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公开(公告)号：CN113130802B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202110336876.3
申请日：2021-03-26
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于发光二极管的技术领域，公开了一种蓝光钙钛矿薄膜及其制备、倒装准二维蓝光钙钛矿发光二极管。方法：1)采用有机溶剂将溴化铅、大基团有机卤化物和溴化铯配成钙钛矿前驱体溶液；2)将前驱体溶液进行旋涂，在旋涂过程中滴加反溶剂，除去溶剂后，得到蓝光钙钛矿薄膜。所述倒装准二维蓝光钙钛矿发光二极管，从下到上依次包括阴极、电子传输层、界面层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、阳极；发光层为所述蓝光钙钛矿薄膜。本发明的方法能够增加蓝光钙钛矿的激子结合能，改善薄膜形貌，同时抑制低维相(n＝1)的形成，提高准二维蓝光钙钛矿的发光效率。本发明的蓝光钙钛矿薄膜用于发光二极管，实现蓝光发射，并提高发光效率。
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公开(公告)号：CN110783497A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201911041738.1
申请日：2019-10-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种倒装全溶液量子点电致发光器件及其制备方法，包括以下步骤：在阴极上依次形成电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，其中在制备空穴注入层时，先将表面活性剂Zonyl加入PEDOT:PSS溶液，充分混合后，在加入极性溶剂得到改性PEDOT:PSS溶液，将所述改性PEDOT:PSS溶液通过旋涂法制备空穴注入层。所述方法解决了溶液加工过程常见的空穴传输材料PEDOT:PSS在疏水性HTL上极难形成均匀的膜，造成器件制备失败的问题。在解决成膜问题的同时，改变了PEDOT:PSS功函数，减小了空穴注入势垒，平衡了空穴电子流，提高了器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111048672B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201911058230.2
申请日：2019-11-01
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿电致发光的白光LED制备方法，包括步骤：(1)对阳极进行清洗，清洗后进行烘干，将烘干后的阳极进行预处理；(2)采用旋涂工艺沉积空穴注入层，并进行热处理；(3)制备黄光钙钛矿溶液和蓝光聚合物溶液，并依次旋涂黄光钙钛矿层和蓝光聚合物层，每旋涂一层后均进行热处理加工；加工后的黄光钙钛矿层和蓝光聚合物层组成发光活性层；(4)将器件传入真空蒸镀仓中，进行电子注入层与阴极的蒸镀；(5)将器件用环氧树脂和玻璃盖板进行封装。本发明为实现电致白光提供了新的思路，即通过采用黄光钙钛矿与蓝光聚合物制备基于钙钛矿电致发光的白光LED，其电致发光光谱能够覆盖整个可见光区域。
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公开(公告)号：CN113130802A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110336876.3
申请日：2021-03-26
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于发光二极管的技术领域，公开了一种蓝光钙钛矿薄膜及其制备、倒装准二维蓝光钙钛矿发光二极管。方法：1)采用有机溶剂将溴化铅、大基团有机卤化物和溴化铯配成钙钛矿前驱体溶液；2)将前驱体溶液进行旋涂，在旋涂过程中滴加反溶剂，除去溶剂后，得到蓝光钙钛矿薄膜。所述倒装准二维蓝光钙钛矿发光二极管，从下到上依次包括阴极、电子传输层、界面层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、阳极；发光层为所述蓝光钙钛矿薄膜。本发明的方法能够增加蓝光钙钛矿的激子结合能，改善薄膜形貌，同时抑制低维相(n＝1)的形成，提高准二维蓝光钙钛矿的发光效率。本发明的蓝光钙钛矿薄膜用于发光二极管，实现蓝光发射，并提高发光效率。
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公开(公告)号：CN112968137A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110159174.2
申请日：2021-02-05
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L51/50 , H01L51/54 , H01L51/56 , C09D125/18 , C09D165/00 , C09D7/61
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿发光二极管及其制备方法。本发明的钙钛矿发光二极管中的空穴注入层由碳酸铵掺杂的PEDOT:PSS组成。本发明的钙钛矿发光二极管的制备方法包括以下步骤：1)在阳极层上形成由碳酸铵掺杂的PEDOT:PSS组成的空穴注入层；2)在空穴注入层上形成钙钛矿发光层；3)在钙钛矿发光层上依次蒸镀电子传输层、电子注入层和阴极层。本发明采用碳酸铵掺杂的PEDOT:PSS作为空穴注入层，不仅可以增加空穴的注入，有利于器件的载流子平衡，而且碳酸铵可以弱化PEDOT:PSS的酸性，减少空穴注入层对阳极层的腐蚀以及对钙钛矿发光层的发光淬灭，进而可以提高发光器件的发光亮度和电流效率。
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公开(公告)号：CN112968137B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202110159174.2
申请日：2021-02-05
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L51/50 , H01L51/54 , H01L51/56 , C09D125/18 , C09D165/00 , C09D7/61
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿发光二极管及其制备方法。本发明的钙钛矿发光二极管中的空穴注入层由碳酸铵掺杂的PEDOT:PSS组成。本发明的钙钛矿发光二极管的制备方法包括以下步骤：1)在阳极层上形成由碳酸铵掺杂的PEDOT:PSS组成的空穴注入层；2)在空穴注入层上形成钙钛矿发光层；3)在钙钛矿发光层上依次蒸镀电子传输层、电子注入层和阴极层。本发明采用碳酸铵掺杂的PEDOT:PSS作为空穴注入层，不仅可以增加空穴的注入，有利于器件的载流子平衡，而且碳酸铵可以弱化PEDOT:PSS的酸性，减少空穴注入层对阳极层的腐蚀以及对钙钛矿发光层的发光淬灭，进而可以提高发光器件的发光亮度和电流效率。
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公开(公告)号：CN111048672A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911058230.2
申请日：2019-11-01
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿电致发光的白光LED制备方法，包括步骤：(1)对阳极进行清洗，清洗后进行烘干，将烘干后的阳极进行预处理；(2)采用旋涂工艺沉积空穴注入层，并进行热处理；(3)制备黄光钙钛矿溶液和蓝光聚合物溶液，并依次旋涂黄光钙钛矿层和蓝光聚合物层，每旋涂一层后均进行热处理加工；加工后的黄光钙钛矿层和蓝光聚合物层组成发光活性层；(4)将器件传入真空蒸镀仓中，进行电子注入层与阴极的蒸镀；(5)将器件用环氧树脂和玻璃盖板进行封装。本发明为实现电致白光提供了新的思路，即通过采用黄光钙钛矿与蓝光聚合物制备基于钙钛矿电致发光的白光LED，其电致发光光谱能够覆盖整个可见光区域。
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