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公开(公告)号:CN116573928A
公开(公告)日:2023-08-11
申请号:CN202310343119.8
申请日:2023-04-03
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B41/88 , H10N30/853 , H10N30/097
Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋‑钛酸钡无铅压电陶瓷材料、制备方法及应用,所述压电陶瓷的组成为0.76Bi1‑xMxFeO3‑0.24BaTO3+ywt%MnO2;M表示含Yb、Ho等稀土元素;x表示M的摩尔分数、y表示MnO2的质量百分比,0≤x≤0.04,0.1≤y≤0.7。本发明调控了陶瓷晶格中的氧空位浓度,改善了显微结构,获得较高压电性能、高居里温度、低介电性能和绝缘性能的压电陶瓷。
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公开(公告)号:CN110252382B
公开(公告)日:2020-08-18
申请号:CN201910573482.2
申请日:2019-06-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: B01J27/25 , B01J37/10 , B01J37/16 , C02F1/30 , C02F101/30
Abstract: 本发明公开了一种含铋的碱式盐的复合光催化剂及其制备方法:将一水葡萄糖和五水硝酸铋,加入去离子水配置成反应前驱液;将反应前驱液转入反应釜中,在150~180℃的烘箱内反应8~12h,沉淀物经洗涤干燥得到掺碳的铋的碱式盐粉体,将其加入NaBH4还原液中,洗涤、干燥。复合光催化剂化学式为C‑[Bi6O6(OH)3](NO3)3·1.5H2O/Bi;Bi单质以纳米颗粒的形式负载在C‑[Bi6O6(OH)3](NO3)3·1.5H2O材料上。本发明通过简单的两步改性就将[Bi6O6(OH)3](NO3)3·1.5H2O的吸收光谱扩展至可见光范围,且在常温下成功引入金属Bi纳米粒子,操作简单,节省能源。
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公开(公告)号:CN105129861B
公开(公告)日:2017-04-12
申请号:CN201510534386.9
申请日:2015-08-27
Applicant: 华南理工大学
IPC: C01G49/00
CPC classification number: Y02P20/124
Abstract: 本发明公开了铁酸铋BiFeO3纳米片的制备方法,包括以下步骤:按摩尔比1:1称量分析纯的Fe(NO3)3·9H2O和Bi(NO3)3·5H2O,并将其溶解于乙二醇甲醚溶液中,配成均匀的溶液A;在搅拌的同时,将氨水溶液滴加到溶液A中,使之完全沉淀,并搅拌均匀,制得反应前驱物;将制备的反应前驱物洗涤至中性,干燥后得到干粉;将干粉、NaOH溶液放入反应釜中,密封反应釜;将反应釜置于120℃~150℃的反应炉内,反应后取出反应釜中的产物,经洗涤,干燥得到铁酸铋BiFeO3纳米片。本发明的制备温度低,节省能源,且铁酸铋BiFeO3结晶完好、工艺控制及合成所需仪器设备简单。
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公开(公告)号:CN106311197A
公开(公告)日:2017-01-11
申请号:CN201610708060.8
申请日:2016-08-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: B01J21/06 , C02F1/30 , C01G23/053 , C02F101/38
CPC classification number: B01J21/063 , B01J35/0013 , B01J35/004 , C01G23/053 , C01G23/0536 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C02F1/30 , C02F2101/40 , C02F2305/10
Abstract: 本发明公开了室温制备二氧化钛水溶胶的方法,包括以下步骤:(1)量取相同体积的乙酸和乳酸,滴入到有机溶剂中,通过磁力搅拌均匀,得到溶液A;(2)将钛源滴入到溶液A中,通过磁力搅拌均匀,得到溶液B;所述钛源为四氯化钛、钛酸异丙酯或钛酸四丁酯;所述钛源与溶液A的体积比为1:1~3:1;(3)将去离子水滴入溶液B中,通过磁力搅拌,得到TiO2水溶胶。本发明还公开了上述室温制备二氧化钛水溶胶的方法制备得到的二氧化钛水溶胶及其应用。发明实现了在室温条件下制备二氧化钛水溶胶可见光光催化剂,节省了能源。二氧化钛水溶胶具有很好的可见光催化活性。
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公开(公告)号:CN104195642B
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201410412805.7
申请日:2014-08-20
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: Y02P20/124
Abstract: 本发明公开了一种制备单晶BiFeO3纳米片的方法,包括以下步骤:将Fe(NO3)3·9H2O和Bi(NO3)3·5H2O溶解于硝酸溶液中配成母盐溶液;将CTAB溶解于有机溶剂,配制两组CTAB溶液;将母盐溶液滴加到一组CTAB溶液中,搅拌得溶液A;将KOH溶液滴加到另一组CTAB溶液中,搅拌得溶液B;将溶液B滴加到溶液A中,搅拌后得水热反应前驱物;将水热反应前驱物、溶剂放入水热釜中;密封水热釜,于140~160℃烘箱内反应12~24h,过滤得沉淀物;沉淀物经洗涤,干燥后得单晶BiFeO3纳米片。本发明能在低温下合成纯相单晶BiFeO3纳米片,节省能源,产物结晶度高,工艺容易控制,所需设备简单。
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公开(公告)号:CN112479705A
公开(公告)日:2021-03-12
申请号:CN202011207796.X
申请日:2020-11-03
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/638 , C04B35/64 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种钛酸钡基X8R型多层陶瓷电容器用介质材料及制备方法,该材料化学式为BaTiO3‑0.01A‑0.005Nd2O3‑x Bi2O3‑y Ho2O3+0.5wt%B,其中x=y=0.75~1.5mol%。其制备方法为:1)以Nb2O5和Co2O3为原料制备Nb‑Co复合氧化物掺杂剂粉料A;2)以Zn(CH3COO)2·2H2O和H3BO3为原料制备硼锌助烧剂粉料B;3)根据上述化学式配料,将原料放入球磨机中用湿式球磨法混合球磨,并经烘干得到陶瓷粉体;4)将陶瓷粉体研磨、造粒、过筛,干压成型得到陶瓷生坯;5)将陶瓷生坯排胶后在烧结。本发明制备的介质陶瓷材料在‑55~150℃温度范围内满足容温变化率|△C/C25℃|≤15%,且室温下介电常数为2400以上,室温介电损耗不超过2.0%。
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公开(公告)号:CN107570179B
公开(公告)日:2019-11-15
申请号:CN201710741909.6
申请日:2017-08-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: B01J27/135
Abstract: 本发明公开了一种TiO2/BiOCl异质结可见光催化剂的制备方法,包括以下步骤:在Bi2O3、TiO2、NaCl和KCl粉体混合物中加入无水乙醇,混合碾磨,混合均匀后混合物干燥得到粉体A;将粉体A在750~1100℃下煅烧0.5~2h,随炉冷却至室温,将得到的产物经洗涤、干燥后,得到反应前驱物B;在反应前驱物B中加入去离子水,并加入盐酸,超声处理0.2~1h,得到混合物C;将混合物C在100~120℃下加热2~4h,得到TiO2/BiOCl异质结粉体。本发明的原料简单且来源广泛,得到的TiO2/BiOCl异质结催化剂在可见光下催化效果优异,比单一的商用的TiO2(P25)和BiOCl明显具有更高的光催化活性。
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公开(公告)号:CN106673641B
公开(公告)日:2019-08-20
申请号:CN201710000618.1
申请日:2017-01-03
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B41/88 , B32B18/00 , B32B37/10 , B32B38/18
Abstract: 本发明公开了一种低压压敏陶瓷片,由电压非线性陶瓷层和低电阻率导电陶瓷层层叠构成,所述电压非线性陶瓷层和低电阻率导电陶瓷层之间设有金属隔离层;低压压敏陶瓷片的上、下底面分别设有上、下电极。本发明还公开了上述低压压敏陶瓷片的制备方法。本发明的低压压敏陶瓷片,具有低压敏电压、高非线性特性,又具有优良脉冲电流耐受能力。
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公开(公告)号:CN108512535A
公开(公告)日:2018-09-07
申请号:CN201810269318.8
申请日:2018-03-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了采用正温度系数热敏电阻补偿的可控硅触发电路,在可控硅触发回路中串联用于补偿可控硅触发电流的正温度系数热敏电阻,利用热敏电阻的正温度系数特性补偿可控硅导通所需触发电流随温度变化的特性;所述正温度系数热敏电阻串联在可控硅的控制极。本发明解决了可控硅由于温度变化,产生温度漂移,引起的高温误触发以及正常信号低温不触发的问题,提高了可控硅的使用温度区间,扩大触发电流可选择范围。
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公开(公告)号:CN108409306A
公开(公告)日:2018-08-17
申请号:CN201810238077.0
申请日:2018-03-22
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , H01C7/112
Abstract: 本发明涉及一种氧化锌压敏陶瓷材料及其制备方法。该ZnO压敏陶瓷材料的ZnO含量为97.24~97.26mol%,添加剂含量为2.74~2.76mol%;所述添加剂包括0.5mol%Bi2O3、0.5mol%Co2O3、0.72mol%Sb2O3、0.5mol%MnCO3、0.5mol%Ni203和0.02~0.04mol%的ZnCl2。本发明采用的半导化施主添加剂为ZnCl2,而不是采用常用的Al(N03)3.9H20,获得的氧化锌压敏电阻材料压敏电压在150V~260V/mm,非线性系数(I-V非线性系数)a≥45,漏电流IL≦1uA,耐脉冲电流特性良好。
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