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公开(公告)号：CN111048672B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201911058230.2
申请日：2019-11-01
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿电致发光的白光LED制备方法，包括步骤：(1)对阳极进行清洗，清洗后进行烘干，将烘干后的阳极进行预处理；(2)采用旋涂工艺沉积空穴注入层，并进行热处理；(3)制备黄光钙钛矿溶液和蓝光聚合物溶液，并依次旋涂黄光钙钛矿层和蓝光聚合物层，每旋涂一层后均进行热处理加工；加工后的黄光钙钛矿层和蓝光聚合物层组成发光活性层；(4)将器件传入真空蒸镀仓中，进行电子注入层与阴极的蒸镀；(5)将器件用环氧树脂和玻璃盖板进行封装。本发明为实现电致白光提供了新的思路，即通过采用黄光钙钛矿与蓝光聚合物制备基于钙钛矿电致发光的白光LED，其电致发光光谱能够覆盖整个可见光区域。
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公开(公告)号：CN111312933B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201911180437.7
申请日：2019-11-27
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明涉及一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤，S1，在阳极上涂覆空穴传输层；S2，在空穴传输层上涂覆有机发光层；S3，将胺基小分子材料配制成溶液并涂覆在有机发光层上形成界面修饰层；S4，在界面修饰层上蒸镀阴极。本发明的制备方法通过将胺基小分子材料配制成溶液并涂覆在发光层上形成界面修饰层，改善了有机发光层与阴极之间的界面特性，降低了电子的注入势垒，实现有机发光层内电子和空穴的平衡，从而更好的提升器件性能，具有可溶液加工、工艺简单、易行、成本低廉、适用性广的特点。本发明还涉及采用一种有机电致发光器件的制备方法制得的有机电致发光器件。
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公开(公告)号：CN111312933A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911180437.7
申请日：2019-11-27
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明涉及一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤，S1，在阳极上涂覆空穴传输层；S2，在空穴传输层上涂覆有机发光层；S3，将胺基小分子材料配制成溶液并涂覆在有机发光层上形成界面修饰层；S4，在界面修饰层上蒸镀阴极。本发明的制备方法通过将胺基小分子材料配制成溶液并涂覆在发光层上形成界面修饰层，改善了有机发光层与阴极之间的界面特性，降低了电子的注入势垒，实现有机发光层内电子和空穴的平衡，从而更好的提升器件性能，具有可溶液加工、工艺简单、易行、成本低廉、适用性广的特点。本发明还涉及采用一种有机电致发光器件的制备方法制得的有机电致发光器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110783497A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201911041738.1
申请日：2019-10-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种倒装全溶液量子点电致发光器件及其制备方法，包括以下步骤：在阴极上依次形成电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，其中在制备空穴注入层时，先将表面活性剂Zonyl加入PEDOT:PSS溶液，充分混合后，在加入极性溶剂得到改性PEDOT:PSS溶液，将所述改性PEDOT:PSS溶液通过旋涂法制备空穴注入层。所述方法解决了溶液加工过程常见的空穴传输材料PEDOT:PSS在疏水性HTL上极难形成均匀的膜，造成器件制备失败的问题。在解决成膜问题的同时，改变了PEDOT:PSS功函数，减小了空穴注入势垒，平衡了空穴电子流，提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN110224074A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201811642493.3
申请日：2018-12-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种量子点电致发光器件及其制备方法，本发明为减小量子点发光二极管器件空穴注入势垒，在制备量子点发光二极管器件时，采用原位配体置换的方式将含有孤对电子的极性配位基团的小分子材料，如含有胺基，巯基，磷基等材料溶解在质子溶剂中，旋涂在已制备成膜通过热处理的量子点层。由于有孤对电子的极性配位基团:胺基，巯基，磷基等基团的孤对电子，引入较大的界面偶极，减小了空穴注入势垒，平衡了空穴电子流，提高了器件性能。并且钝化量子点薄膜表面缺陷，减少了激子淬灭。该方法具有适用性广，高效简单的特点。
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公开(公告)号：CN111048672A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911058230.2
申请日：2019-11-01
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿电致发光的白光LED制备方法，包括步骤：(1)对阳极进行清洗，清洗后进行烘干，将烘干后的阳极进行预处理；(2)采用旋涂工艺沉积空穴注入层，并进行热处理；(3)制备黄光钙钛矿溶液和蓝光聚合物溶液，并依次旋涂黄光钙钛矿层和蓝光聚合物层，每旋涂一层后均进行热处理加工；加工后的黄光钙钛矿层和蓝光聚合物层组成发光活性层；(4)将器件传入真空蒸镀仓中，进行电子注入层与阴极的蒸镀；(5)将器件用环氧树脂和玻璃盖板进行封装。本发明为实现电致白光提供了新的思路，即通过采用黄光钙钛矿与蓝光聚合物制备基于钙钛矿电致发光的白光LED，其电致发光光谱能够覆盖整个可见光区域。
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公开(公告)号：CN110112302A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910042465.6
申请日：2019-01-17
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种以Al2O3薄膜为缓冲层的量子点发光二极管及其制备方法，所述QLED包括依次层叠设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点层、电子传输层、Al2O3缓冲层和阴极。阻挡银浆、碳纳米管等可溶液加工电极材料对下面功能层造成侵蚀的方法，本发明所述方法是在制备电极材料之前加工一层Al2O3绝缘层，形成一层薄且致密的缓冲层，阻挡溶剂渗透从而保护下层功能层；同时该Al2O3绝缘层能作为电子阻挡层平衡载流子，进而有效提高QLED器件的性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN209515741U
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201920074583.0
申请日：2019-01-17
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种以Al2O3薄膜为缓冲层的量子点发光二极管，所述QLED包括依次层叠设置的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点层、电子传输层、Al2O3缓冲层和阴极。阻挡银浆、碳纳米管等可溶液加工电极材料对下面功能层造成侵蚀的方法，本实用新型在制备电极材料之前加工一层Al2O3绝缘层，形成一层薄且致密的缓冲层，阻挡溶剂渗透从而保护下层功能层；同时该Al2O3绝缘层能作为电子阻挡层平衡载流子，进而有效提高QLED器件的性能和稳定性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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