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公开(公告)号：CN110416424A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910310324.8
申请日：2019-04-17
Applicant: 华南理工大学 , 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种量子点电致发光器件及其制备方法，包括依次层叠的透明衬底，阴极、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及金属阳极，所述阴极为透明的氮化镓材料。针对现有的量子点材料电致发光器件存在的能级不匹配问题，采用了透明的氮化镓材料作为电致发光器件的阴极及电子注入层，结合氮化镓材料的高的电子迁移率及其与量子点材料的LUMO能级匹配的表面功函数，有利于降低量子点器件的启亮电压，提升其电致发光效率与工作寿命，推动量子点材料在下一代显示和照明领域的应用。
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公开(公告)号：CN210272429U
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201920523781.0
申请日：2019-04-17
Applicant: 华南理工大学 , 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本实用新型公开了一种量子点电致发光器件，包括依次层叠的透明衬底，阴极、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及金属阳极，所述阴极为透明的氮化镓材料。针对现有的量子点材料电致发光器件存在的能级不匹配问题，采用了透明的氮化镓材料作为电致发光器件的阴极及电子注入层，结合氮化镓材料的高的电子迁移率及其与量子点材料的LUMO能级匹配的表面功函数，有利于降低量子点器件的启亮电压，提升其电致发光效率与工作寿命，推动量子点材料在下一代显示和照明领域的应用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN110491978B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201910886342.0
申请日：2019-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种LED芯片结构及其制备方法、应用LED芯片结构的巨量转移方法，本发明的LED芯片结构包括衬底和发光单元，发光单元与衬底连接，还包括钝化层和欧姆接触层，发光单元与衬底连接处设有金属层，钝化层围设于发光单元四周、且钝化层与金属层连接，欧姆接触层包设于钝化层、且欧姆接触层与发光单元连接，本发明提供的LED芯片结构，设计合理，在巨量转移过程中，无需识别LED芯片的电极，减小对位难度，方便转移；本发明的制备方法，工艺简单，制备容易，且制得的LED芯片结构紧凑合理，便于进行巨量转移；本发明提供的应用LED芯片结构的巨量转移方法，步骤操作简单，对位容易，巨量转移方便。
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公开(公告)号：CN112968005B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110142309.4
申请日：2021-02-02
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L23/13 , H01L23/14 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48 , C23C16/02 , C23C16/27 , C23C16/511
Abstract: 本发明涉及复合材料技术领域，尤指一种带连通孔的金刚石复合片及其制造方法，首先通过在基片上制作贯穿其上表面及下表面的通孔，以形成带孔基片；在带孔基片的上表面、下表面及其通孔内分别沉积生长金刚石膜，最后获得金刚石复合片。本发明提供一种高硬度、高导热率、高绝缘电阻、低介电常数、高化学稳定性的复合片，在很多场合可以作为多晶金刚石自支持片的替代材料。
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公开(公告)号：CN111155163B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010039006.5
申请日：2020-01-14
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C25D17/20
Abstract: 本发明涉及电镀加工技术领域，具体涉及一种小型零部件的电镀装置及其电镀方法，本发明的电镀装置包括电镀槽和导电电极，所述电镀槽内设有滚筒，滚筒设有筒盖，筒盖与滚筒盖合连接，滚筒内装设有导电介质和若干个空心球，所述空心球采用密度小于所述导电介质的材料制成，若干个所述空心球可浮于滚筒内导电介质之上，形成悬浮密排层，本发明的电镀装置，通过在滚筒内增加空心球，在滚镀过程中空心球上浮于滚筒内导电介质之上，将上浮的小型零部件撞击反弹沉入导电介质中，从而提高小型零部件与导电介质的充分接触，有效改善其电镀的均匀性；本发明的电镀方法，操作简单，电镀成本低，电镀方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112064111B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202010830589.3
申请日：2020-08-18
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及晶体合成技术领域，尤指一种大直径金刚石片的制备装置及其制备方法，该装置包括包括壳体、直径检测单元、升降式旋转支架和掩膜单元，壳体通过狭缝隔板分成上腔室和下腔室，上腔室内设有微波等离子体；本发明的方法通过升降式旋转支架带动金刚石圆片转动及升降，金刚石圆片一部分穿过狭缝隔板暴露在微波等离子体中，掩膜单元在金刚石圆片上涂布掩膜，抑制金刚石圆片的轴向生长，使得金刚石圆片只沿着径向旋转生长，从而生长出大直径金刚石圆片；并且根据直径检测单元的反馈，随着金刚石圆片直径生长变大，升降式旋转支架逐步降低，维持金刚石圆片的顶部高度不变，以便在微波等离子体下形成稳定的生长环境。
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公开(公告)号：CN112201567A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011023502.8
申请日：2020-09-25
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/02 , H01L21/04 , H01L23/373
Abstract: 本发明涉及第三代半导体材料制备技术领域，尤指一种用于氮化物材料外延的高导热衬底的制备方法，包括选用基础衬底的材料，并对基础衬底进行预处理；在基础衬底上沉积一层金刚石导热层；对基础衬底背向金刚石导热层的一面进行抛光减薄，最终获得复合层衬底。本发明主要是利用高导热比的金刚石材料与传统氮化物外延衬底结合实现高导热衬底，其中基础衬底起到氮化物成核功能层的作用，金刚石导热层起到导热的作用，能解决第三代氮化物材料及器件散热差的问题，使氮化物材料及器件在工作过程中始终处于较低的结温状态，提高其可靠性及性能。
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公开(公告)号：CN112164976A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011053836.X
申请日：2020-09-29
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，尤指一种高散热的GaN单晶衬底及其制备方法，该高散热的GaN单晶衬底，包括自上而下依次层叠的GaN单晶层、基底和金刚石层，基底内部贯穿有若干个嵌孔，金刚石层部分延伸嵌入嵌孔并与GaN单晶层接触；其制备方法为在基底上制造出若干个嵌孔，形成嵌孔面；在嵌孔面沉积一层金刚石层；对基底背离嵌孔面的一面进行减薄并外延GaN单晶层，即得高散热的GaN单晶衬底。本发明将GaN单晶材料通过基底的嵌孔与高散热的金刚石材料连通，提高了衬底的散热能力，同时有效释放了异质衬底与GaN外延间的应力产生，解决了大功率高电流密度器件工作时的热量传导以及由此而导致的性能退化与稳定性问题。
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公开(公告)号：CN111816550A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010630174.1
申请日：2020-07-03
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及氮化物材料的制备方法及氮化物材料，氮化物材料的制备方法，包括以下步骤：提供衬底，在衬底的表面沉积氮化物，形成氮化物薄膜；采用离子注入方法，在氮化物薄膜中形成离子注入层，离子注入层将氮化物薄膜分隔形成第一氮化物膜与第二氮化物膜，第一氮化物膜附着于衬底上，第二氮化物膜远离衬底；在第二氮化物膜的表面沉积功能材料，形成功能材料层；自离子注入层剥离第二氮化物膜与功能材料层。工艺步骤简单，可操作性强，无需激光处理，不受功能材料的尺寸限制，利于在工业中应用。
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