公开(公告)号：CN114716243B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202210379506.2

申请日：2022-04-12

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王歆 ,  李心宏 ,  卢振亚 ,  陈志武 ,  梁岸

IPC: C04B35/475

Abstract: 本发明属于电容材料的技术领域，公开了一种高温稳定型钛酸铋钠‑钛酸锶基介电储能陶瓷材料及其制备与应用。所述介电储能陶瓷材料，化学组成为Na0.35Bi0.35Sr0.3Ti(1‑x)(Al0.5Nb0.5)xO3，0＜x≤0.05。本发明还公开了介电储能陶瓷材料的制备方法。本发明的介电储能陶瓷材料具有良好的储能性能和高温稳定性，如：在室温、60kV/cm外加电场下的储能密度Wrec为0.62J/cm3，储能效率为73.89％；具有高介电常数且其高温稳定性，在室温到270℃介电常数保持3311±15％以及tanδ＜0.02的低介电损耗。本发明的介电储能陶瓷材料用于介电储能电容器。

公开(公告)号：CN115101659A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210576471.1

申请日：2022-05-25

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 何新华 ,  何秀将 ,  卢振亚 ,  王歆

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/39 ,  H01L41/43 ,  C04B35/26

Abstract: 本发明属于压电陶瓷的技术领域，公开了一种铁酸铋‑钛酸钡无铅压电陶瓷材料及制备方法。所述压电陶瓷的组成为0.7Bi1.02FeO3‑0.3BaTiO3‑x％LiF+y％M+z％SiO2；M表示含Mn金属化合物；x、y、z分别表示LiF、M和SiO2的摩尔分数，0.25≤x≤0.75，0.35≤y≤0.75，0≤z≤0.3。本发明还公开了压电陶瓷的制备方法。本发明调控了晶格中的氧空位浓度，加强晶格畸变，改善了显微结构，使压电性和居里温度均获得明显提高。本发明的压电陶瓷材料烧结温区宽(880～1020℃)、压电常数高(d33＝180～208pC/N)、居里温度高(TC＝550℃)。

公开(公告)号：CN113860866A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111015325.3

申请日：2021-08-31

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 陈志武 ,  刘瑞兆 ,  卢振亚 ,  王歆

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明公开了一种钛酸钡基X8R型多层陶瓷电容器用介质材料及制备方法。该材料化学式为BaTiO3‑xBi2O3‑yMgO‑zY2O3+0.5mol％Nd2O3+0.5wt％B。其制备方法为：先制备硼锌助烧剂B；然后将原料放入球磨机中用湿式球磨法混合球磨，并经烘干得到陶瓷粉体、研磨、造粒、过筛，干压成型得到陶瓷生坯；排胶后在烧结即得到。本发明的高介电常数X8R型MLCC介质材料制备工艺简单、成本低廉、介电常数高，其室温介电常数为2884，室温损耗≤2％，在‑55℃‑150℃温度范围内，相对室温介电常数的容温变化率的绝对值|△C/C25℃|≤15％，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN112259374A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN202010972653.1

申请日：2020-09-16

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王歆 ,  钟煌 ,  卢振亚 ,  陈志武

IPC: H01G4/012 ,  H01G4/008 ,  H01G4/14 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明公开了一种BST基多层介电增强薄膜及其制备方法，包括衬底，采用溶胶凝胶法在衬底上旋涂多层异质薄膜，利用磁控溅射在多层异质薄膜上沉积Au电极，所述多层异质薄膜由BST薄膜和BTO薄膜交替堆叠构成。该结构是利用溶胶凝胶旋涂制膜，通过不同的溶胶浓度以及旋涂工艺获得周期厚度不一的多层异质结构薄膜，本发明改善了由于进一步减小薄膜厚度所带来的介电性能下降的问题，使材料的介电常数得到剧增。

公开(公告)号：CN108219369A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711287937.1

申请日：2017-12-07

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王歆 ,  曾兰英 ,  卢振亚 ,  陈志武

IPC: C08L63/00 ,  C08K9/06 ,  C08K9/02 ,  C08K3/04 ,  C08K3/24 ,  H01G4/18

Abstract: 本发明属于电介质材料的技术领域，公开了一种复合填充粉体、聚合物基复合介质材料及其制备与应用。所述复合填充粉体是将含有表面氧化的炭黑的二氧化钛溶胶与氢氧化钡溶液进行水热反应得到。聚合物基复合介质材料是将环氧树脂溶液与表面活化复合填充粉体超声搅拌处理得到，所述表面活化复合填充粉体是采用硅烷偶联剂对导电材料/陶瓷复合填充粉体进行改性而成。所述聚合物基复合介质材料用于制备电容器。本发明将炭黑经过氧化处理，与钛酸钡通过化学键复合，复合填充粉体更加稳定，炭黑在复合填充粉体以及复合填充粉体在环氧树脂中具有更优异的分散性，损耗更低。本发明制备的聚合物基复合介质材料具有低损耗和高介电性。

公开(公告)号：CN116573928A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310343119.8

申请日：2023-04-03

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王歆 ,  梁岸 ,  卢振亚 ,  陈志武 ,  范炜明

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88 ,  H10N30/853 ,  H10N30/097

Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋‑钛酸钡无铅压电陶瓷材料、制备方法及应用，所述压电陶瓷的组成为0.76Bi1‑xMxFeO3‑0.24BaTO3+ywt％MnO2；M表示含Yb、Ho等稀土元素；x表示M的摩尔分数、y表示MnO2的质量百分比，0≤x≤0.04，0.1≤y≤0.7。本发明调控了陶瓷晶格中的氧空位浓度，改善了显微结构，获得较高压电性能、高居里温度、低介电性能和绝缘性能的压电陶瓷。

公开(公告)号：CN110252382B

公开(公告)日：2020-08-18

申请号：CN201910573482.2

申请日：2019-06-28

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 陈志武 ,  姚黎平 ,  王歆 ,  卢振亚

IPC: B01J27/25 ,  B01J37/10 ,  B01J37/16 ,  C02F1/30 ,  C02F101/30

Abstract: 本发明公开了一种含铋的碱式盐的复合光催化剂及其制备方法：将一水葡萄糖和五水硝酸铋，加入去离子水配置成反应前驱液；将反应前驱液转入反应釜中，在150～180℃的烘箱内反应8～12h，沉淀物经洗涤干燥得到掺碳的铋的碱式盐粉体，将其加入NaBH4还原液中，洗涤、干燥。复合光催化剂化学式为C‑[Bi6O6(OH)3](NO3)3·1.5H2O/Bi；Bi单质以纳米颗粒的形式负载在C‑[Bi6O6(OH)3](NO3)3·1.5H2O材料上。本发明通过简单的两步改性就将[Bi6O6(OH)3](NO3)3·1.5H2O的吸收光谱扩展至可见光范围，且在常温下成功引入金属Bi纳米粒子，操作简单，节省能源。

公开(公告)号：CN113209998A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110386015.6

申请日：2021-04-09

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 陈志武 ,  蒙华星 ,  卢振亚 ,  王歆

IPC: B01J27/24 ,  B01J35/10 ,  C01B3/04

Abstract: 本发明属于光催化材料的技术领域，公开了一种石墨相氮化碳复合光催化剂及其制备方法。方法：1)将g‑C3N4纳米片、有机溶剂和酸混合，获得混合物A；酸为醋酸或乳酸中一种以上；有机溶剂为乙醇或甲醇；2)将钛酸丁酯与混合物A混匀，获得混合物B；3)将氨水与混合物B中混匀，干燥，煅烧，获得复合光催化剂。本发明的方法简单，通过原位生长的方法在g‑C3N4纳米片上生长N‑TiO2，N‑TiO2纳米颗粒分散均匀，且与g‑C3N4纳米片具有充分的界面接触，两者结合更紧密，能够有效地提高光生电子和空穴的分离速度，从而提高量子效率，达到提高其催化效率的效果。本发明的催化剂在光催化制氢中具有较好的催化活性。

公开(公告)号：CN108409306B

公开(公告)日：2020-10-13

申请号：CN201810238077.0

申请日：2018-03-22

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王瀛洲 ,  卢振亚 ,  陈志武 ,  王歆

IPC: H01C7/112 ,  C04B35/10 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种氧化锌压敏陶瓷材料及其制备方法。该ZnO压敏陶瓷材料的ZnO含量为97.24～97.26mol％,添加剂含量为2.74～2.76mol％；所述添加剂包括0.5mol％Bi2O3、0.5mol％Co2O3、0.72mol％Sb2O3、0.5mol％MnCO3、0.5mol％Ni203和0.02～0.04mol％的ZnCl2。本发明采用的半导化施主添加剂为ZnCl2，而不是采用常用的Al(N03)3.9H20，获得的氧化锌压敏电阻材料压敏电压在150V～260V/mm,非线性系数(I‑V非线性系数)a≥45,漏电流IL≦1uA,耐脉冲电流特性良好。

公开(公告)号：CN109665755A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201910056449.2

申请日：2019-01-22

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王歆 ,  郑伟浩 ,  卢振亚 ,  胡泽森

IPC: C04B26/32 ,  C04B35/453 ,  C04B111/90

Abstract: 本发明属于交流电缆附件材料的技术领域，公开了一种室温硫化硅橡胶基交流电缆附件材料及其制备方法。所述室温硫化硅橡胶基交流电缆附件材料主要由氧化锌基陶瓷、室温硫化硅橡胶、交联剂以及催化剂制备得到；氧化锌基陶瓷的原料包括氧化锌、氧化铋、四氧化三钴、三氧化二锑、碳酸锰、三氧化二铬、三氧化二镍、二氧化硅、氧化镁和氧化钇。本发明还公开了附件材料的制备方法。本发明的交流电缆附件材料具有适宜的非线性系数并具有高的压敏场强，提高了该附件材料的击穿场强，满足电压等级更高的电缆的需求。本发明的方法简单，成本低廉，容易实施。