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公开(公告)号：CN104538279A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410818779.8
申请日：2014-12-25
Applicant: 华南师范大学 , 广州禾信分析仪器有限公司
CPC classification number: H01J49/26 , H01J49/105
Abstract: 本发明公开了一种射频辉光放电电离装置，包括封闭的电离腔、质谱分析器和位于所述电离腔内的装置主体，所述装置主体包括装有铜块的铜块固定座和装有样品的样品固定座，所述铜块通过电离腔上的直流自偏置电压连接口与外电路导通，所述样品通过电离腔上的射频信号引入接口与射频电源导通，所述铜块固定座和样品固定座正对设置且在铜块和样品间形成电离区，在所述电离区的一侧设有将电离区内等离子体送入质谱分析器的推斥板，所述推斥板通过电离腔上的推斥电压引入接口与直流高压电源导通。本发明由于不受样品材料导体、半导体和非导体的限制，且电离效率高和离子引入效率高，具有检测应用范围广，灵敏度高、检测限低的特点。
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公开(公告)号：CN104538275A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410818850.2
申请日：2014-12-25
Applicant: 华南师范大学 , 广州禾信分析仪器有限公司
CPC classification number: H01J49/161
Abstract: 本发明公开了一种激光辅助辉光放电电离装置，包括激光光源、质谱分析器、封闭的电离腔和电离主体，电离主体包括装有空心铜柱的铜柱固定座和装有样品的样品固定座，空心铜柱通过导线与电离腔底板连接地电位，样品与辉光放电供电电源导通，铜柱固定座和样品固定座正对设置，空心铜柱在样品的对侧设有激光孔且在激光孔内形成电离区，激光光源发出的激光穿过空心铜柱后垂直照射在样品上，在电离区的一侧设有将电离区内的离子送入质谱分析器的推斥板，推斥板与直流高压电源导通。本发明通过上述结构引入辉光放电电压信号、地电位，并通过推斥板引入直流高电压可将放电产生的离子引入质谱分析器，提高离子传输效率，检测灵敏度高。
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公开(公告)号：CN204303751U
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201420834114.1
申请日：2014-12-25
Applicant: 华南师范大学 , 广州禾信分析仪器有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种射频辉光放电电离装置，包括封闭的电离腔、质谱分析器和位于所述电离腔内的装置主体，所述装置主体包括装有铜块的铜块固定座和装有样品的样品固定座，所述铜块通过电离腔上的直流自偏置电压连接口与外电路导通，所述样品通过电离腔上的射频信号引入接口与射频电源导通，所述铜块固定座和样品固定座正对设置且在铜块和样品间形成电离区，在所述电离区的一侧设有将电离区内等离子体送入质谱分析器的推斥板，所述推斥板通过电离腔上的推斥电压引入接口与直流高压电源导通。本实用新型由于不受样品材料导体、半导体和非导体的限制，且电离效率高和离子引入效率高，具有检测应用范围广，灵敏度高、检测限低的特点。
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公开(公告)号：CN204303750U
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201420833217.6
申请日：2014-12-25
Applicant: 华南师范大学 , 广州禾信分析仪器有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种激光辅助辉光放电电离装置，包括激光光源、质谱分析器、封闭的电离腔和电离主体，电离主体包括装有空心铜柱的铜柱固定座和装有样品的样品固定座，空心铜柱通过导线与电离腔底板连接地电位，样品与辉光放电供电电源导通，铜柱固定座和样品固定座正对设置，空心铜柱在样品的对侧设有激光孔且在激光孔内形成电离区，激光光源发出的激光穿过空心铜柱后垂直照射在样品上，在电离区的一侧设有将电离区内的离子送入质谱分析器的推斥板，推斥板与直流高压电源导通。本实用新型通过上述结构引入辉光放电电压信号、地电位，并通过推斥板引入直流高电压可将放电产生的离子引入质谱分析器，提高离子传输效率，检测灵敏度高。
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公开(公告)号：CN113463109B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202110668474.3
申请日：2021-06-16
Applicant: 华南师范大学
IPC: C25B1/04 , C25B1/55 , C25B11/052 , C23C18/12
Abstract: 本发明涉及一种三元铜基化合物半导体光电极、无偏压太阳光分解水制氢产氧器件及其制备方法，该光电极采用三元铜基化合物半导体光电极，其吸收层为三元铜基化合物半导体薄膜，具有带隙合适、光吸收系数高、元素储量丰富、无毒和成本低等优点，且本发明的三元铜基吸收层采用喷雾热解法制备获得，制备而成的光电极开启电压高；且本发明光阳极选用施加相对于可逆氢电位0.2～0.5V的偏压时可氧化水的半导体材料，将三元铜基化合物半导体光电极和上述光阳极相结合，制备成一种无需外加偏压的太阳光分解水制氢产氧器件。实现了真正意义上的无需外加电能的光解水制氢器件，并且该光阴极和光阴极可根据实际的封装需求，灵活选择不同的封装方式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113463109A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110668474.3
申请日：2021-06-16
Applicant: 华南师范大学
IPC: C25B1/04 , C25B1/55 , C25B11/052 , C23C18/12
Abstract: 本发明涉及一种三元铜基化合物半导体光电极、无偏压太阳光分解水制氢产氧器件及其制备方法，该光电极采用三元铜基化合物半导体光电极，其吸收层为三元铜基化合物半导体薄膜，具有带隙合适、光吸收系数高、元素储量丰富、无毒和成本低等优点，且本发明的三元铜基吸收层采用喷雾热解法制备获得，制备而成的光电极开启电压高；且本发明光阳极选用施加相对于可逆氢电位0.2～0.5V的偏压时可氧化水的半导体材料，将三元铜基化合物半导体光电极和上述光阳极相结合，制备成一种无需外加偏压的太阳光分解水制氢产氧器件。实现了真正意义上的无需外加电能的光解水制氢器件，并且该光阴极和光阴极可根据实际的封装需求，灵活选择不同的封装方式。
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公开(公告)号：CN104538279B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201410818779.8
申请日：2014-12-25
Applicant: 华南师范大学
Abstract: 本发明公开了一种射频辉光放电电离装置，包括封闭的电离腔、质谱分析器和位于所述电离腔内的装置主体，所述装置主体包括装有铜块的铜块固定座和装有样品的样品固定座，所述铜块通过电离腔上的直流自偏置电压连接口与外电路导通，所述样品通过电离腔上的射频信号引入接口与射频电源导通，所述铜块固定座和样品固定座正对设置且在铜块和样品间形成电离区，在所述电离区的一侧设有将电离区内等离子体送入质谱分析器的推斥板，所述推斥板通过电离腔上的推斥电压引入接口与直流高压电源导通。本发明由于不受样品材料导体、半导体和非导体的限制，且电离效率高和离子引入效率高，具有检测应用范围广，灵敏度高、检测限低的特点。
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公开(公告)号：CN113292144B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110609926.0
申请日：2021-06-01
Applicant: 华南师范大学
IPC: C02F1/469 , C02F1/42 , C02F1/44 , C02F103/08
Abstract: 本发明涉及一种稳定的太阳光海水淡化反应器及制备方法，包括，设置有光阴极的光阴极腔室，设置有阳极的阳极腔室，光阴极和阳极通过导线连接；氧化还原液在光阴极腔室和阳极腔室之间循环；光阴极腔室具有一透光窗口，太阳光经过透光窗口照射在光阴极上，第一、第二盐流室，位于光阴极腔室和阳极腔室之间，第一盐流室与光阴极腔室之间、第二盐流室与阳极腔室之间通过阳离子交换膜隔离，第一盐流室与第二盐流室之间通过阴离子交换膜隔离。该反应器以太阳光为能源，不需要额外供电，利用稳定的光阴极，结合阳极、氧化还原液和离子交换膜构成，结构简单，成本低廉，能耗较低且持续稳定，有望日后实现低能耗淡化海水，大大降低海水淡化的能量消耗。
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公开(公告)号：CN113292144A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110609926.0
申请日：2021-06-01
Applicant: 华南师范大学
IPC: C02F1/469 , C02F1/42 , C02F1/44 , C02F103/08
Abstract: 本发明涉及一种稳定的太阳光海水淡化反应器及制备方法，包括，设置有光阴极的光阴极腔室，设置有阳极的阳极腔室，光阴极和阳极通过导线连接；氧化还原液在光阴极腔室和阳极腔室之间循环；光阴极腔室具有一透光窗口，太阳光经过透光窗口照射在光阴极上，第一、第二盐流室，位于光阴极腔室和阳极腔室之间，第一盐流室与光阴极腔室之间、第二盐流室与阳极腔室之间通过阳离子交换膜隔离，第一盐流室与第二盐流室之间通过阴离子交换膜隔离。该反应器以太阳光为能源，不需要额外供电，利用稳定的光阴极，结合阳极、氧化还原液和离子交换膜构成，结构简单，成本低廉，能耗较低且持续稳定，有望日后实现低能耗淡化海水，大大降低海水淡化的能量消耗。
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