公开(公告)号：CN110556433B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201910625034.2

申请日：2019-07-11

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 覃东欢 ,  吴婉华 ,  罗恺楹 ,  谢斯航 ,  郭秀珍

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种碲化镉纳米晶太阳电池及其制备方法。该太阳电池包括衬底和依次层叠于所述衬底上的阴极层、阴极界面层、窗口层、光活性层、阳极界面层和阳极层，所述阳极界面层为厚度为170～240nm的Spiro‑OMeTAD薄膜或厚度为10～40nm的聚[双(4‑苯基)(2，4，6‑三甲基苯基)胺]薄膜。本发明通过引入有机材料作为空穴传输层，有效地减少了载流子的复合，改善了漏电现象，相比于传统的倒置太阳电池，提高了器件短路电流和开路电压，改善了器件性能。本发明采用全溶液法加工，成本低，制作简便，有望实现大规模生产。

公开(公告)号：CN110556433A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910625034.2

申请日：2019-07-11

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 覃东欢 ,  吴婉华 ,  罗恺楹 ,  谢斯航 ,  郭秀珍

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种碲化镉纳米晶太阳电池及其制备方法。该太阳电池包括衬底和依次层叠于所述衬底上的阴极层、阴极界面层、窗口层、光活性层、阳极界面层和阳极层，所述阳极界面层为厚度为170～240nm的Spiro-OMeTAD薄膜或厚度为10～40nm的聚[双(4-苯基)(2，4，6-三甲基苯基)胺]薄膜。本发明通过引入有机材料作为空穴传输层，有效地减少了载流子的复合，改善了漏电现象，相比于传统的倒置太阳电池，提高了器件短路电流和开路电压，改善了器件性能。本发明采用全溶液法加工，成本低，制作简便，有望实现大规模生产。