基材的正面和反面压合绝缘层，在芯板基材两侧的绝缘层的表面压合带有精细线路的载体，其中压合后精细线路嵌入绝缘层；将保护金属层和第一金属层分离；以及去除第一金属层，得到具有精细线路的基板。本发明的方法制备基板时，精细线路嵌入ABF材料中，闪蚀药水对线路的侧面没有腐蚀作用，显著提升精细线路加工的良率，降低对干膜曝光机、闪蚀产线均匀性的要求，铜线路没有钻蚀，实现铜线路的宽度可控。
-
公开(公告)号：CN112701115A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011577806.9
申请日：2020-12-28
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L21/98 , H01L21/50 , H01L23/14 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/498 , H01L23/552 , H01L23/66
Abstract: 本发明公开了一种射频前端模块的三维异质集成封装结构，包括：第一介质基底、第一介质层、金属基底、第二介质层、第二介质基底、第一无源元件埋入槽、第一有源芯片埋入槽、第二无源元件埋入槽、第二有源芯片埋入槽、金属基底通孔、第一无源元件、第二无源元件、第一有源芯片、第二有源芯片、第一导电通孔、第二导电通孔、第三导电通孔、芯片焊盘、第一金属布线层、第二金属布线层。
-
公开(公告)号：CN210897279U
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201922347563.9
申请日：2019-12-24
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/14 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/48 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01Q1/22 , H01Q1/52
Abstract: 本实用新型公开了一种基于金属基底的集成天线和射频前端的埋入封装结构，包括：金属基底，所述金属基底具有位于下表面的芯片腔体、过孔腔体和位于上表面的天线腔体；芯片，所述芯片有源面朝外埋入所述芯片腔体中；介质层，所述介质层填充所述过孔腔体和所述芯片与所述芯片腔体之间的间隙，并覆盖所述金属基底的下表面和所述芯片的有源面；导电通孔，所述导电通孔贯穿所述介质层，并与所述芯片电连接；布线层，所述布线层设置在所述介质层的下面，且电连接所述导电通孔；第二基底，所述第二基底设置在所述金属基底的上方；以及天线，所述天线固定设置在所述天线腔体上方的所述第二基底的下表面。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.043 seconds)
