公开(公告)号：CN101407648B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200810218808.1

申请日：2008-10-31

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 何新华 ,  叶常茂 ,  李茂

IPC: C09D1/00 ,  C09D5/44 ,  C09D5/00 ,  C25D13/02

Abstract: 本发明公开了一种超疏水透明二氧化硅薄膜的制备方法，该方法将二氧化硅颗粒与醇溶液混合搅拌，超声分散，调节酸碱度，获得二氧化硅胶体电泳液；将二氧化硅胶体电泳液电泳沉积到洁净的导电衬底上，用无水乙醇淋洗后干燥，获得二氧化硅薄膜导电衬底；将二氧化硅薄膜导电衬底在120～400℃热处理30～60分钟；经热处理的二氧化硅薄膜导电衬底，放入疏水处理液中浸置12～24小时后取出，用乙醇淋洗后干燥，获得超疏水透明二氧化硅薄膜。本发明制得的薄膜材料具有优良的疏水性和透光度，水与表面的接触角为153～162°，在500nm波长下的透光度达到90.2～95.5％。

公开(公告)号：CN101721967A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN201010019516.2

申请日：2010-01-20

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 符小艺 ,  何新华 ,  谢民强

IPC: B01J13/02 ,  C04B35/624 ,  H01F1/11

Abstract: 本发明公开了含有超顺磁性Fe3O4纳米晶的中空微球及其制备方法。该中空微球以二氧化硅壳层为中空微球外壳，二氧化硅壳层厚度为10～50nm；二氧化硅壳层内部含有Fe3O4纳米晶，Fe3O4纳米晶具有疏水性。制备方法采用沉淀-相分离法，先将疏水的Fe3O4纳米晶分散在二氧化硅前驱体Si(OR)4与疏水高分子的有机溶液中，加入含表面活性剂的水溶液，利用高分子的快速沉淀包埋Fe3O4纳米晶和Si(OR)4形成复合微球，加入氨水催化Si(OR)4水解缩聚，在复合微球表面形成SiO2壳层；通过溶剂溶解将高分子除去。本发明的中空微球具有超顺磁性，在靶向药物载体等生物医学领域具有广阔应用前景。

公开(公告)号：CN101186497B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200710032257.5

申请日：2007-12-07

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 何新华 ,  黎卓华 ,  凌志远

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/622 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明公开了一种提高铋层结构压电铁电陶瓷材料高温电阻率的方法，该方法包括配料、材料预处理和分段烧结，铋层结构压电铁电陶瓷材料的化学通式为A(Bi4-xLnx)Ti4-yByO15，其中A为元素Ca、Sr和Ba中至少一种；B为元素V、W和Nb中至少一种；0＜x≤0.5，0＜y≤0.1。分段烧结是以2～5℃/min的速率将温度由室温升高到1100～1200℃，在1～5min内降至1000～1100℃，以5℃/min的速度冷却至500℃后，随炉自然冷却。本发明可以获得在450℃下电阻率高达1.0×107～2.5×109Ω·m的铋层结构压电铁电陶瓷材料。该材料可应用于高温介电、压电陶瓷等领域。

公开(公告)号：CN115101659A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210576471.1

申请日：2022-05-25

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 何新华 ,  何秀将 ,  卢振亚 ,  王歆

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/39 ,  H01L41/43 ,  C04B35/26

Abstract: 本发明属于压电陶瓷的技术领域，公开了一种铁酸铋‑钛酸钡无铅压电陶瓷材料及制备方法。所述压电陶瓷的组成为0.7Bi1.02FeO3‑0.3BaTiO3‑x％LiF+y％M+z％SiO2；M表示含Mn金属化合物；x、y、z分别表示LiF、M和SiO2的摩尔分数，0.25≤x≤0.75，0.35≤y≤0.75，0≤z≤0.3。本发明还公开了压电陶瓷的制备方法。本发明调控了晶格中的氧空位浓度，加强晶格畸变，改善了显微结构，使压电性和居里温度均获得明显提高。本发明的压电陶瓷材料烧结温区宽(880～1020℃)、压电常数高(d33＝180～208pC/N)、居里温度高(TC＝550℃)。

公开(公告)号：CN106010036B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201610580117.0

申请日：2016-07-21

Applicant: 中国科学院广州能源研究所 ,  华南理工大学

Inventor： 徐雪青 ,  付小艺 ,  何新华 ,  徐得华 ,  徐刚

IPC: C09D133/04 ,  C09D125/14 ,  C09D5/33 ,  C09D7/12 ,  B01J13/02

Abstract: 本发明针对目前相变控温微胶囊涂料太阳反射率低、涂膜不均匀等问题，提出一种基于双层壳体相变控温微胶囊的热反射型外墙建筑隔热水性涂料及其制备方法，采用双层壳体相变控温微胶囊、高折光指数氧化物的混合物为隔热功能填料；其中双层壳体相变控温微胶囊的芯材为相变温度在38℃～45℃之间的石蜡，双层壳体包括聚合物内壳层和高折光指数氧化物颗粒外壳层，且高折光指数氧化物颗粒粒径在150～350纳米之间，涂料的太阳能反射比达到85％以上，且具有一定相变控温功能，并且涂膜均匀。

公开(公告)号：CN101407648A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810218808.1

申请日：2008-10-31

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 何新华 ,  叶常茂 ,  李茂

IPC: C09D1/00 ,  C09D5/44 ,  C09D5/00 ,  C25D13/02

Abstract: 本发明公开了一种超疏水透明二氧化硅薄膜的制备方法，该方法将二氧化硅颗粒与醇溶液混合搅拌，超声分散，调节酸碱度，获得二氧化硅胶体电泳液；将二氧化硅胶体电泳液电泳沉积到洁净的导电衬底上，用无水乙醇淋洗后干燥，获得二氧化硅薄膜导电衬底；将二氧化硅薄膜导电衬底在120～400℃热处理30～60分钟；经热处理的二氧化硅薄膜导电衬底，放入疏水处理液中浸置12～24小时后取出，用乙醇淋洗后干燥，获得超疏水透明二氧化硅薄膜。本发明制得的薄膜材料具有优良的疏水性和透光度，水与表面的接触角为153°～162°，在500nm波长下的透光度达到90.2～95.5％。

公开(公告)号：CN118290137A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410386847.1

申请日：2024-04-01

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 何新华 ,  徐国庆 ,  卢振亚

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种低损耗高居里点铁酸铋‑钛酸钡无铅压电陶瓷材料及制备方法。所述压电陶瓷的化学组成为0.75Bi1.02FeO3‑(0.25‑x)BaTiO3‑xCaZrO3+y％GeO2+z％MnO2；其中x、y和z表示摩尔分数，0.005≤x≤0.020，0.3≤y≤1，0.5≤z≤1.5。本发明通过引入第三组元CaZrO3，并添加GeO2和MnO2，调控晶相组成和导电载流子浓度，改善显微结构，降低损耗及改善温度稳定性，使居里温度、退极化温度和压电性均获得明显提高。本发明提供的无铅压电陶瓷材料合成工艺简单，有望应用于高温压电传感器件的制备。

公开(公告)号：CN106244115A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610581730.4

申请日：2016-07-21

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 符小艺 ,  何新华 ,  徐雪青 ,  邱晓忠

IPC: C09K5/06 ,  B01J13/14 ,  B01J13/02

CPC classification number: C09K5/063 ,  B01J13/02 ,  B01J13/14

Abstract: 本发明公开了一种具有高折光指数无机氧化物微球-有机高分子双壳层相变储能微胶囊及其制备方法，该相变储能微胶囊包括相变芯材和包裹芯材的有机-无机复合双层壁材；其中，所述相变芯材为熔点为10-60℃的相变石蜡；所述有机-无机复合双层壁材为聚合物高分子-具有高折射指数的无机氧化物微球。相变储能微胶囊制备方法包括如下步骤：配置石蜡-聚合物单体以及引发剂的油相；配置无机氧化物微球悬浮液水相；将油相与水相混合并高速分散形成 pickering 乳液；升高温度引发单体进行聚合反应；微胶囊后处理等步骤。本发明相变储能微胶囊相变储能效果好，热反射效果好，力学性能高。其制备方法简便高效，工艺易控制。

公开(公告)号：CN101186493B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200710031853.1

申请日：2007-11-30

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 何新华 ,  郑敏贵 ,  胡星

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明公开了一种提高铋层结构压电铁电陶瓷材料致密度的方法。按化学式(Am-1BmO3m+1)2-(Bi2O2)2+摩尔比A∶B∶Bi＝m-1∶m∶2计算、称取原材料，其中A为适合于12配位的一价、二价、三价或四价金属离子，B为适合于八面体配位的三价、四价、五价或六价金属离子；经过混合、预合成、粉碎、成型、烧结等工序制备。烧结工艺为：以2～5℃/min的升温速率升温至1100～1250℃，在1～5min内将温度迅速降低50～150℃，在950～1150℃低温保温5～20hr，以3～7℃/min的速度降温至500℃后，随炉自然冷却。采用本发明可以获得细晶、致密的铋层结构压电铁电陶瓷材料。

公开(公告)号：CN101172849B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200710031091.5

申请日：2007-10-26

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 胡星 ,  凌志远 ,  何新华

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种低温烧结的高介电常数电介质陶瓷及其制备方法。该陶瓷以总重量百分比计，CaTiSiO5占53％～81％，SrTiO3占5％～34％，CaTiO3占0％36％，Bi2Ti3O9占0％～2％，Bi2O3占0～2％，Nb2O5占0～0.5％，玻璃成分占2％～10％。制备时，将原料混合行星球磨，烘干，加入粘结剂造粒后，通过单轴加压，制备出直径10-20mm，厚度2-3mm的圆片，在880-1000℃，大气气氛下烧结3小时。该陶瓷不含稀土元属，价格低廉，保持高的介电常数，相对小的介电常数温度系数，可用于高频稳定陶瓷电容器或温度补偿陶瓷电容器等。