公开(公告)号：CN114716243B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202210379506.2

申请日：2022-04-12

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王歆 ,  李心宏 ,  卢振亚 ,  陈志武 ,  梁岸

IPC: C04B35/475

Abstract: 本发明属于电容材料的技术领域，公开了一种高温稳定型钛酸铋钠‑钛酸锶基介电储能陶瓷材料及其制备与应用。所述介电储能陶瓷材料，化学组成为Na0.35Bi0.35Sr0.3Ti(1‑x)(Al0.5Nb0.5)xO3，0＜x≤0.05。本发明还公开了介电储能陶瓷材料的制备方法。本发明的介电储能陶瓷材料具有良好的储能性能和高温稳定性，如：在室温、60kV/cm外加电场下的储能密度Wrec为0.62J/cm3，储能效率为73.89％；具有高介电常数且其高温稳定性，在室温到270℃介电常数保持3311±15％以及tanδ＜0.02的低介电损耗。本发明的介电储能陶瓷材料用于介电储能电容器。

公开(公告)号：CN113241256B

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202110356882.5

申请日：2021-04-01

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王歆 ,  钟煌 ,  卢振亚 ,  陈志武 ,  李心宏

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明公开了一种基于BPO电极的PZT基多层介电增强薄膜及其制备方法，包括衬底，通过磁控溅射法在衬底上制备BPO薄膜电极，采用溶胶凝胶法在BPO上制备多层异质薄膜，热处理过后，再在表面通过磁控溅射制备Au电极。所述多层异质薄膜由PZT和BTO薄膜交替堆叠构成。本发明利用异质薄膜间的静电耦合效应极大的提高了薄膜的介电性能，并且通过氧化物电极BPO改善了电畴的扎钉效应，使得PZT/BTO薄膜的抗疲劳特性大幅地提升。

公开(公告)号：CN114716243A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210379506.2

申请日：2022-04-12

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王歆 ,  李心宏 ,  卢振亚 ,  陈志武 ,  梁岸

IPC: C04B35/475

Abstract: 本发明属于电容材料的技术领域，公开了一种高温稳定型钛酸铋钠‑钛酸锶基介电储能陶瓷材料及其制备与应用。所述介电储能陶瓷材料，化学组成为Na0.35Bi0.35Sr0.3Ti(1‑x)(Al0.5Nb0.5)xO3，0＜x≤0.05。本发明还公开了介电储能陶瓷材料的制备方法。本发明的介电储能陶瓷材料具有良好的储能性能和高温稳定性，如：在室温、60kV/cm外加电场下的储能密度Wrec为0.62J/cm3，储能效率为73.89％；具有高介电常数且其高温稳定性，在室温到270℃介电常数保持3311±15％以及tanδ＜0.02的低介电损耗。本发明的介电储能陶瓷材料用于介电储能电容器。

公开(公告)号：CN113241256A

公开(公告)日：2021-08-10

申请号：CN202110356882.5

申请日：2021-04-01

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 王歆 ,  钟煌 ,  卢振亚 ,  陈志武 ,  李心宏

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/33

Abstract: 本发明公开了一种基于BPO电极的PZT基多层介电增强薄膜及其制备方法，包括衬底，通过磁控溅射法在衬底上制备BPO薄膜电极，采用溶胶凝胶法在BPO上制备多层异质薄膜，热处理过后，再在表面通过磁控溅射制备Au电极。所述多层异质薄膜由PZT和BTO薄膜交替堆叠构成。本发明利用异质薄膜间的静电耦合效应极大的提高了薄膜的介电性能，并且通过氧化物电极BPO改善了电畴的扎钉效应，使得PZT/BTO薄膜的抗疲劳特性大幅地提升。