公开(公告)号：CN109065665A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810683740.8

申请日：2018-06-28

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 覃东欢 ,  郭秀珍 ,  容志滔 ,  罗恺楹

IPC: H01L31/18

Abstract: 本发明属于光电器件领域，公开了一种碲化镉纳米晶薄膜的微刻蚀方法。所述方法为：在碲化镉纳米晶薄膜上盖上掩膜版，然后用刻蚀溶液的蒸汽对碲化镉纳米晶薄膜表面进行微刻蚀，得到刻蚀后的碲化镉纳米晶薄膜。本发明方法可避免损坏薄膜的PN结而造成器件漏电的问题，同时降低高功函数碲化镉与电极的肖特基势垒。

公开(公告)号：CN110098331A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201910307074.2

申请日：2019-04-17

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 覃东欢 ,  郭秀珍 ,  陈丙昌 ,  容志滔

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明公开了一种表面钝化处理的CdTe纳米晶薄膜及其表面钝化处理方法与应用。所述方法包括：在CdTe纳米晶薄膜上沉积螯合剂溶液和涂覆CdCl2溶液，然后进行热处理，得到表面钝化处理的CdTe纳米晶薄膜。本发明提供的处理方法，通过螯合剂分子与金属离子的强结合作用，将金属离子包合到螯合剂内部；然后经过热处理，CdTe重结晶过程中会钝化纳米晶薄膜的缺陷空位等载流子复合中心，从而达到钝化CdTe纳米晶薄膜的活性、降低载流子的复合速度及提升器件的短路电流的目的。本发明提供的表面钝化处理的CdTe纳米晶薄膜能够应用于组装具有倒装结构的CdTe纳米晶太阳能电池中。

公开(公告)号：CN110098331B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201910307074.2

申请日：2019-04-17

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 覃东欢 ,  郭秀珍 ,  陈丙昌 ,  容志滔

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明公开了一种表面钝化处理的CdTe纳米晶薄膜及其表面钝化处理方法与应用。所述方法包括：在CdTe纳米晶薄膜上沉积螯合剂溶液和涂覆CdCl2溶液，然后进行热处理，得到表面钝化处理的CdTe纳米晶薄膜。本发明提供的处理方法，通过螯合剂分子与金属离子的强结合作用，将金属离子包合到螯合剂内部；然后经过热处理，CdTe重结晶过程中会钝化纳米晶薄膜的缺陷空位等载流子复合中心，从而达到钝化CdTe纳米晶薄膜的活性、降低载流子的复合速度及提升器件的短路电流的目的。本发明提供的表面钝化处理的CdTe纳米晶薄膜能够应用于组装具有倒装结构的CdTe纳米晶太阳能电池中。

公开(公告)号：CN109935652B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201910180641.2

申请日：2019-03-11

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 覃东欢 ,  容志滔 ,  陈丙昌

IPC: H01L31/073 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种采用CdS/CdSe双电子受体层的高效CdTe纳米晶太阳电池及其制备方法。该太阳电池由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层以及阳极层叠而成。其中窗口层为CdS:CdSxSe1‑x:CdSe合金薄膜，光活性层为CdSexTe1‑x:CdTe合金薄膜。窗口层采用CdS纳米晶和CdSe纳米晶相嵌合的方式，增大了光谱响应范围，减少了界面缺陷，提升了短路电流密度和开路电压，同时窗口层和光活性层构成阶梯带隙结构，相比于传统的异质结太阳电池，更有利于光生载流子的分离、传输和收集，显著提高器件性能。本发明采用全溶液法加工，成本低，制作简便，有望实现大规模生产。

公开(公告)号：CN109065665B

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201810683740.8

申请日：2018-06-28

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 覃东欢 ,  郭秀珍 ,  容志滔 ,  罗恺楹

IPC: H01L31/18

Abstract: 本发明属于光电器件领域，公开了一种碲化镉纳米晶薄膜的微刻蚀方法。所述方法为：在碲化镉纳米晶薄膜上盖上掩膜版，然后用刻蚀溶液的蒸汽对碲化镉纳米晶薄膜表面进行微刻蚀，得到刻蚀后的碲化镉纳米晶薄膜。本发明方法可避免损坏薄膜的PN结而造成器件漏电的问题，同时降低高功函数碲化镉与电极的肖特基势垒。

公开(公告)号：CN109935652A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201910180641.2

申请日：2019-03-11

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 覃东欢 ,  容志滔 ,  陈丙昌

IPC: H01L31/073 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种采用CdS/CdSe双电子受体层的高效CdTe纳米晶太阳电池及其制备方法。该太阳电池由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层以及阳极层叠而成。其中窗口层为CdS:CdSxSe1-x:CdSe合金薄膜，光活性层为CdSexTe1-x:CdTe合金薄膜。窗口层采用CdS纳米晶和CdSe纳米晶相嵌合的方式，增大了光谱响应范围，减少了界面缺陷，提升了短路电流密度和开路电压，同时窗口层和光活性层构成阶梯带隙结构，相比于传统的异质结太阳电池，更有利于光生载流子的分离、传输和收集，显著提高器件性能。本发明采用全溶液法加工，成本低，制作简便，有望实现大规模生产。