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公开(公告)号：CN113130802A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110336876.3
申请日：2021-03-26
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于发光二极管的技术领域，公开了一种蓝光钙钛矿薄膜及其制备、倒装准二维蓝光钙钛矿发光二极管。方法：1)采用有机溶剂将溴化铅、大基团有机卤化物和溴化铯配成钙钛矿前驱体溶液；2)将前驱体溶液进行旋涂，在旋涂过程中滴加反溶剂，除去溶剂后，得到蓝光钙钛矿薄膜。所述倒装准二维蓝光钙钛矿发光二极管，从下到上依次包括阴极、电子传输层、界面层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、阳极；发光层为所述蓝光钙钛矿薄膜。本发明的方法能够增加蓝光钙钛矿的激子结合能，改善薄膜形貌，同时抑制低维相(n＝1)的形成，提高准二维蓝光钙钛矿的发光效率。本发明的蓝光钙钛矿薄膜用于发光二极管，实现蓝光发射，并提高发光效率。
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公开(公告)号：CN112968137A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110159174.2
申请日：2021-02-05
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L51/50 , H01L51/54 , H01L51/56 , C09D125/18 , C09D165/00 , C09D7/61
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿发光二极管及其制备方法。本发明的钙钛矿发光二极管中的空穴注入层由碳酸铵掺杂的PEDOT:PSS组成。本发明的钙钛矿发光二极管的制备方法包括以下步骤：1)在阳极层上形成由碳酸铵掺杂的PEDOT:PSS组成的空穴注入层；2)在空穴注入层上形成钙钛矿发光层；3)在钙钛矿发光层上依次蒸镀电子传输层、电子注入层和阴极层。本发明采用碳酸铵掺杂的PEDOT:PSS作为空穴注入层，不仅可以增加空穴的注入，有利于器件的载流子平衡，而且碳酸铵可以弱化PEDOT:PSS的酸性，减少空穴注入层对阳极层的腐蚀以及对钙钛矿发光层的发光淬灭，进而可以提高发光器件的发光亮度和电流效率。
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公开(公告)号：CN113130802B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202110336876.3
申请日：2021-03-26
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于发光二极管的技术领域，公开了一种蓝光钙钛矿薄膜及其制备、倒装准二维蓝光钙钛矿发光二极管。方法：1)采用有机溶剂将溴化铅、大基团有机卤化物和溴化铯配成钙钛矿前驱体溶液；2)将前驱体溶液进行旋涂，在旋涂过程中滴加反溶剂，除去溶剂后，得到蓝光钙钛矿薄膜。所述倒装准二维蓝光钙钛矿发光二极管，从下到上依次包括阴极、电子传输层、界面层、发光层、空穴传输层、空穴注入层、阳极；发光层为所述蓝光钙钛矿薄膜。本发明的方法能够增加蓝光钙钛矿的激子结合能，改善薄膜形貌，同时抑制低维相(n＝1)的形成，提高准二维蓝光钙钛矿的发光效率。本发明的蓝光钙钛矿薄膜用于发光二极管，实现蓝光发射，并提高发光效率。
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公开(公告)号：CN112968137B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202110159174.2
申请日：2021-02-05
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L51/50 , H01L51/54 , H01L51/56 , C09D125/18 , C09D165/00 , C09D7/61
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿发光二极管及其制备方法。本发明的钙钛矿发光二极管中的空穴注入层由碳酸铵掺杂的PEDOT:PSS组成。本发明的钙钛矿发光二极管的制备方法包括以下步骤：1)在阳极层上形成由碳酸铵掺杂的PEDOT:PSS组成的空穴注入层；2)在空穴注入层上形成钙钛矿发光层；3)在钙钛矿发光层上依次蒸镀电子传输层、电子注入层和阴极层。本发明采用碳酸铵掺杂的PEDOT:PSS作为空穴注入层，不仅可以增加空穴的注入，有利于器件的载流子平衡，而且碳酸铵可以弱化PEDOT:PSS的酸性，减少空穴注入层对阳极层的腐蚀以及对钙钛矿发光层的发光淬灭，进而可以提高发光器件的发光亮度和电流效率。
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